DDR4

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三星成為全球首家量產(chǎn)10nm級(jí)內(nèi)存的公司

三星電子3月5日宣布，已經(jīng)在全球范圍內(nèi)第一家實(shí)現(xiàn)了10nm級(jí)別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn)，也是繼2014年首個(gè)量產(chǎn)20nm DDR3內(nèi)存顆粒后的又一壯舉。三星沒(méi)有披露新工藝的具體數(shù)字，只是模糊地稱(chēng)之為10nm級(jí)別或者1xnm，

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2016-04-07

10nm ddr4 三星
Rambus搖身變芯片設(shè)計(jì)廠商新產(chǎn)品將帶動(dòng)轉(zhuǎn)型

就在很多人即將遺忘Rambus這個(gè)名字的時(shí)候，其突然高調(diào)回歸，而且還一改以往的授權(quán)模式，開(kāi)始推出實(shí)體產(chǎn)品。

21ic專(zhuān)訪
2015-09-30

芯片設(shè)計(jì) RAM CD DDR4
是德科技推出全球最小的針對(duì) DDR4 x16 設(shè)計(jì)的邏輯分析儀 BGA 內(nèi)插器探測(cè)解決方案

2015 年 8月13日，北京——是德科技公司(NYSE：KEYS)日前宣布推出配合邏輯分析儀執(zhí)行 DDR4 x16 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)設(shè)計(jì)測(cè)試的全新 BGA(球形柵格陣列)內(nèi)插器解決方案。借助Keysight W4636ADDR4 x16

測(cè)試測(cè)量
2015-08-17

工程師是德科技邏輯分析儀 DDR4
是德科技推出全球最小邏輯分析儀BGA內(nèi)插器探測(cè)解決方案

是德科技公司日前宣布推出配合邏輯分析儀執(zhí)行 DDR4 x16 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)設(shè)計(jì)測(cè)試的全新 BGA(球形柵格陣列)內(nèi)插器解決方案。借助 Keysight W4636ADDR4 x16 BGA 內(nèi)插器解決方案，工程師能夠快速且精確地捕獲地

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2015-08-14

工程師是德科技邏輯分析儀 DDR4
是德科技推出全球最小的針對(duì)DDR4 x16設(shè)計(jì)的邏輯分析儀BGA內(nèi)插器探測(cè)解決方案

是德科技公司(NYSE：KEYS)日前宣布推出配合邏輯分析儀執(zhí)行 DDR4 x16 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)設(shè)計(jì)測(cè)試的全新 BGA(球形柵格陣列)內(nèi)插器解決方案。借助 Keysight W4636ADDR4 x16 BGA 內(nèi)插器解決方案，工程師能夠快速且精確地捕獲地址、命令信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)子集，以完成高達(dá) 2400Mb/s 的設(shè)計(jì)調(diào)試和功能驗(yàn)證測(cè)量。

測(cè)試測(cè)量
2015-08-13

工程師是德科技邏輯分析儀 DDR4
Altera演示FPGA中業(yè)界性能最好的DDR4存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)速率

21ic訊 Altera公司近日宣布，在硅片中演示了DDR4存儲(chǔ)器接口，其工作速率是業(yè)界最高的2,666Mbps。Altera的Arria 10 FPGA和SoC是目前業(yè)界唯一能夠支持這一速率DDR4存儲(chǔ)器的FP

嵌入式動(dòng)態(tài)
2014-12-19

Altera FPGA 存儲(chǔ)器數(shù)據(jù) DDR4
UltraScale架構(gòu)DDR4 SDRAM接口的秘密

Adrian Cosoroaba和Terry Magee在本月MemCon上給出了關(guān)于DDR4 SDRAM接口的詳細(xì)展示，該演示應(yīng)用于賽靈思UltraScale All Programmable FPGA上。接口設(shè)計(jì)將DDR SDRAM提升至2400Mbps甚至以上，同時(shí)降低接口功耗。為了達(dá)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2014-11-24

接口 SDRAM DDR4 ULTRASCALE
揚(yáng)帆起航 DRAM新一代DDR4踏上征程

歷經(jīng)六年的開(kāi)發(fā)時(shí)間，DDR4終于踏上征程，揚(yáng)帆起航。近日英特爾服務(wù)器處理器Xeon E5-2600系列，正式推出采用Haswell新運(yùn)算架構(gòu)的第三代產(chǎn)品Xeon E5-2600 v3，開(kāi)始支持時(shí)鐘頻

嵌入式硬件
2014-11-19

DRAM 英特爾 DDR4 DDR3
三星量產(chǎn)全球首款20納米8Gb DDR4服務(wù)器用DRAM

三星電子今日宣布已開(kāi)始量產(chǎn)全球首款20納米8Gb DDR4企業(yè)級(jí)服務(wù)器用DRAM。今年下半年適用于DDR4的服務(wù)器中央處理器已經(jīng)上市，此時(shí)量產(chǎn)該款DRAM產(chǎn)品將推動(dòng)高端服務(wù)器市場(chǎng)從DDR3向DDR4的轉(zhuǎn)換?；?0納米8Gb DDR4的服

單片機(jī)
2014-10-22

DRAM GB DDR4 三星
歷時(shí)六年 DRAM新一代DDR4開(kāi)啟征程

歷經(jīng)六年的開(kāi)發(fā)時(shí)間，DDR4終于踏上征程，揚(yáng)帆起航。近日英特爾服務(wù)器處理器Xeon E5-2600系列，正式推出采用Haswell新運(yùn)算架構(gòu)的第三代產(chǎn)品Xeon E5-2600 v3，開(kāi)始支持時(shí)鐘頻

嵌入式硬件
2014-10-10

DRAM 英特爾 DDR4 DDR3
DDR4、NAND Flash存儲(chǔ)器芯片發(fā)展趨勢(shì)

轉(zhuǎn)自臺(tái)灣digitimes的消息，DDR4以前瞻性的高傳輸速率、低功耗與更大記憶容量，在2014年下半將導(dǎo)入英特爾工作站/伺服器以及高端桌上型電腦平臺(tái)，并與LP-DDR3存儲(chǔ)器將同時(shí)存在一段時(shí)間;至于NAND Flash快閃存儲(chǔ)器也跨

單片機(jī)
2014-09-29

存儲(chǔ)器芯片 NAND DDR4 FLASH存儲(chǔ)器
是德科技推出用于 Infiniium 系列示波器的 DDR4 BGA 內(nèi)插器

21ic訊是德科技公司日前宣布推出用于 Infiniium 系列示波器的 DDR4 球形柵格陣列(BGA)內(nèi)插器探測(cè)解決方案。DDR4 BGA 探頭與示波器結(jié)合使用，可以讓工程師調(diào)試和表征他們的 DDR4 內(nèi)存設(shè)計(jì)，以及驗(yàn)證器件與 JEDEC D

測(cè)試測(cè)量
2014-09-17

示波器是德科技 DDR4 INFIN
單條最高64GB！三星量產(chǎn)DDR4內(nèi)存

韓國(guó)三星電子今天正式宣布，目前已經(jīng)開(kāi)始正式量產(chǎn)全球首款采用3D TSV立體硅穿孔封裝技術(shù)打造的DDR4內(nèi)存條，單條容量高達(dá)64GB。該DDR4內(nèi)存采用三星自家先進(jìn)的2xnm工藝，所采用的TSV技術(shù)，是一種穿透硅晶

智能硬件
2014-09-12

內(nèi)存 GB DDR4 三星
影馳HOF系列DDR4內(nèi)存問(wèn)世

高大上的新一代Haswell-E旗艦桌面處理器和X99主板都已經(jīng)登場(chǎng)一星期了，與此同時(shí)也帶來(lái)了一大波DDR4內(nèi)存，這次可能會(huì)讓你吃驚，因?yàn)闊衢T(mén)硬件廠商影馳也將要推出HOF系列DDR4內(nèi)存。其實(shí)影馳在年中的Comput

智能硬件
2014-09-09

內(nèi)存影馳 DDR4 HZ
英特爾發(fā)布Xeon E5 v3處理器：支持DDR4內(nèi)存

在IDF14前夕，英特爾正式發(fā)布全新的服務(wù)器處理器產(chǎn)品E5 v3，雖然看上去這只是一次例行公事的升級(jí)，但這對(duì)于英特爾繼續(xù)鞏固目前的服務(wù)器市場(chǎng)無(wú)疑是有益的。另外E5 v3針對(duì)軟件定義SDI進(jìn)行優(yōu)化，可以進(jìn)行更

智能硬件
2014-09-09

英特爾內(nèi)存處理器 DDR4
支持DDR4內(nèi)存！英特爾發(fā)布Xeon E5 v3處理器

在IDF14前夕，英特爾正式發(fā)布全新的服務(wù)器處理器產(chǎn)品E5 v3，雖然看上去這只是一次例行公事的升級(jí)，但這對(duì)于英特爾繼續(xù)鞏固目前的服務(wù)器市場(chǎng)無(wú)疑是有益的。另外E5 v3針對(duì)軟件定義SDI進(jìn)行優(yōu)化，可以進(jìn)行更智能的資源調(diào)

智能硬件
2014-09-09

英特爾內(nèi)存處理器 DDR4
DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)關(guān)鍵屬性大公開(kāi)：電壓僅1.2V

JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)今天公布了DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中的部分關(guān)鍵屬性，并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，相比于DDR3取得重大性能提升，同時(shí)繼續(xù)降低功耗。JEDEC固態(tài)

嵌入式硬件
2014-08-17

內(nèi)存電壓 DDR4 DDR3
AgigA Tech公司推出業(yè)界首款DDR4 NVDIMM

21ic訊領(lǐng)先市場(chǎng)的高速、高容量、無(wú)需電池的非易失性存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商，賽普拉斯半導(dǎo)體公司的子公司 AgigA Tech公司日前宣布，開(kāi)始向主要OEM和開(kāi)發(fā)合作伙伴提供業(yè)界首款DDR4 非易失性 DIMM (NVDIMM)的樣品。AGIGA

智能硬件
2014-08-11

DRAM TE DDR4 DDR3
三星宣布完成第一款DDR4內(nèi)存開(kāi)發(fā)樣品

三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開(kāi)發(fā)，并采用30nm級(jí)工藝制造了首批樣品。時(shí)至今日，DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDI

嵌入式硬件
2014-08-03

內(nèi)存 DDR4 HZ 三星
Molex更新DDR4 DIMM插座提供多種改進(jìn)

21ic訊 Molex公司現(xiàn)推出DDR4 DIMM插座產(chǎn)品，具有氣動(dòng)及標(biāo)準(zhǔn)兩種型款，為設(shè)計(jì)工程師提供更多的選項(xiàng)和更高的性能，同時(shí)保持成本競(jìng)爭(zhēng)力。氣動(dòng)插座產(chǎn)品具有通孔端接類(lèi)型和流線型的鎖閂及外殼, 提供更好的氣流及節(jié)省空間

智能硬件
2014-07-31

PCB 插座 DDR4 MOLEX

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DDR4

三星成為全球首家量產(chǎn)10nm級(jí)內(nèi)存的公司

Rambus搖身變芯片設(shè)計(jì)廠商新產(chǎn)品將帶動(dòng)轉(zhuǎn)型

是德科技推出全球最小的針對(duì) DDR4 x16 設(shè)計(jì)的邏輯分析儀 BGA 內(nèi)插器探測(cè)解決方案

是德科技推出全球最小邏輯分析儀BGA內(nèi)插器探測(cè)解決方案

是德科技推出全球最小的針對(duì)DDR4 x16設(shè)計(jì)的邏輯分析儀BGA內(nèi)插器探測(cè)解決方案

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UltraScale架構(gòu)DDR4 SDRAM接口的秘密

揚(yáng)帆起航 DRAM新一代DDR4踏上征程

三星量產(chǎn)全球首款20納米8Gb DDR4服務(wù)器用DRAM

歷時(shí)六年 DRAM新一代DDR4開(kāi)啟征程

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英特爾發(fā)布Xeon E5 v3處理器：支持DDR4內(nèi)存

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