
3.7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設(shè)計(jì)
比利時(shí)納電子研究中心IMEC日前宣布擴(kuò)建位于魯汶的研究基地,實(shí)驗(yàn)室面積將新增2800平方米,其中包括高端凈化間。擴(kuò)建后,IMEC將加強(qiáng)32nm以下節(jié)點(diǎn)CMOS技術(shù)、低成本高效率太陽能電池和生物電子等技術(shù)的研究。IMEC同時(shí)還
l 引 言 電壓基準(zhǔn)可以在溫度及電源電壓變化環(huán)境中提供穩(wěn)定的參考電壓,被廣泛應(yīng)用于比較器,A/D,D/A轉(zhuǎn)換器,信號處理器等集成電路中。目前已有不少Bipolar工藝和CMOS工藝的電壓基準(zhǔn)應(yīng)用于實(shí)際中,并且獲得了
特瑞仕半導(dǎo)體在日本東京開發(fā)了輸出電流高達(dá)1A、帶自動(dòng)節(jié)能功能的高速CMOS LDO電壓調(diào)整器--XC6220系列產(chǎn)品。XC6220系列是采用高精度、低噪聲、低壓差的CMOS工藝、輸出為1A的大電流式LDO電壓調(diào)整器。內(nèi)置低導(dǎo)通電阻的
O 引言 CMOS圖像傳感器與CCD圖像傳感器相比,具有功耗低、集成度高,便于采用高速的并行讀取體系等優(yōu)點(diǎn),因而在圖像傳感、天文觀測、星敏感器等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。目前圖像采集主要基于PCI總線或其他傳統(tǒng)接串并
放大器作為集成電路的一種重要的組成部分是國內(nèi)外研究的熱點(diǎn)。電壓模式放大器有一個(gè)明顯的缺點(diǎn)就是隨著被處理信號的頻率越來越高,電壓模式電路的固有缺點(diǎn)開始阻礙它在高頻高速環(huán)境中的應(yīng)用。主要由于閉環(huán)增益和閉
采用CMOS技術(shù)提供頻率參考源比采用傳統(tǒng)頻率發(fā)生方法有更多的優(yōu)點(diǎn)。而最近發(fā)布的CMOS時(shí)鐘發(fā)生器主要是針對有線應(yīng)用設(shè)計(jì)的,可以在高頻率下工作、尺寸小和易于集成的優(yōu)點(diǎn)使其能夠非常容易地?cái)U(kuò)展到更加廣泛的無線應(yīng)用中。在有些應(yīng)用中,CMOS振蕩器可以為那些要求嚴(yán)格的產(chǎn)品改善性能;而在另外一些應(yīng)用中,通過它們就能夠設(shè)計(jì)出全新的無線產(chǎn)品且避免使用非半導(dǎo)體器件。
用戶需要更小更便宜的手機(jī),在手持裝置中得到快速服務(wù)和更多功能。這正在促使業(yè)界加速創(chuàng)新解決方案,降低成本使產(chǎn)品盡快上市。這種外加壓力,使制造商重新考慮解決這些問題的技術(shù)?! 」杓夹g(shù)和集成關(guān)鍵元件單元(如RF 收
用戶需要更小更便宜的手機(jī),在手持裝置中得到快速服務(wù)和更多功能。這正在促使業(yè)界加速創(chuàng)新解決方案,降低成本使產(chǎn)品盡快上市。這種外加壓力,使制造商重新考慮解決這些問題的技術(shù)?! 」杓夹g(shù)和集成關(guān)鍵元件單元(如RF 收
3月7日消息,微型投影技術(shù)自從誕生以來,就因?yàn)檫M(jìn)一步化解了人們對于大尺寸畫面的無止境追求和對于便攜設(shè)備的小型化要求之間的矛盾,而被人們津津樂道。作為這一新興領(lǐng)域的巨頭之一,3M的微型投影技術(shù)一直都倍受矚目
從數(shù)十年前被發(fā)明以來,MOS晶體管的尺寸已經(jīng)被大大縮小。門氧化層厚度、通道長度和寬度的降低,推動(dòng)了整體電路尺寸和功耗的大大減少。由于門氧化物厚度的減小,最大可容許電源電壓降低,而通道長度和寬度的縮減則縮小