
設(shè)計(jì)了一款3.7 GHz寬帶CMOS電感電容壓控振蕩器。采用了電容開(kāi)關(guān)的技術(shù)以補(bǔ)償工藝、溫度和電源電壓的變化,并對(duì)片上電感和射頻開(kāi)關(guān)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)以得到最大的Q值。電路采用和艦0.18 μm CMOS混合信號(hào)制造工藝,芯片面積為0.4 mm×1 mm。測(cè)試結(jié)果顯示,芯片的工作頻率為3.4~4 GHz,根據(jù)輸出頻譜得到的相位噪聲為一100 dBc/Hz@1 MHz,在1.8V工作電壓下的功耗為10 mW。測(cè)試結(jié)果表明,該VCO有較大的工作頻率范圍和較低的相位噪聲性能,可以用于鎖相環(huán)和頻率合成器。
3.7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設(shè)計(jì)
比利時(shí)納電子研究中心IMEC日前宣布擴(kuò)建位于魯汶的研究基地,實(shí)驗(yàn)室面積將新增2800平方米,其中包括高端凈化間。擴(kuò)建后,IMEC將加強(qiáng)32nm以下節(jié)點(diǎn)CMOS技術(shù)、低成本高效率太陽(yáng)能電池和生物電子等技術(shù)的研究。IMEC同時(shí)還
l 引 言 電壓基準(zhǔn)可以在溫度及電源電壓變化環(huán)境中提供穩(wěn)定的參考電壓,被廣泛應(yīng)用于比較器,A/D,D/A轉(zhuǎn)換器,信號(hào)處理器等集成電路中。目前已有不少Bipolar工藝和CMOS工藝的電壓基準(zhǔn)應(yīng)用于實(shí)際中,并且獲得了
特瑞仕半導(dǎo)體在日本東京開(kāi)發(fā)了輸出電流高達(dá)1A、帶自動(dòng)節(jié)能功能的高速CMOS LDO電壓調(diào)整器--XC6220系列產(chǎn)品。XC6220系列是采用高精度、低噪聲、低壓差的CMOS工藝、輸出為1A的大電流式LDO電壓調(diào)整器。內(nèi)置低導(dǎo)通電阻的
O 引言 CMOS圖像傳感器與CCD圖像傳感器相比,具有功耗低、集成度高,便于采用高速的并行讀取體系等優(yōu)點(diǎn),因而在圖像傳感、天文觀測(cè)、星敏感器等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。目前圖像采集主要基于PCI總線或其他傳統(tǒng)接串并
放大器作為集成電路的一種重要的組成部分是國(guó)內(nèi)外研究的熱點(diǎn)。電壓模式放大器有一個(gè)明顯的缺點(diǎn)就是隨著被處理信號(hào)的頻率越來(lái)越高,電壓模式電路的固有缺點(diǎn)開(kāi)始阻礙它在高頻高速環(huán)境中的應(yīng)用。主要由于閉環(huán)增益和閉
采用CMOS技術(shù)提供頻率參考源比采用傳統(tǒng)頻率發(fā)生方法有更多的優(yōu)點(diǎn)。而最近發(fā)布的CMOS時(shí)鐘發(fā)生器主要是針對(duì)有線應(yīng)用設(shè)計(jì)的,可以在高頻率下工作、尺寸小和易于集成的優(yōu)點(diǎn)使其能夠非常容易地?cái)U(kuò)展到更加廣泛的無(wú)線應(yīng)用中。在有些應(yīng)用中,CMOS振蕩器可以為那些要求嚴(yán)格的產(chǎn)品改善性能;而在另外一些應(yīng)用中,通過(guò)它們就能夠設(shè)計(jì)出全新的無(wú)線產(chǎn)品且避免使用非半導(dǎo)體器件。
用戶需要更小更便宜的手機(jī),在手持裝置中得到快速服務(wù)和更多功能。這正在促使業(yè)界加速創(chuàng)新解決方案,降低成本使產(chǎn)品盡快上市。這種外加壓力,使制造商重新考慮解決這些問(wèn)題的技術(shù)。 硅技術(shù)和集成關(guān)鍵元件單元(如RF 收
用戶需要更小更便宜的手機(jī),在手持裝置中得到快速服務(wù)和更多功能。這正在促使業(yè)界加速創(chuàng)新解決方案,降低成本使產(chǎn)品盡快上市。這種外加壓力,使制造商重新考慮解決這些問(wèn)題的技術(shù)?! 」杓夹g(shù)和集成關(guān)鍵元件單元(如RF 收
3月7日消息,微型投影技術(shù)自從誕生以來(lái),就因?yàn)檫M(jìn)一步化解了人們對(duì)于大尺寸畫面的無(wú)止境追求和對(duì)于便攜設(shè)備的小型化要求之間的矛盾,而被人們津津樂(lè)道。作為這一新興領(lǐng)域的巨頭之一,3M的微型投影技術(shù)一直都倍受矚目