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Intel至強線路圖曝光 Skylake將用14nm制程
國外媒體最近曝出了一張Intel至強(Xeon)處理器產品發(fā)布線路圖，這張線路圖表明Intel正在籌備Skylake架構的芯片產品。Skylake將是目前尚未發(fā)布的Broadwell平臺的繼任者，這一平臺預計也得幾年之后才會和用戶見面，搭載
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Intel Skylake平臺將采用14nm制程 并支持DDR4/PCIe 4
國外媒體最近曝出了一張Intel至強(Xeon)處理器產品發(fā)布線路圖，這張線路圖表明Intel正在籌備Skylake架構的芯片產品。Skylake將是目前尚未發(fā)布的Broadwell平臺的繼任者，這一平臺預計也得幾年之后才會和用戶見面，搭載
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DDR4內存樣品開始出貨
Innodisk(宜鼎國際)一家并不太大的DRAM、NAND獨立供應商，但他們卻宣布已經開始向服務器廠商出貨自己的DDR4 RDIMM內存條樣品。這是在沒有自主DRAM制造能力的廠商中，為數不多能做到這一點的。Innodisk并未透露自己出
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消費級DDR4內存條第一次露面，下邊竟是彎的！
海力士、三星等過去兩年曾經陸續(xù)展示過自己的DDR4內存樣品，但都是企業(yè)級的UDIMM、RDIMM?，F在，美光旗下品牌Crucial終于拿出了去年五月份就預告過的第一款消費級DDR4 DIMM內存條。 該內存條屬于Crucia
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第一款消費級DDR4內存條浮出水面 弧形設計
海力士、三星等過去兩年曾經陸續(xù)展示過自己的DDR4內存樣品，但都是企業(yè)級的UDIMM、RDIMM?，F在，美光旗下品牌Crucial終于拿出了去年五月份就預告過的第一款消費級DDR4 DIMM內存條。該內存條屬于Crucial Ballistix系列
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展望2013年存儲行業(yè)：創(chuàng)新不斷煥發(fā)正能量
DDR3內存給行業(yè)注入正能量 2012年是近年內存行業(yè)最為輝煌的一年，內存顆粒制造工藝全面推薦到30nm，DDR3內存提高頻率到1600MHz，同時8GB DDR3內存進入普及。不但廠家從里面獲利，廣大網友們也樂在其中，形成真正的雙
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ARM服務器炸彈：A15 16核心、支持DDR4
ARM距離服務器越來越近了！今天，ARM宣布了新一代緩存一致性網絡“CoreLink CCN-504”，這套高性能的服務器系統(tǒng)IP號稱可以滿足未來10-15年的海量數據和高效網絡架構需求。 該網路基于AMBA 4 ACE規(guī)范和C
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ARM服務器炸彈！A15 16核心、支持DDR4
ARM距離服務器越來越近了！今天，ARM宣布了新一代緩存一致性網絡“CoreLink CCN-504”，這套高性能的服務器系統(tǒng)IP號稱可以滿足未來10-15年的海量數據和高效網絡架構需求。該網路基于AMBA 4 ACE規(guī)范和Corte
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DDR4內存可以快速發(fā)展嗎？
我們知道現在DDR3內存逐步發(fā)展，已經成為目前主流的選擇，而且現在性能最高也達到了DDR3-2133，明年DDR4內存將會出現，預計數據傳輸率將會從1600起跳，可以達到4266的水平，是DDR3的兩倍。在很多人看來，內存已經很少
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Synopsys DesignWare DDR4存儲器接口IP實現擴充
新思科技公司（Synopsys, Inc.）日前宣布：其DesignWare DDR接口IP產品組合已經實現擴充，以使其包括了對基于新興的DDR4標準的下一代SDRAM。通過在一個單內核中就實現對DDR4、DDR3以及LPDDR2/3的支持，DesignWare DD
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Synopsys發(fā)布DesignWare DDR4存儲器接口IP
21ic訊 新思科技公司(Synopsys, Inc)日前宣布：其DesignWare DDR接口IP產品組合已經實現擴充，以使其包括了對基于新興的DDR4標準的下一代SDRAM。通過在一個單內核中就實現對DDR4、DDR3以及LPDDR2/3的支持，DesignWa
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Cadence世界上首款28nm工藝DDR4內存控制器試驗成功
Cadence Design Systems周一宣布，該公司自有知識產權的DDR4內存物理層及內存控制器電路已經在TSMC 28nm(28nm HPM及28nm HP)工藝下試驗成功，這將是世界上第一款28nm工藝的DDR4內存控制器。 Cadence公司產品部門、S
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首個DDR4 IP設計解決方案在28納米級芯片上獲驗證
全球電子設計創(chuàng)新領先企業(yè)Cadence設計系統(tǒng)公司(Cadence Design Systems, Inc.)日前宣布，Cadence DDR4 SDRAM PHY 和存儲控制器Design IP的首批產品在TSMC的28HPM和28HP技術工藝上通過硅驗證。為了擴大在動態(tài)隨機存取
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首個DDR4 IP設計方案在28納米級芯片上獲驗證
首個DDR4 IP設計方案在28納米級芯片上獲驗證
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英特爾對于DDR4在DRAM市場中的騰飛非常關鍵
據IHS iSuppli公司的DRAM動態(tài)簡報，雖然DDR4將在今后幾年內得到更加廣泛的采用，但芯片巨頭英特爾的支持力度將是決定DDR4能否在DRAM領域獲得成功的關鍵變數。考慮到2011年出貨量為零，今年出貨量預計只占總體DRAM領域
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英特爾對于DDR4在DRAM市場中的騰飛將非常關鍵
據IHS iSuppli公司的DRAM動態(tài)簡報，雖然DDR4將在今后幾年內得到更加廣泛的采用，但芯片巨頭英特爾的支持力度將是決定DDR4能否在DRAM領域獲得成功的關鍵變數。考慮到2011年出貨量為零，今年出貨量預計只占總體DRAM領域
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三星推首款30納米級服務器模塊
半導體廠商三星電子近日宣布將推出全球首款30納米級4GB DDR4服務器DRAM模塊。三星電子繼2010年12月成功研發(fā)出業(yè)內首款30納米級2GB DDR4模塊后，又在今年6月針對CPU廠商及控制器廠商推出了高性能16GB和8GB的DDR4 RDIM
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三星：業(yè)界首個單條16GB DDR4內存已經搞定
三星電子今日宣布，該公司已成為業(yè)內首個成功試產16GB DDR4內存模組的廠商。此次亮相的這一產品為RDIMM形式，面向企業(yè)級服務器市場。 目前三星采用的生產制程工藝為30nm級別，6月試產的樣品包括單條8GB
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GDDR6顯存啟動 2014年到來
GDDR5顯存已經成為中高端獨立顯卡的標配，頻率也在不斷拔高，現在動不動就上6GHz。很自然地你也應該能想到，下一代GDDR6悄然已經啟動了。GDDR6的標準制定工作由JEDEC負責，而其中占據主導地位的還是AMD。事實上，GDD
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Haswell-EP細節(jié)：四通道DDR4、14核心？
經常爆料Intel未來產品技術細節(jié)的國內網友“Bigpao007”近日又抖摟出了Intel Haswell-EP Xeon處理器的不少資料，這也是該平臺第一次流露出如此多的詳細內幕。之前我們就已經知道，Intel準備在Haswell-EP、
