
據(jù)電子工程專輯報(bào)道,惠普實(shí)驗(yàn)室(HP Labs)日前在加州柏克萊(Berkeley)舉行的一場研討會上,介紹了該機(jī)構(gòu)正在研發(fā)中的首款3D憶阻器(memristor)芯片原型。該原型是惠普研究人員Qiangfei Xia將憶阻器縱橫栓(crossbar)內(nèi)
傳統(tǒng)的硅電路雖然速度飛快,但是因?yàn)镃MOS晶圓制程的溫度很高,所以不能放置在軟性聚合物基板上。市面上雖有能將電子元件以低溫印刷到軟性基板上的硅墨水以及有機(jī)電路,但速度總是比不上CMOS。現(xiàn)在,有研究人員聲稱解
11月14日,據(jù)DIGITIMES消息,距離2008年圣誕節(jié)已僅剩下1個(gè)多月,正當(dāng)全球各界多認(rèn)為2008年圣誕節(jié)訂單恐已無望情況下,全球最大手機(jī)CMOS Image Sensor龍頭供應(yīng)商Aptina卻雪中送炭,其全球營銷副總裁Sandor Barna于13日
555引出端真值表:
如圖所示為低成本積分電路。積分器一般都是用運(yùn)算放大器構(gòu)成,但用CMOS反相器CC4069也可構(gòu)成積分器,并且其效果較好,成本非常低。用CMOS門組成積分器是利用它的線性區(qū)具備放大這一特點(diǎn)。電路中R1和R2可以改變,以適
SN75490用來驅(qū)動許多常用的熱敏式印刷頭,內(nèi)含6個(gè)具有共同選通脈沖的與門驅(qū)動器,每個(gè)驅(qū)動器有一個(gè)圖騰柱輸出,標(biāo)定輸出電壓范圍為4.75~3.5V,輸入端與TTL和5V CMOS相容,電源電流容量為30mA。吸收電流容量為50mA
Novaled AG(德國,德累斯頓)通過采用其自主研發(fā)的p型和n型摻雜劑成功地開發(fā)出了基于單層并五苯(Pentacene)半導(dǎo)電層的p型和n型場效應(yīng)管。這項(xiàng)摻雜技術(shù)將促進(jìn)數(shù)字有機(jī)電子的發(fā)展。Novaled表示,當(dāng)前的大多數(shù)開發(fā)都
業(yè)內(nèi)人士稱,AMD曾許諾要在今年第三季度恢復(fù)贏利。人們也許對在過去7個(gè)季度里一直虧損(包括在今年第二季度虧損2.69億美元)而且與英特爾的競爭沒有重大進(jìn)展的AMD恢復(fù)盈利的可能性表示懷疑。但是,業(yè)內(nèi)人士肯定地說,