CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

基于CMOS閾值電壓的基準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)

摘要：在數(shù)／?；旌霞呻娐吩O(shè)計(jì)中電壓基準(zhǔn)是重要的模塊之一。針對(duì)傳統(tǒng)電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓易受電源電壓和溫度影響的缺點(diǎn)，提出一種新的設(shè)計(jì)方案，電路中不使用雙極晶體管，利用PMOS和NMOS的閾值電壓產(chǎn)生兩個(gè)獨(dú)立于電

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2009-07-06

電路設(shè)計(jì) 閾值電壓 CMOS 基準(zhǔn)電路
集成電路發(fā)展哲理

半導(dǎo)體技術(shù)極其豐富多彩，身陷其景，會(huì)有“不識(shí)廬山真面目，只緣身在此山中”的感觸。為此，既要“近賞細(xì)微”，又要“臨空瀏覽”，以期從中領(lǐng)悟到一些哲理。　　本演講根據(jù)半導(dǎo)體技術(shù)“由簡(jiǎn)入繁”、又“化繁為簡(jiǎn)”的

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2009-07-05

集成電路器件 BSP CMOS
高清視頻CMOS電流舵數(shù)／模轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

摘要：高清晰電視(HDTV)和無線通信網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展，對(duì)轉(zhuǎn)換器速度和精度提出了更高的要求?；谛滦蛡鬏旈T(TG) 結(jié)構(gòu)組成的電流源單元矩陣和譯碼邏輯電路，提出一種適用于高清晰視頻使用的高速8位CMOS電流舵數(shù)／模轉(zhuǎn)換器(

消費(fèi)電子
2009-07-03

轉(zhuǎn)換器電流高清視頻 CMOS
基于電流折疊技術(shù)的CMOS全差分VCO設(shè)計(jì)

摘要：針對(duì)目前通信系統(tǒng)應(yīng)用上對(duì)壓控振蕩器的片上集成、寬調(diào)諧、調(diào)幅、啟動(dòng)特性和功耗等提出的綜合性要求，分析和設(shè)計(jì)了一種壓控調(diào)頻調(diào)幅振蕩器，其延遲單元采用全差分結(jié)構(gòu)，以消除共模噪聲和增加延遲控制的靈活性

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2009-07-03

控制單元電流 BSP CMOS
新款±15V高精度CMOS模擬復(fù)用器（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出兩款為數(shù)據(jù)采集、工業(yè)過程控制、測(cè)試和測(cè)量以及醫(yī)療系統(tǒng)里的±15V高精度、低噪聲信號(hào)開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化的復(fù)用器 --- 8通道的DG508B和4通道的DG509B。8通道的DG508B和4通

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2009-06-26

模擬 Vishay 復(fù)用器 CMOS
臺(tái)積電MEMS苦練7年 2010年將進(jìn)入收成期

style="padding: 0px 8px; line-height: 24px;"> 臺(tái)積電在MEMS領(lǐng)域歷經(jīng)7年苦練后，與客戶關(guān)系由接受指導(dǎo)，轉(zhuǎn)變成共同合作開發(fā)，臺(tái)積電主流技術(shù)事業(yè)發(fā)展處處長劉信生自信表示，臺(tái)積電MEMS將迎頭趕上國際IDM廠商腳步，

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2009-06-25

臺(tái)積電 MEMS BSP CMOS
一種基于真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器的擴(kuò)展頻譜CMOS振蕩器的設(shè)計(jì)

采用恒流源充放電技術(shù)，以比較器為核心，利用一種新型真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器產(chǎn)生隨機(jī)控制信號(hào)，設(shè)計(jì)一種基于0.5μm CMOS工藝的擴(kuò)展頻譜振蕩器，振蕩頻率在1～1.6 MHz的范圍內(nèi)。通過Cadence spectre仿真工具對(duì)電路進(jìn)行仿真驗(yàn)證，結(jié)果表明，該方案能夠在1～1.6 MHz的范圍內(nèi)產(chǎn)生隨機(jī)振蕩信號(hào)。該振蕩器可以用于改善DC／DC轉(zhuǎn)換器的噪聲性能。

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2009-06-24

振蕩器隨機(jī)數(shù)發(fā)生器 D觸發(fā)器 CMOS
臺(tái)積電MEMS苦練7年　2010年進(jìn)入收成期

臺(tái)積電在MEMS領(lǐng)域歷經(jīng)7年苦練后，與客戶關(guān)系由接受指導(dǎo)，轉(zhuǎn)變成共同合作開發(fā)，臺(tái)積電主流技術(shù)事業(yè)發(fā)展處處長劉信生自信表示，臺(tái)積電MEMS將迎頭趕上國際IDM廠商腳步，相信2010年臺(tái)積電MEMS將進(jìn)入收成期。劉信生在出席

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2009-06-24

晶圓代工臺(tái)積電 MEMS CMOS
ADI發(fā)表18款全新低功率ADC

美商亞德諾公司（Analog Devices）14日正式發(fā)表18款極具電源效率，解析度範(fàn)圍從10到16位元的類比數(shù)位轉(zhuǎn)換器（ADC）。ADI的全新ADC乃是以對(duì)於電力需求極為敏感的通訊、工業(yè)、可攜式電子裝置、以及儀器設(shè)備等為對(duì)象所設(shè)

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2009-06-20

低功率 ADC ADI CMOS
東芝NEC與IBM合作共同開發(fā)28納米CMOS芯片

東芝NEC與IBM合作共同開發(fā)28納米CMOS芯片

嵌入式動(dòng)態(tài)
2009-06-17

IBM 東芝 NEC CMOS
世界首個(gè)商用硅基CMOS光子半導(dǎo)體制造工藝投產(chǎn)

世界領(lǐng)先的硅基CMOS光子集成廠商Luxtera今天宣布,經(jīng)過與飛思卡爾半導(dǎo)體公司多年的密切合作，利用后者的制造資源，實(shí)現(xiàn)了世界首個(gè)商用級(jí)硅基CMOS光子半導(dǎo)體制造工藝的投產(chǎn)。 CMOS光子 Luxtera 硅基CMOS 光子集成

半導(dǎo)體
2009-06-07

光子制造工藝硅基 CMOS
超低中頻CMOS下混頻器的設(shè)計(jì)

摘要：低中頻架構(gòu)由于其鏡像抑制能力強(qiáng)，易于集成等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用于接收機(jī)的設(shè)計(jì)中?；祛l器作為接收機(jī)的重要模塊之一，它的主要作用是完成頻率轉(zhuǎn)換，其性能對(duì)接收機(jī)有很大的影響。設(shè)計(jì)了一個(gè)工作于GSM 850頻帶的

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2009-05-22

中頻 BSP KHZ CMOS
亞利桑那州大學(xué)與德州大學(xué)成功開發(fā)CMOS柔性晶體管

近日，亞利桑那州大學(xué)柔性顯示器中心(Flexible Display Center)與德州大學(xué)達(dá)拉斯分校聯(lián)合宣布已成功在柔性塑膠基板(Flexible Plastic Substrate) 制作CMOS電路系統(tǒng).這項(xiàng)成功的開發(fā)將促進(jìn)柔性電子應(yīng)用。新的塑料CMOS

消費(fèi)電子
2009-05-19

晶體管柔性電子 FLEXIBLE CMOS
ST與Soitec合作開發(fā)下一代CMOS影像傳感器技術(shù)

近日，意法半導(dǎo)體（ST）與世界領(lǐng)先的工程基板供應(yīng)商Soitec，宣布兩家公司簽訂一項(xiàng)排他性合作協(xié)議。根據(jù)此協(xié)議，兩家公司將合作開發(fā)300毫米晶圓級(jí)背光（BSI）技術(shù)，制造用于消費(fèi)電子產(chǎn)品中的下一代影像傳感器。當(dāng)今的

消費(fèi)電子
2009-05-15

影像傳感器傳感器技術(shù) TE CMOS
意法半導(dǎo)體和Soitec聯(lián)手開發(fā)新一代CMOS圖像感測(cè)器技術(shù)

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司和全球CMOS影像技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)商意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics)(STM) 和世界領(lǐng)先的工程基板供應(yīng)商Soitec今天公布了兩家公司之間一項(xiàng)獨(dú)家合作，以便於為消費(fèi)電子產(chǎn)品的新一代圖像感測(cè)器開發(fā) 300mm 晶

顯示光電
2009-05-15

感測(cè)器意法半導(dǎo)體 TE CMOS
ST與Soitec合作開發(fā)CMOS影像傳感器技術(shù)

意法半導(dǎo)體（ST）與工程基板供應(yīng)商Soitec，宣布兩家公司簽訂一項(xiàng)排他性合作協(xié)議。根據(jù)此協(xié)議，兩家公司將合作開發(fā)300毫米晶圓級(jí)背光（BSI）技術(shù)，制造用于消費(fèi)電子產(chǎn)品中的下一代影像傳感器。當(dāng)今的前沿影像傳感器技

工業(yè)控制
2009-05-14

影像傳感器傳感器技術(shù) TE CMOS
思源科技與聯(lián)華電子提供65奈米PDK支持客制芯片設(shè)計(jì)

近日，思源科技與聯(lián)華電子共同宣布，將提供已通過晶圓專工驗(yàn)證的LakerTM制程設(shè)計(jì)套件（PDK）予聯(lián)華電子65奈米制程技術(shù)使用。這項(xiàng)由雙方共同合作發(fā)展的PDK，是為了滿足雙方共同客戶在特殊設(shè)計(jì)與尖端制程上的需求。雙

消費(fèi)電子
2009-04-30

芯片設(shè)計(jì) 聯(lián)華電子 PD CMOS
思源科技與聯(lián)華電子合作推出65nm制程設(shè)計(jì)套件

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化領(lǐng)導(dǎo)廠商思源科技與聯(lián)華電子共同宣布，即日起將提供已通過晶圓專工驗(yàn)證的Laker制程設(shè)計(jì)套件（PDK）予聯(lián)華電子65奈米制程技術(shù)使用。這項(xiàng)由雙方共同合作發(fā)展的PDK，是為了滿足雙方共同客戶在特殊設(shè)計(jì)與尖

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2009-04-29

聯(lián)華電子 PD 65NM CMOS
3．7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設(shè)計(jì)

設(shè)計(jì)了一款3．7 GHz寬帶CMOS電感電容壓控振蕩器。采用了電容開關(guān)的技術(shù)以補(bǔ)償工藝、溫度和電源電壓的變化，并對(duì)片上電感和射頻開關(guān)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)以得到最大的Q值。電路采用和艦0．18 μm CMOS混合信號(hào)制造工藝，芯片面積為0．4 mm×1 mm。測(cè)試結(jié)果顯示，芯片的工作頻率為3．4~4 GHz，根據(jù)輸出頻譜得到的相位噪聲為一100 dBc／Hz@1 MHz，在1．8V工作電壓下的功耗為10 mW。測(cè)試結(jié)果表明，該VCO有較大的工作頻率范圍和較低的相位噪聲性能，可以用于鎖相環(huán)和頻率合成器。

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2009-04-20

寬帶 BSP HZ CMOS

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CMOS

基于CMOS閾值電壓的基準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)

集成電路發(fā)展哲理

高清視頻CMOS電流舵數(shù)／模轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

基于電流折疊技術(shù)的CMOS全差分VCO設(shè)計(jì)

新款±15V高精度CMOS模擬復(fù)用器（Vishay）

臺(tái)積電MEMS苦練7年 2010年將進(jìn)入收成期

一種基于真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器的擴(kuò)展頻譜CMOS振蕩器的設(shè)計(jì)

臺(tái)積電MEMS苦練7年　2010年進(jìn)入收成期

ADI發(fā)表18款全新低功率ADC

東芝NEC與IBM合作共同開發(fā)28納米CMOS芯片

世界首個(gè)商用硅基CMOS光子半導(dǎo)體制造工藝投產(chǎn)

超低中頻CMOS下混頻器的設(shè)計(jì)

亞利桑那州大學(xué)與德州大學(xué)成功開發(fā)CMOS柔性晶體管

ST與Soitec合作開發(fā)下一代CMOS影像傳感器技術(shù)

意法半導(dǎo)體和Soitec聯(lián)手開發(fā)新一代CMOS圖像感測(cè)器技術(shù)

ST與Soitec合作開發(fā)CMOS影像傳感器技術(shù)

思源科技與聯(lián)華電子提供65奈米PDK支持客制芯片設(shè)計(jì)

思源科技與聯(lián)華電子合作推出65nm制程設(shè)計(jì)套件

3．7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設(shè)計(jì)

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