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[導(dǎo)讀]摘要:基于CSMCO.5μm CMOS工藝設(shè)計(jì)一種帶滯回功能的高穩(wěn)定性電壓控制電路,利用遲滯比較器對(duì)旁路電壓和基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較并控制電容的充放電,提高了電壓的穩(wěn)定性。Cadence Spectre仿真結(jié)果表明,該電路產(chǎn)生的電壓穩(wěn)

摘要:基于CSMCO.5μm CMOS工藝設(shè)計(jì)一種帶滯回功能的高穩(wěn)定性電壓控制電路,利用遲滯比較器對(duì)旁路電壓和基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較并控制電容的充放電,提高了電壓的穩(wěn)定性。Cadence Spectre仿真結(jié)果表明,該電路產(chǎn)生的電壓穩(wěn)定性高,功耗低,且其滯回功能能有效抑制噪聲。與普通的旁路電壓控制電路相比,具有更高的穩(wěn)定性和抗噪聲能力,可廣泛用于各種功率放大器內(nèi)部。
關(guān)鍵詞:CMOS;旁路電壓;比較器;電流反饋

    音頻功率放大器被廣泛應(yīng)用于諸如移動(dòng)電話、MP3,MP4等便攜式設(shè)備中,而為了使音頻功率放大器能正常工作,其內(nèi)部必須含有旁路電壓控制電路,以產(chǎn)生正確的直流偏置電壓使電路正常工作。這里在O.5μm CMOS工藝條件下,設(shè)計(jì)了一種采用電流反饋實(shí)現(xiàn)遲滯功能的旁路電壓控制電路。

1 電路結(jié)構(gòu)
    旁路電壓控制電路包括施密特電路、比較器電路和控制電路三大部分。其整體的電路如圖1所示。下面將分別介紹。


1.1 施密特電路
    集成電路的廣泛應(yīng)用為芯片添加關(guān)斷功能以降低芯片的功耗成為必需。該設(shè)計(jì)中的M25~M29組成的施密特電路就提供了此功能。當(dāng)外部引腳“SHUTDOWN”電壓Vin為低電平時(shí),M25,M26導(dǎo)通,M27,M28截止,D點(diǎn)輸出高電平,此時(shí)整個(gè)電路處于關(guān)斷狀態(tài),內(nèi)部功耗極低。隨著Vin逐漸升高,當(dāng)Vin>VTH(M28)時(shí),M28,M29均處于導(dǎo)通狀態(tài),則M28的漏端電壓為M28,M29對(duì)電源的分壓,近似為VDO/2.故M27仍截止。當(dāng)Vin繼續(xù)上升,M25,M26導(dǎo)通能力下降,導(dǎo)致M27的源端電壓下降,當(dāng)VGS(M27)>VTH(M27)時(shí),M27開(kāi)始導(dǎo)通,使D點(diǎn)電壓急劇下降,進(jìn)一步使M25,M26的導(dǎo)通減弱直至截止,此時(shí),輸出翻轉(zhuǎn),D點(diǎn)輸出低電平,電路轉(zhuǎn)為正常工作。
    施密特觸發(fā)器的特點(diǎn)在于其可將緩慢變化的電壓信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)檫呇囟盖偷木匦蚊}沖,所以即使外部引腳“SHUTDOWN”的電壓變化緩慢或包含噪聲,電路都能正常地工作;同時(shí)也能看出,只有在輸入大于一定電壓時(shí),電路才會(huì)正常工作,這樣的設(shè)計(jì)提高了電路的抗干擾能力。
1.2 電壓比較器電路
    比較器用于比較兩個(gè)輸入模擬信號(hào)并由此產(chǎn)生一個(gè)二進(jìn)制輸出。而通常情況下,比較器工作于噪聲環(huán)境中,并且在閾值點(diǎn)檢測(cè)信號(hào)的變化。當(dāng)一個(gè)包含噪聲的信號(hào)加在沒(méi)有遲滯功能的比較器的輸入端,會(huì)使比較器的輸出充滿噪聲,甚至有可能出現(xiàn)振蕩現(xiàn)象。故在設(shè)計(jì)時(shí)往往借助正反饋以實(shí)現(xiàn)滯后功能,使電路具有一定的抗噪聲能力。這種正反饋往往分為外部正反饋和內(nèi)部正反饋,又由于外部正反饋所需的高精度的電阻在集成電路中很難實(shí)現(xiàn),所以內(nèi)部正反饋得到了更為廣泛的應(yīng)用。
    在該設(shè)計(jì)中,電壓比較器的主要功能在于:比較旁路電壓和基準(zhǔn)電壓的大小,輸出信號(hào)到控制電路以確定是否對(duì)旁路電容進(jìn)行充電。它的電路結(jié)構(gòu)圖如圖2所示。當(dāng)PD為低電平時(shí)。比較器正常工作。當(dāng)“+”端電壓低于“-”端電壓時(shí),M1的漏電流大于M2的漏電流,多余的電流對(duì)電容Cj(此點(diǎn)到地的等效寄生電容)進(jìn)行充電,M6的柵電壓升高,當(dāng)|VGS6|<|VTP|時(shí),M6截止,比較器輸出低電平;同理,當(dāng)“+”端電壓高于“-”端電壓時(shí),電容Cj(此點(diǎn)到地的等效寄生電容)放電.M6的柵極電壓降低,M6飽和導(dǎo)通,比較器輸出高電平。


    M8~M12為電流反饋部分。當(dāng)比較器輸出高電平時(shí),開(kāi)關(guān)管M9和M12均導(dǎo)通,M11和M8組成電流鏡結(jié)構(gòu),當(dāng)M11,M8均處于飽和區(qū)時(shí)電流鏡正常工作且M11,鏡像M8的漏電流并反饋回A點(diǎn),以改變比較器負(fù)向轉(zhuǎn)折的閾值電壓VTRP-,達(dá)到遲滯的目的。
       
則通過(guò)調(diào)節(jié)M11和M8管的寬長(zhǎng)比,可以改變反饋回A點(diǎn)的電流大小,從而改變電路的負(fù)向轉(zhuǎn)折閾值電壓。此時(shí)比較器的正向轉(zhuǎn)折點(diǎn)和負(fù)向轉(zhuǎn)折點(diǎn)不等,比較器電路具有雙穩(wěn)態(tài)特性,其寬度為:
   
    該寬度電壓表明了比較器所允許的最大噪聲幅度。
    與文獻(xiàn)中所介紹的利用內(nèi)部電壓正反饋實(shí)現(xiàn)遲滯的電路相比,采用電流反饋的方法,一方面避免了同時(shí)使用正、負(fù)反饋,使電路的性能更為穩(wěn)定;另一方面也減少了MOS管狀態(tài)改變的次數(shù),降低了比較器傳輸時(shí)延。當(dāng)PD為高電平時(shí),M13截止,M14導(dǎo)通,使得M5,M7,M10均處于截止?fàn)顟B(tài),整個(gè)電路處于低功耗狀態(tài)。
1.3 控制電路
    控制電路所實(shí)現(xiàn)的功能為產(chǎn)生比較器所需的基準(zhǔn)電壓和對(duì)旁路電容進(jìn)行充、放電。圖1中,M17,M18的柵極電壓由放大器的偏置電路產(chǎn)生。當(dāng)PD為低電平時(shí),開(kāi)關(guān)管M15導(dǎo)通,調(diào)節(jié)R1,R2的值,使B點(diǎn)的電壓等于VDD/2,并將B點(diǎn)的電壓作為比較器的正向轉(zhuǎn)折電壓,此時(shí)開(kāi)關(guān)管M19導(dǎo)通。電路對(duì)旁路電容CB充電且將C點(diǎn)電壓作為比較器的正向輸入。當(dāng)電容上的電壓低于時(shí),比較器輸出低電平,M21截止;當(dāng)電容上的電壓高于正向轉(zhuǎn)折電壓時(shí),比較器輸出高電平,M19截止,電路停止對(duì)旁路電容充電,同時(shí)M21導(dǎo)通。此時(shí)C點(diǎn)的電壓為:
   


式中:VC+為M21導(dǎo)通后電容上的電壓;VC-為M21導(dǎo)通前的電容上的電壓;τ為時(shí)間常數(shù),τ=(RB+R)C;RB為B點(diǎn)到地的等效電阻??梢钥吹皆谝欢螘r(shí)間后,旁路電容上的電壓將近似等于B點(diǎn)電壓,即VDD/2,則得到所需的旁路電壓。同時(shí),考慮到音頻功率放大器上電、掉電的“POP”噪聲是由旁路電壓的瞬間跳變引起的,所以可以適當(dāng)?shù)脑龃笈月冯娙菀栽龃笈月冯妷旱纳仙⑾陆邓俣?,起到減少“POP”噪聲的作用。
    當(dāng)PD為高電平時(shí).M16截止,電路不工作。

2 仿真結(jié)果
    該使設(shè)計(jì)采用Candence Spectre仿真工具進(jìn)行仿真,所采用的工藝是華潤(rùn)上華O.5μm的N阱CMOS工藝典型模型。
    圖3為該設(shè)計(jì)中旁路電壓的輸出變化曲線?!癝HUTDOWN”引腳低電平有效,輸出曲線在電路從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為工作狀態(tài)時(shí)會(huì)出現(xiàn)一個(gè)小突刺,這是由于旁路電容上的電壓比節(jié)點(diǎn)C略高,電容會(huì)有一個(gè)小的放電過(guò)程。在常溫下,輸出約在3.4μs處開(kāi)始穩(wěn)定在2.5 V。當(dāng)t=7.5μs時(shí),輸出為2.501 6 V,其誤差為O.064%。電路的靜態(tài)功耗為O.685 mW。

    圖4為電壓比較器的正端電壓從2.0~3.O V變化以及從3.O~2.0 V變化時(shí),比較器的輸出變化曲線??梢钥闯觯容^器的正向閾值電壓,負(fù)向閾值電壓。與的不等說(shuō)明引入遲滯后電路抑制噪聲的能力明顯增強(qiáng)。


    圖5和圖6分別為比較器的正向傳輸時(shí)延和負(fù)向傳輸時(shí)延。由圖可知,比較器的正向傳輸時(shí)延為7.632 ns,負(fù)向傳輸時(shí)延為35.32 ns。對(duì)于大部分的芯片而言,這個(gè)數(shù)量級(jí)的延遲是可以忽略的。

3 結(jié)語(yǔ)
    從上面的仿真結(jié)果可以看出,該設(shè)計(jì)的旁路電壓控制電路可以產(chǎn)生輸出穩(wěn)定的旁路電壓,且具有一定的噪聲抑制能力。此外,整個(gè)電路的靜態(tài)功耗低,信號(hào)的延遲時(shí)間較短,可以廣泛應(yīng)用于各種音頻放大器電路中。

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