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安捷倫推出ADS DDR4一致性測試平臺 解決仿真－測量關聯(lián)挑戰(zhàn)
21ic訊 安捷倫科技公司(NYSE: A)日前推出ADS先進設計系統(tǒng) DDR4 一致性測試平臺，為工程師提供從仿真設計到測量原型產(chǎn)品的完整工作流程。無論是開發(fā) DDR 控制器 IP 的半導體公司、開發(fā) DRAM 芯片和 DIMM 的存儲器廠商
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JEDEC固態(tài)技術協(xié)會發(fā)布DDR4存儲器標準
【導讀】微電子產(chǎn)業(yè)標準機構(gòu)JEDEC固態(tài)技術協(xié)會發(fā)布廣為業(yè)界期待的DDR4內(nèi)存標準。JEDEC DDR4 (JESD79-4) 內(nèi)存標準的制定旨在提高性能與可靠性的同時降低功耗。因此，相較于此前的DRAM內(nèi)存技術，DDR4代表著實質(zhì)性的進步
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美光高端DDR4內(nèi)存來了 狂飆3000MHz！
雖然支持DDR4內(nèi)存的Haswell-E還不見任何蹤影，但內(nèi)存廠商們早就等不及了，從今年初就開始發(fā)布各種規(guī)格的DDR4內(nèi)存，但初期的規(guī)格均不是特別好看，直到美光Eallistix Elite的出現(xiàn)。美光Eallistix Elite DDR4內(nèi)存隸屬于
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威剛將推DDR4超頻記憶體模組
隨著2014年臺北國際電腦展（Computex）6月3日登場，記憶體模組大廠威剛科技（3260）將于現(xiàn)場中盛大展出首款自行研發(fā)的工業(yè)用固態(tài)硬碟（SSD）全方位解決方案、及全系列最新款SSD產(chǎn)品。同場也將展出領先業(yè)界的DDR4超頻
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Cadence宣布推出基于臺積電16納米FinFET制程DDR4 PHY IP
Cadence設計系統(tǒng)公司近日宣布，立即推出基于臺積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY IP(知識產(chǎn)權)。16納米技術與Cadence創(chuàng)新的架構(gòu)相結(jié)合，可幫助客戶達到DDR4標準的最高性能，亦即達到3200Mbps的級別，相比之下，目前無
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Cadence宣布推出基于臺積電16納米FinFET制程DDR4 PHY IP
21ic訊—2014年5月20日，全球電子設計創(chuàng)新領先企業(yè)Cadence設計系統(tǒng)公司(NASDAQ: CDNS)今天宣布，立即推出基于臺積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY IP(知識產(chǎn)權)。16納米技術與Cadence創(chuàng)新的架構(gòu)相結(jié)合，可幫助客戶
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安捷倫科技推出最新BGA 內(nèi)插器結(jié)合業(yè)界速度最快的邏輯分析儀進行 DDR4 設計探測
安捷倫科技公司日前宣布推出兩款內(nèi)插器解決方案，可結(jié)合邏輯分析儀用于測試 DDR4 和 DDR3 DRAM 設計。這兩款內(nèi)插器解決方案均能快速且精確地捕獲地址、命令和數(shù)據(jù)信號，以進行設計調(diào)試和驗證測量。Agilent W4633A B
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英特爾六代Skylake處理器：普及14nm/DDR4
近期，英特爾公司在新加坡成功舉辦英特爾解決方案峰會（Intel Solution Summit），再次介紹Haswell Refresh、Haswell Refresh K、Pentium K等新品發(fā)布計劃，同時英特爾第六代Skylake處理器也揭曉將于20
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英特爾下代處理器曝圖：12核心、DDR4內(nèi)存
上周六，CPU-Z 1.69.2曝光英特爾Haswell-E處理器，原生支持DDR4內(nèi)存。據(jù)國外CPUWorld網(wǎng)站介紹，目前首顆英特爾Haswell-EP處理器已經(jīng)泄露?，F(xiàn)在國外ebay網(wǎng)站已開始拍賣這顆新U，采用12核心設計、原生支持
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微芯推出用于DDR4 SDRAM模塊的4 Kb串行存在檢測EEPROM器件
Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布推出新一代4 Kb I2C™ 串行存在檢測(Serial Presence Detect，簡稱SPD)EEPROM器件34AA04。新器件專門設計用于支持高速PC和筆記本電腦中的新一代雙倍數(shù)據(jù)數(shù)率
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DDR4內(nèi)存竟然還能這么矮
DDR4內(nèi)存終于全面開花結(jié)果了。嵌入式存儲廠商Virtium今天也推出了他們的DDR4產(chǎn)品，而且非常特殊，首次采用了ULP超小型規(guī)格，高度只有區(qū)區(qū)17.8毫米(0.7英寸)。DDR4 DIMM內(nèi)存的標準高度為31.25毫米，稍稍高于DDR3 30.3
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來自海力士，首款單條128G DDR4內(nèi)存登場
在宣布首款單條64GB DDR4內(nèi)存之后，SK海力士（SK Hynix）又在今日發(fā)布了全球首款單條容量高達128GB的DDR4內(nèi)存。和之前的64GB DDR4內(nèi)存一樣，這款容量達到128GB的DDR4產(chǎn)品使用了自家的8Gb(1GB) DDR4內(nèi)存
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對抗威剛：美光DDR4大規(guī)模投產(chǎn)
威剛今天早些時候正式宣布了他們的首批DDR4內(nèi)存產(chǎn)品，美光也不甘示弱，宣布其DDR4內(nèi)存已經(jīng)大規(guī)模投產(chǎn)，并在逐步提高產(chǎn)量。 美光表示，目前量產(chǎn)的是4Gb DDR4內(nèi)存顆粒，標準頻率為2133MHz，并特別與Intel
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Micron宣布加大DDR4模塊的產(chǎn)量
先進內(nèi)存及企業(yè)數(shù)據(jù)中心和高性能應用存儲解決方案領先供應商Micron Technology, Inc., 今日宣布其正逐步加大DDR4存儲器的產(chǎn)量以支持即將發(fā)布的Intel(R) CPU。DDR4技術的性能改進及功耗降低是日益增長的企業(yè)計算市場十
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泰克推出面向DDR4、DDR3和DDR3L內(nèi)存的實時一致性分析儀
中國 北京，2013年10月24日 –測試、測量及監(jiān)測儀器的全球領導廠商—泰克公司日前宣布，推出實時內(nèi)存執(zhí)行驗證解決方案，以提供針對JEDEC DDR4、DDR3和DDR3L內(nèi)存
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英特爾發(fā)布八核桌面處理器：首款支持DDR4內(nèi)存
英特爾宣布了它的第一款八核桌面處理器，第一款支持DDR4內(nèi)存的桌面平臺。不過DIY用戶可能要失望了，新的處理器使用了全新的接口，不支持現(xiàn)有的主板。新的"Extreme Edition" Core i7處理器是基于Haswell
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下世代DDR4 DRAM 功能更強
在英特爾下一代處理器將支援新世代記憶體DDR4 DRAM下，包括三星、美光及海力士及相關模組廠，近期也相繼導入DDR4 DRAM試產(chǎn)行動，業(yè)者強調(diào)，DDR 4 DRAM因功耗低，運算速度更
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AMD下代APU曝光：原生DDR4、挖掘機架構(gòu)
今年一月份起，AMD Kaveri APU處理器已經(jīng)開賣，具體品牌采用A系列命名方式。同時，預計2015年上市的AMD下代Carrizo APU也浮出水面，更多新特性已提前曝光，包括原生支持DDR4內(nèi)存，升級至挖掘機架構(gòu)。 據(jù)
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Teledyne LeCroy提供了新的288腳的DDR4內(nèi)插器
2014年1月29日——Teledyne LeCroy（力科），世界高速I/O分析和協(xié)議測試方案的領導者，升級了其Kibra 480 DDR協(xié)議分析儀平臺，使其帶有JEDEC的新288腳的邊沿連接器的DDR4內(nèi)存模塊的探測選件。新的內(nèi)插器支持DDR4 U-D
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Teledyne LeCroy提供了新的288腳的DDR4內(nèi)插器
日前，Teledyne LeCroy(力科)，世界高速I/O分析和協(xié)議測試方案的領導者，升級了其Kibra 480 DDR協(xié)議分析儀平臺，使其帶有JEDEC的新288腳的邊沿連接器的DDR4內(nèi)存模塊的探測選件。新的內(nèi)插器支持DDR4 U-DIMM，R-DIMM
