CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

SILVACO-UMC 0.18um CMOS PDK 通過聯(lián)華電子驗(yàn)證

頂尖IC自動(dòng)化設(shè)計(jì)軟件供貨商Silvaco 宣布，通過世界晶圓專工技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者聯(lián)華電子 (UMC) 驗(yàn)證之0.18um CMOS 制程設(shè)計(jì)套件 (Process Design Kit, PDK) ，可支持模擬/ 混合信號(hào)之完整IC 設(shè)計(jì)流程。此套 PDK支援 Gatew

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2010-07-01

CMOS SILVACO 聯(lián)華電子 PD
Qualcomm與SEMATECH簽署合作協(xié)議共同開拓新技術(shù)

全球領(lǐng)先的芯片制造協(xié)會(huì)SEMATECH和先進(jìn)無線芯片供應(yīng)商Qualcomm宣布Qualcomm已與SEMATECH簽署了合作協(xié)議，共同推進(jìn)CMOS技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展。Qualcomm是第一家進(jìn)入SEMATECH的芯片設(shè)計(jì)公司，Qualcomm將深入?yún)⑴c和SEMATECH的

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-06-18

TE SE QUALCOMM CMOS
0.5um CMOS新型電流反饋放大器的分析與設(shè)計(jì)

本文的低壓低功耗 CFOA,它在只需1V 電源電壓情況下，僅產(chǎn)生0.7mW 功耗，84.2dB 的開環(huán)增益，62°的相位裕度，高達(dá)138dB 的共模抑制比, -0.85V～0.97V 的輸出電壓范圍

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2010-06-17

帶寬電流反饋反饋放大器 CMOS
邏輯門電路的傳播速度

理論上的數(shù)字邏輯設(shè)計(jì)重點(diǎn)關(guān)注的是邏輯門電路的傳播延遲。相比之下，高頻電子工程中的許多實(shí)際的問題通常只取決于一個(gè)更細(xì)微的指標(biāo)：最小輸出轉(zhuǎn)換時(shí)間。圖2.13舉例說明了這一差別。較快的轉(zhuǎn)換時(shí)間會(huì)導(dǎo)致返回電流，串

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2010-06-12

產(chǎn)品系列電流邏輯門電路 CMOS
TTL或CMOS集電極開路輸出的功耗

用來計(jì)算TTL集電極開路輸出電路靜態(tài)功耗的公式如下：其中：VT=上拉電阻的有效端接電壓 R=端接電阻的有效值 VHI=高電平輸出（通常等于VT） VLO=低電平輸出 VEE=輸出晶體管的射極（或源極

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2010-06-12

集電極開路 TTL BSP CMOS
芯片如何輸入功率

芯片的輸入功率來自于其他器件。對(duì)于輸入電路的偏置和觸發(fā)來說它是必需的。表2.1比較了4種不同邏輯系列的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)輸入特性，4種邏輯系列為：SIONETICS 74HCT CMOS，TEXAS INSTRUMENTS 74AS TTL，MOTOROLA 10KH ECL

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2010-06-12

芯片邏輯器件 HC CMOS
驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載的動(dòng)態(tài)功耗

邏輯電路每一次跳變，都要消耗超過它正常靜態(tài)功耗之外的額外的額外功率。當(dāng)以一個(gè)恒定速率循環(huán)時(shí)，動(dòng)態(tài)功耗等于功耗=周期頻率*每個(gè)周期額外的功率動(dòng)態(tài)功耗最常見的兩個(gè)起因是負(fù)載電容和疊加的偏置電流。圖2.2說明了驅(qū)

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2010-06-12

電阻驅(qū)動(dòng)電路 BSP CMOS
Imec與臺(tái)積電合作40奈米制程技術(shù)

歐洲半導(dǎo)體研究所Imec與臺(tái)積電共同宣布，將Europractice IC拓展至臺(tái)積電40奈米的制程技術(shù)。透過這項(xiàng)這項(xiàng)合作，將可透過提供臺(tái)積電晶圓共乘(Cybershuttle)多重計(jì)劃晶圓給歐洲的公司與學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)。這項(xiàng)合作包括臺(tái)積

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2010-06-09

臺(tái)積電制程技術(shù) PRACTICE CMOS
高線性度設(shè)計(jì)的CMOS調(diào)幅電路技術(shù)

引言本文采用±5V電源，設(shè)計(jì)出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號(hào)與控制電壓成高線性度的電路，并且實(shí)現(xiàn)了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動(dòng)增益控制、正弦脈寬調(diào)制(SPWM)、模擬運(yùn)算等方面有著很好的使用

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2010-06-08

電路技術(shù) 線性調(diào)幅電路 CMOS
CMOS雙向開關(guān)工作原理

CMOS雙向開關(guān)也稱CMOS傳輸門。CMOS雙向開關(guān)在模擬電路和數(shù)字電路應(yīng)用非常廣泛。集成電路CMOS雙向開關(guān)產(chǎn)品有CC4066/4051/4052/4053等，性能優(yōu)良，使用方便且成本低。每個(gè)開關(guān)只有一個(gè)控制端和兩互為輸入/輸出信號(hào)端，

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2010-06-06

電阻電平雙向開關(guān) CMOS
高線性度設(shè)計(jì)的CMOS調(diào)幅電路技術(shù)

引言本文采用±5V電源，設(shè)計(jì)出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號(hào)與控制電壓成高線性度的電路，并且實(shí)現(xiàn)了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動(dòng)增益控制、正弦脈寬調(diào)制(SPWM)、模擬運(yùn)算等方面有著很好的使用

電源AC/DC
2010-06-06

電路技術(shù) 線性調(diào)幅電路 CMOS
CMOS PA陷入成本和性能兩難，“單芯片手機(jī)”夢(mèng)受阻

在基帶、電源管理和射頻收發(fā)等關(guān)鍵器件相繼被CMOS工藝集成后，采用砷化鎵工藝的功率放大器（PA），成為CMOS工藝通向真正的“單芯片手機(jī)”的最后堡壘。多家初創(chuàng)公司一直致力用CMOSPA替代砷化鎵PA，其中AXIOM已經(jīng)在2G手

消費(fèi)電子
2010-05-28

芯片砷化鎵 CMOS
音頻功率放大器的CMOS電路設(shè)計(jì)

完成了一種橋式連接音頻功率放大器的仿真和設(shè)計(jì)。該音頻功率放大器的主體為橋式連接的兩個(gè)運(yùn)算放大器，使用盡可能小的外部組件提供高質(zhì)量的輸出功率，不需要輸出耦合電容、自舉電容和緩沖網(wǎng)絡(luò)。應(yīng)用Cadence的Spectre模擬仿真工具進(jìn)行電路仿真，得到其電路指標(biāo)如頻響特性、電源電壓抑制比、總諧波失真等均達(dá)到要求。該音頻功率放大器具有良好的市場(chǎng)應(yīng)用前景。

通信技術(shù)
2010-05-27

電路設(shè)計(jì) 音頻功率放大器 BSP CMOS
IMEC與臺(tái)積電進(jìn)行后CMOS合作

IMEC總裁Luc van den Hove表示為了開發(fā)新型的混合工藝技術(shù)(沿著后摩爾定律), 它的研究所決定與臺(tái)積電進(jìn)行合作。盡管IMEC己經(jīng)與諸多先進(jìn)芯片制造廠在CMOS材料與工藝方面進(jìn)行合作, 但是仍需要有大量的創(chuàng)新應(yīng)用來推動(dòng)CM

工業(yè)控制
2010-05-13

臺(tái)積電 OV AN CMOS
用于LED驅(qū)動(dòng)器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計(jì)

0 引言現(xiàn)代便攜式數(shù)碼設(shè)備離不開顯示器，而作為顯示器背光源的白光LED(發(fā)光二極管)在很多方面(比如使用壽命，能耗)都有著優(yōu)于傳統(tǒng)CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamps，冷陰極熒光燈)數(shù)倍甚至數(shù)十倍的性能，所以，由

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-05-10

電荷泵誤差放大器 LED驅(qū)動(dòng)器 CMOS
用于LED驅(qū)動(dòng)器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計(jì)

本文基于對(duì)稱OTA結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)了一款用于低噪聲恒流電荷泵的誤差放大器EA，即在傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上引入了動(dòng)態(tài)頻率補(bǔ)償及彌勒補(bǔ)償。新設(shè)計(jì)的EA不僅降低了輸出波紋及噪聲，而且改善了穩(wěn)定性。從電路分析和仿真結(jié)果可以看到在100 Hz～10 MHz頻率范圍內(nèi)，其增益高達(dá)60 dB，PSRR為65 dB，而CMRR則高達(dá)70 dB，系統(tǒng)達(dá)到了較高的性能。

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2010-05-10

電荷泵誤差放大器 LED驅(qū)動(dòng)器 CMOS
用于LED驅(qū)動(dòng)器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計(jì)

0 引言現(xiàn)代便攜式數(shù)碼設(shè)備離不開顯示器，而作為顯示器背光源的白光LED(發(fā)光二極管)在很多方面(比如使用壽命，能耗)都有著優(yōu)于傳統(tǒng)CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamps，冷陰極熒光燈)數(shù)倍甚至數(shù)十倍的性能，所以，由

線性電源
2010-05-08

電荷泵誤差放大器 LED驅(qū)動(dòng)器 CMOS
用于LED驅(qū)動(dòng)器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計(jì)

0 引言現(xiàn)代便攜式數(shù)碼設(shè)備離不開顯示器，而作為顯示器背光源的白光LED(發(fā)光二極管)在很多方面(比如使用壽命，能耗)都有著優(yōu)于傳統(tǒng)CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamps，冷陰極熒光燈)數(shù)倍甚至數(shù)十倍的性能，所以，由

數(shù)字電源
2010-05-08

電荷泵誤差放大器 LED驅(qū)動(dòng)器 CMOS
用于LED驅(qū)動(dòng)器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計(jì)

本文基于對(duì)稱OTA結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)了一款用于低噪聲恒流電荷泵的誤差放大器EA，即在傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上引入了動(dòng)態(tài)頻率補(bǔ)償及彌勒補(bǔ)償。新設(shè)計(jì)的EA不僅降低了輸出波紋及噪聲，而且改善了穩(wěn)定性。從電路分析和仿真結(jié)果可以看到在100 Hz～10 MHz頻率范圍內(nèi)，其增益高達(dá)60 dB，PSRR為65 dB，而CMRR則高達(dá)70 dB，系統(tǒng)達(dá)到了較高的性能。

線性電源
2010-05-08

電荷泵誤差放大器 LED驅(qū)動(dòng)器 CMOS
用于LED驅(qū)動(dòng)器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計(jì)

本文基于對(duì)稱OTA結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)了一款用于低噪聲恒流電荷泵的誤差放大器EA，即在傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上引入了動(dòng)態(tài)頻率補(bǔ)償及彌勒補(bǔ)償。新設(shè)計(jì)的EA不僅降低了輸出波紋及噪聲，而且改善了穩(wěn)定性。從電路分析和仿真結(jié)果可以看到在100 Hz～10 MHz頻率范圍內(nèi)，其增益高達(dá)60 dB，PSRR為65 dB，而CMRR則高達(dá)70 dB，系統(tǒng)達(dá)到了較高的性能。

數(shù)字電源
2010-05-08

電荷泵誤差放大器 LED驅(qū)動(dòng)器 CMOS

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SILVACO-UMC 0.18um CMOS PDK 通過聯(lián)華電子驗(yàn)證

Qualcomm與SEMATECH簽署合作協(xié)議共同開拓新技術(shù)

0.5um CMOS新型電流反饋放大器的分析與設(shè)計(jì)

邏輯門電路的傳播速度

TTL或CMOS集電極開路輸出的功耗

芯片如何輸入功率

驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載的動(dòng)態(tài)功耗

Imec與臺(tái)積電合作40奈米制程技術(shù)

高線性度設(shè)計(jì)的CMOS調(diào)幅電路技術(shù)

CMOS雙向開關(guān)工作原理

高線性度設(shè)計(jì)的CMOS調(diào)幅電路技術(shù)

CMOS PA陷入成本和性能兩難，“單芯片手機(jī)”夢(mèng)受阻

音頻功率放大器的CMOS電路設(shè)計(jì)

IMEC與臺(tái)積電進(jìn)行后CMOS合作

用于LED驅(qū)動(dòng)器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計(jì)

用于LED驅(qū)動(dòng)器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計(jì)

用于LED驅(qū)動(dòng)器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計(jì)

用于LED驅(qū)動(dòng)器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計(jì)

用于LED驅(qū)動(dòng)器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計(jì)

用于LED驅(qū)動(dòng)器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計(jì)

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