DDR4今年年底抵達(dá)PC

DDR4作為DDR3 DRAM的繼承者，Micron本周一宣布明年將有望和大家見(jiàn)面，被應(yīng)用在普通PC上。據(jù)澳大利亞的Techworld報(bào)道，公司已經(jīng)為發(fā)售初始版本的內(nèi)存DDR4做好準(zhǔn)備。DDR3作為目前主流電腦的不二選擇，相比較即將來(lái)臨的

美光宣布首個(gè)DDR4內(nèi)存模組研發(fā)完成

美光宣布首個(gè)DDR4內(nèi)存模組研發(fā)完成

DDR3沒(méi)錢(qián)賺了：三星敦促I(mǎi)ntel盡快支持DDR4

業(yè)內(nèi)消息稱(chēng)，三星電子正努力勸說(shuō)Intel盡快推出支持DDR4內(nèi)存的新平臺(tái)，因?yàn)槟壳斑^(guò)低的價(jià)格導(dǎo)致DDR3已經(jīng)基本無(wú)利可圖。根據(jù)此前消息，Intel要到至少2014年才會(huì)在企業(yè)級(jí)服務(wù)器平臺(tái)Haswell-EX上首次支持DDR4，而在桌面上

Intel計(jì)劃2014年開(kāi)始支持DDR4

DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會(huì)急匆匆地到來(lái)。最新消息顯示，DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務(wù)器領(lǐng)域，然后再過(guò)一年半左右才進(jìn)入桌面。據(jù)悉，Intel的再下代企業(yè)級(jí)服務(wù)器平臺(tái)Haswell-EX將會(huì)第一個(gè)整合DDR4內(nèi)存

英特爾Haswell-EX CPU將支持DDR4

4月6日，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，似乎消費(fèi)者對(duì)于英特爾公司目前的成就并不滿(mǎn)意，他們所關(guān)心的是該公司對(duì)于未來(lái)的規(guī)劃，例如從現(xiàn)在起兩年內(nèi)的產(chǎn)品計(jì)劃。據(jù)了解內(nèi)情的人士透露，英特爾公司目前所研發(fā)的一種產(chǎn)品將會(huì)讓喜歡高存

英特爾計(jì)劃2014年開(kāi)始支持DDR4

DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會(huì)急匆匆地到來(lái)。最新消息顯示，DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務(wù)器領(lǐng)域，然后再過(guò)一年半左右才進(jìn)入桌面。據(jù)悉，Intel的再下代企業(yè)級(jí)服務(wù)器平臺(tái)Haswell-EX將會(huì)第一個(gè)整合DDR4內(nèi)存

英特爾計(jì)劃2014年開(kāi)始支持DDR4

DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會(huì)急匆匆地到來(lái)。最新消息顯示，DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務(wù)器領(lǐng)域，然后再過(guò)一年半左右才進(jìn)入桌面。據(jù)悉，Intel的再下代企業(yè)級(jí)服務(wù)器平臺(tái)Haswell-EX將會(huì)第一個(gè)整合DDR4內(nèi)存

DDR4早著呢：Intel 2014年才會(huì)支持

DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范已經(jīng)基本制定完成，三星、海力士等也早都陸續(xù)完成了樣品，但因?yàn)镈DR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會(huì)急匆匆地到來(lái)。最新消息顯示，DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務(wù)器領(lǐng)域，然后再過(guò)一年半左右

美光提出3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

美光科技表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。美光將此標(biāo)準(zhǔn)提案稱(chēng)為“3DS”——不是任天堂的新掌機(jī)，而是&ldq

美光3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

美光科技今天表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。美光將此標(biāo)準(zhǔn)提案稱(chēng)為“3DS”——不是任天堂的新掌機(jī)，而是

美光3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

美光科技今天表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。美光將此標(biāo)準(zhǔn)提案稱(chēng)為“3DS”，也即“三維堆疊”(three-dimensional stacking)。

美光3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

美光科技表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。美光將此標(biāo)準(zhǔn)提案稱(chēng)為“3DS”，也即“三維堆疊”(three-dimensi

性能絕對(duì)過(guò)剩？DDR4內(nèi)存發(fā)展技術(shù)解析

DDR4：末路黃花or發(fā)展契機(jī)？我們知道現(xiàn)在DDR3內(nèi)存逐步發(fā)展，已經(jīng)成為目前主流的選擇，而且現(xiàn)在性能最高也達(dá)到了DDR3-2133，明年DDR4內(nèi)存將會(huì)出現(xiàn)，預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)傳輸率將會(huì)從1600起跳，可以達(dá)到4266的水平，是DDR3的兩倍。

DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)關(guān)鍵屬性大公開(kāi)：電壓僅1.2V

JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)今天公布了DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中的部分關(guān)鍵屬性，并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，相比于DDR3取得重大性能提升，同時(shí)繼續(xù)降低功耗。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)宣稱(chēng)，DDR4將具備一系列創(chuàng)新特性

DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)關(guān)鍵屬性大公開(kāi)：電壓僅1.2V

JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)日前公布了DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中的部分關(guān)鍵屬性，并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，相比于DDR3取得重大性能提升，同時(shí)繼續(xù)降低功耗。 JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)宣稱(chēng)，DDR4將具備一系列創(chuàng)新特性

三星DDR4內(nèi)存芯片速度提升一倍 2012年投產(chǎn)

三星電子星期二稱(chēng)，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了一種新的計(jì)算機(jī)內(nèi)存模塊，讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的速度是上一代內(nèi)存芯片的一倍。三星電子在聲明中稱(chēng)，它將在2012年開(kāi)始使用30納米級(jí)的技術(shù)生產(chǎn)這種新的DDR4 DRAM內(nèi)存模塊。目前DRAM內(nèi)存行業(yè)的主流

三星首推DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存

三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開(kāi)發(fā)，并采用30nm級(jí)工藝制造了首批樣品。 時(shí)至今日，DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDIMM類(lèi)型，容量為2GB，運(yùn)行電壓只有1.2

DDR4 DRAM內(nèi)存芯片速度將提升一倍

三星電子星期二稱(chēng)，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了一種新的計(jì)算機(jī)內(nèi)存模塊，讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的速度是上一代內(nèi)存芯片的一倍。三星電子在聲明中稱(chēng)，它將在2012年開(kāi)始使用30納米級(jí)的技術(shù)生產(chǎn)這種新的DDR4 DRAM內(nèi)存模塊。目前DRAM內(nèi)存行業(yè)的主流

Altera推出 DDR400 SDRAM DIMM接口