DRAM

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DRAM時(shí)代或?qū)⒔K結(jié) MRAM新技術(shù)耗電量僅為前者三分之一

21ic電子網(wǎng)訊：據(jù)科技博客CNET報(bào)道，來自日本和美國的20多家芯片開發(fā)和制造企業(yè)組成研發(fā)聯(lián)盟，宣布未來將共同致力于下一代“磁隨機(jī)存取存儲器”（MRAM）存儲技術(shù)研發(fā)。多家廠商聯(lián)合加大MRAM存儲技術(shù)推廣及

消費(fèi)電子
2013-12-01

DRAM 電量存儲技術(shù) CHEMICAL
日美20家芯片公司聯(lián)手：MRAM要革DRAM的命？

據(jù)CNET引《日經(jīng)新聞》報(bào)道，日本、美國的20多家芯片公司組成研發(fā)聯(lián)盟，將共同開發(fā)下一代“磁隨機(jī)存取存儲器”（MRAM），有望替代目前的存儲方案——DRAM（動態(tài)隨機(jī)存儲）。包括東京電子（Tokyo Electron）、信越化學(xué)

消費(fèi)電子
2013-11-27

芯片 DRAM 存儲技術(shù) CHEMICAL
臺灣液晶面板壓力大：曝險(xiǎn)4000億

面板供過于求，債務(wù)壓力龐大，臺灣財(cái)政部長張盛和18日表示，公股行庫目前對面板曝險(xiǎn)合計(jì)約4000億元，他也透露，有面板廠為緩解債務(wù)壓力確實(shí)找上公股行庫擬以債換股，不過未獲同意。他呼吁，面板廠應(yīng)趕緊思考如何與大

顯示光電
2013-11-26

面板廠液晶面板 DRAM
日美聯(lián)合研發(fā)MRAM新技術(shù)：DRAM時(shí)代或?qū)⒔K結(jié)

近日消息，據(jù)科技博客CNET報(bào)道，來自日本和美國的20多家芯片開發(fā)和制造企業(yè)組成研發(fā)聯(lián)盟，宣布未來將共同致力于下一代“磁隨機(jī)存取存儲器”(MRAM)存儲技術(shù)研發(fā)。多家廠商聯(lián)合加大MRAM存儲技術(shù)推廣及應(yīng)用，

智能硬件
2013-11-25

存儲市場 DRAM 存儲技術(shù) CHEMICAL
第四季終端需求旺季不旺，11月上旬NAND Flash合約價(jià)下跌5-7%

根據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，第四季各項(xiàng)NAND Flash終端需求確立旺季不旺，加上廠商庫存水位依舊偏高，采購意愿薄弱，因此11月上旬合約價(jià)較10月下旬下跌5%-7%。從供給面來

消費(fèi)電子
2013-11-21

Flash 終端 NAND DRAM
移動存儲器Q3營收持續(xù)回升

訊：市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，受惠第3季智能手機(jī)出貨升溫，以及SK海力士無錫廠火災(zāi)影響，所有移動存儲器（Mobile DRAM）產(chǎn)品線當(dāng)季價(jià)格下跌幅度均有收斂。第3季營收總值達(dá)到

半導(dǎo)體
2013-11-20

移動存儲存儲器美光 DRAM
巴克萊：DRAM供需轉(zhuǎn)穩(wěn) 長期結(jié)構(gòu)看好

巴克萊資本證券昨(19)日指出，DRAM產(chǎn)業(yè)明年上半年料有季節(jié)性波動，但卻不影響長期供需逐漸轉(zhuǎn)趨穩(wěn)定的趨勢，且DRAM產(chǎn)業(yè)長期結(jié)構(gòu)看好，巴克萊點(diǎn)名華亞科、群聯(lián)、力成等3檔個(gè)股，投資評等分別為「加碼」、「中立」、「減

半導(dǎo)體
2013-11-20

NI PC DRAM
需求疲軟 NAND合約價(jià)或跌至年底

市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，第4季各項(xiàng)NAND Flash終端需求確立旺季不旺，加上廠商庫存水位依舊偏高，采購意愿薄弱，因此11月上旬合約價(jià)較10月下旬下跌5~7％，NAND Flash合約價(jià)

半導(dǎo)體
2013-11-20

Flash NAND SK海力士 DRAM
NAND合約價(jià) 恐一路跌到年底

　市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，第4季各項(xiàng)NAND Flash終端需求確立旺季不旺，加上廠商庫存水位依舊偏高，采購意愿薄弱，因此11月上旬合約價(jià)較10月下旬下跌5~7％，NAND Flash合約價(jià)至今

半導(dǎo)體
2013-11-20

Flash NAND SK海力士 DRAM
移動存儲器占比一路升 Q3已達(dá)3成以上

　市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，受惠第3季智能型手機(jī)出貨升溫，以及SK海力士無錫廠火災(zāi)影響，所有行動式存儲器（Mobile DRAM）產(chǎn)品線當(dāng)季價(jià)格下跌幅度均有收斂。第3季營收總值達(dá)到約

半導(dǎo)體
2013-11-20

移動存儲存儲器美光 DRAM
三中全會解讀中國半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展

三中全會全文中與電子行業(yè)直接有關(guān)的內(nèi)容包括:1)“推進(jìn)應(yīng)用型技術(shù)研發(fā)機(jī)構(gòu)市場化、企業(yè)化改革”,2)整合科技規(guī)劃和資源,完善政府對基礎(chǔ)性、戰(zhàn)略性、前沿性科學(xué)研究和共性技術(shù)研究的支持機(jī)制。我們認(rèn)為,中國

半導(dǎo)體
2013-11-19

芯片制造半導(dǎo)體行業(yè) 中國半導(dǎo)體 DRAM
中國半導(dǎo)體行業(yè)或迎來整體性的機(jī)會

三中全會全文中與電子行業(yè)直接有關(guān)的內(nèi)容包括:1)“推進(jìn)應(yīng)用型技術(shù)研發(fā)機(jī)構(gòu)市場化、企業(yè)化改革”,2)整合科技規(guī)劃和資源,完善政府對基礎(chǔ)性、戰(zhàn)略性、前沿性科學(xué)研究和共性技術(shù)研究的支持機(jī)制。我們

半導(dǎo)體
2013-11-19

芯片制造半導(dǎo)體行業(yè) 中國半導(dǎo)體 DRAM
旺季不旺 11月上旬NAND Flash合約價(jià)跌5-7％

根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，第四季各項(xiàng)NAND Flash終端需求確立旺季不旺，加上廠商庫存水位依舊偏高，11月上旬合約價(jià)較10月下旬下跌5%-7%。從供給面來看，SK海力士無錫廠九

半導(dǎo)體
2013-11-19

Flash NAND TREND DRAM
海力士看好無錫DRAM廠10納米未來增資25億美元

韓國SK海力士株式會社15日無錫新區(qū)簽署協(xié)議,將投資25億美元實(shí)施五期技術(shù)升級項(xiàng)目。SK海力士半導(dǎo)體(中國)有限公司自2005年4月在無錫新區(qū)建設(shè)以來,已成為國內(nèi)產(chǎn)能最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè),投資由20億美元增至80.55億

半導(dǎo)體
2013-11-19

半導(dǎo)體納米級海力士 DRAM
應(yīng)用材料公司發(fā)布2013財(cái)年第四季度及全年財(cái)務(wù)報(bào)告

預(yù)計(jì)2014財(cái)年第一季度半導(dǎo)體產(chǎn)品訂單及凈銷售額將實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁增長第四季度訂單額環(huán)比增加5%至20.9億美元，主要得益于半導(dǎo)體產(chǎn)品訂單增加16%第四季度非GAAP每股盈余為19美分，位于財(cái)測區(qū)間上緣；GAAP每股盈余為15美分201

半導(dǎo)體
2013-11-19

半導(dǎo)體應(yīng)用材料公司平板顯示 DRAM
國泰君安：中國半導(dǎo)體行業(yè)或迎來整體性機(jī)會

本報(bào)告導(dǎo)讀：三種全會細(xì)則公布，我們認(rèn)為中國半導(dǎo)體行業(yè)未來5年可能迎來整體性的大機(jī)會。摘要：三中全會全文中與電子行業(yè)直接有關(guān)的內(nèi)容包括：1）“推進(jìn)應(yīng)用型技術(shù)研發(fā)機(jī)構(gòu)市場化、企業(yè)化改革”，2）整合科

半導(dǎo)體
2013-11-18

芯片制造半導(dǎo)體行業(yè) 中國半導(dǎo)體 DRAM
面板雙虎明年要還千億債

群創(chuàng)、友達(dá)未來一年內(nèi)合計(jì)需償還逾千億元債務(wù)，資金需求大。由于面板供過于求壓力未解、業(yè)者無力在資本市場找新資金，市場傳出，友達(dá)董事長李焜耀日前拜訪行政院經(jīng)建會主委管中閔，希望國發(fā)基金協(xié)助；群創(chuàng)則尚無動作

半導(dǎo)體
2013-11-18

面板廠聯(lián)想 DRAM
爾必達(dá)前社長：曾與優(yōu)秀的技術(shù)人員一道夢想成為世界第一

坂本幸雄統(tǒng)率日本唯一一家DRAM廠商——爾必達(dá)存儲器走過了近11年的歷程，其自上而下的經(jīng)營方式一直備受關(guān)注。爾必達(dá)最終于2012年2月破產(chǎn)，作為“讓爾必達(dá)倒閉的人”，坂本飽嘗了落魄苦澀，現(xiàn)在距離那時(shí)已經(jīng)過去一年零

半導(dǎo)體
2013-11-18

半導(dǎo)體移動爾必達(dá) DRAM
DRAMeXchange:韓企領(lǐng)跑第三季度全球DRAM市場

據(jù)媒體報(bào)道，市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange13日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，今年第三季度三星電子、SK海力士等韓國企業(yè)的DRAM銷售額達(dá)61.01億美元，全球市場份額比第二季度上升5個(gè)百分點(diǎn)，達(dá)到67.7%。其中，三星電子DRAM銷售額為3

半導(dǎo)體
2013-11-15

三星電子 SK海力士 EXCHANGE DRAM
IEK:海力士火災(zāi)事件有助臺DRAM廠獲利看好

SK海力士無錫廠9月一場大火吹皺記憶體產(chǎn)業(yè)一池漣漪，工研院IEK ITIS計(jì)畫分析指出，由于海力士無錫廠半數(shù)產(chǎn)能受影響，估計(jì)約需要6-9個(gè)月才能完全恢復(fù)，供給的短缺會推升DRAM價(jià)格，包括華亞科(3474)、南科(2408)等記憶

半導(dǎo)體
2013-11-15

海力士 SK海力士 APPLE DRAM

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DRAM時(shí)代或?qū)⒔K結(jié) MRAM新技術(shù)耗電量僅為前者三分之一

日美20家芯片公司聯(lián)手：MRAM要革DRAM的命？

臺灣液晶面板壓力大：曝險(xiǎn)4000億

日美聯(lián)合研發(fā)MRAM新技術(shù)：DRAM時(shí)代或?qū)⒔K結(jié)

第四季終端需求旺季不旺，11月上旬NAND Flash合約價(jià)下跌5-7%

移動存儲器Q3營收持續(xù)回升

巴克萊：DRAM供需轉(zhuǎn)穩(wěn) 長期結(jié)構(gòu)看好

需求疲軟 NAND合約價(jià)或跌至年底

NAND合約價(jià) 恐一路跌到年底

移動存儲器占比一路升 Q3已達(dá)3成以上

三中全會解讀中國半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展

中國半導(dǎo)體行業(yè)或迎來整體性的機(jī)會

旺季不旺 11月上旬NAND Flash合約價(jià)跌5-7％

海力士看好無錫DRAM廠10納米未來增資25億美元

應(yīng)用材料公司發(fā)布2013財(cái)年第四季度及全年財(cái)務(wù)報(bào)告

國泰君安：中國半導(dǎo)體行業(yè)或迎來整體性機(jī)會

面板雙虎明年要還千億債

爾必達(dá)前社長：曾與優(yōu)秀的技術(shù)人員一道夢想成為世界第一

DRAMeXchange:韓企領(lǐng)跑第三季度全球DRAM市場

IEK:海力士火災(zāi)事件有助臺DRAM廠獲利看好

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