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中國IC公司進軍美國市場攻略
大多數(shù)中國廠商還是以國內(nèi)市場為主，但也有越來越多的中國廠商開始涉足全球市場。美國EE Times前主編吉田順子從另一個角度來看中國IC廠商的競爭力，探討了他們在美國市場的機會。從蘋果說開去自2007年推出iPhone以后
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英特爾稱14納米工藝將于2013年底之前投產(chǎn)
據(jù)臺灣媒體報道，英特爾已經(jīng)宣布CPU和SoC的生產(chǎn)工藝將在2013年底升級到14納米制程，并從2015年開始10納米及更低制程的工藝研發(fā)。英特爾高級副總裁Mark Bohr在舊金山召開的英特爾開發(fā)者論壇大會（IDF）上展示了一張關
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IDF：英特爾預計將于2013年年底之前進入14nm時代
英特爾公司在最近召開的英特爾信息技術峰會(IDF)上表示，他們將在2013年年底之前進入14nm時代。目前，英特爾的22nm工藝技術已經(jīng)相當成熟，它大量用于Haswell處理器的生產(chǎn)線上。據(jù)悉，在公司內(nèi)部代號分別為P1272以及P
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IDF：英特爾預計將于2013年年底之前進入14nm時代
英特爾公司在最近召開的英特爾信息技術峰會(IDF)上表示，他們將在2013年年底之前進入14nm時代。目前，英特爾的22nm工藝技術已經(jīng)相當成熟，它大量用于Haswell處理器的生產(chǎn)線上。據(jù)悉，在公司內(nèi)部代號分別為P1272以及P
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太陽能發(fā)電將不再依賴補貼
2012年9月10日高科技產(chǎn)業(yè)整合解決方案供應商Manz宣布其在CIGS薄膜太陽能領域取得巨大的技術進展。通過整合CIGS薄膜太陽能模塊生產(chǎn)線，Manz CIGSfab創(chuàng)造了薄膜技術的新世界紀錄：大規(guī)模生產(chǎn)的太陽能電池板其實際量
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太陽能發(fā)電將不再依賴補貼
2012年9月10日高科技產(chǎn)業(yè)整合解決方案供應商Manz宣布其在CIGS薄膜太陽能領域取得巨大的技術進展。通過整合CIGS薄膜太陽能模塊生產(chǎn)線，Manz CIGSfab創(chuàng)造了薄膜技術的新世界紀錄：大規(guī)模生產(chǎn)的太陽能電池板其實際量
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《SEMICON》全球首座18吋Fab 今年12月就緒
SEMICON 2012今(7日)舉辦450mm(18吋) 晶圓供應鏈論壇，由臺積電 (2330)處長林進祥說明目前全球450mm(18吋晶圓)聯(lián)盟針對18吋晶圓的推展狀況。他指出，全球450mm聯(lián)盟希望在2015-2016年間建立18吋晶圓的IC試產(chǎn)線。而若依
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加快Fab-lite腳步富士通半導體出脫封測廠
日本半導體整合元件制造商(IDM)正積極轉(zhuǎn)型。繼瑞薩電子(Renesas Electronics)大舉調(diào)整制造策略后，富士通半導體(Fujitsu Semiconductor)也宣布，將其全資子公司FIM(Fujitsu Integrated Microtechnology)旗下的宮城廠
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臺積電稱28nm芯片良品率超80% 產(chǎn)能可滿足需求
臺積電可謂是全球芯片代工行業(yè)的老大級人物，不過每次制造工藝的提升都會帶來一次良品率不足或是產(chǎn)能不足的情況。當年堪稱大雷45nm制造工藝將AMD/NVIDIA急的團團轉(zhuǎn)。在進入28nm時代之后，其產(chǎn)能不足更是飽受詬病。臺
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臺積電稱28nm芯片良品率超80% 產(chǎn)能可滿足需求
臺積電可謂是全球芯片代工行業(yè)的老大級人物，不過每次制造工藝的提升都會帶來一次良品率不足或是產(chǎn)能不足的情況。當年堪稱大雷45nm制造工藝將AMD/NVIDIA急的團團轉(zhuǎn)。在進入28nm時代之后，其產(chǎn)能不足更是飽受詬病。臺
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臺積電稱28nm芯片良品率超80% 產(chǎn)能可滿足需求
臺積電可謂是全球芯片代工行業(yè)的老大級人物，不過每次制造工藝的提升都會帶來一次良品率不足或是產(chǎn)能不足的情況。當年堪稱大雷45nm制造工藝將AMD/NVIDIA急的團團轉(zhuǎn)。在進入28nm時代之后，其產(chǎn)能不足更是飽受詬病。臺
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臺積電稱28nm芯片良品率超80% 產(chǎn)能可滿足需求
臺積電可謂是全球芯片代工行業(yè)的老大級人物，不過每次制造工藝的提升都會帶來一次良品率不足或是產(chǎn)能不足的情況。當年堪稱大雷45nm制造工藝將AMD/NVIDIA急的團團轉(zhuǎn)。在進入28nm時代之后，其產(chǎn)能不足更是飽受詬病。臺
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臺積電稱28nm芯片良品率超80% 產(chǎn)能可滿足需求
臺積電可謂是全球芯片代工行業(yè)的老大級人物，不過每次制造工藝的提升都會帶來一次良品率不足或是產(chǎn)能不足的情況。當年堪稱大雷45nm制造工藝將AMD/NVIDIA急的團團轉(zhuǎn)。在進入28nm時代之后，其產(chǎn)能不足更是飽受詬病。
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聯(lián)電解散UMC Japan，Q3/Q4將認列業(yè)外虧損
聯(lián)電 (2303)今(21日)董事會通過，為整合制造資源并降低營運成本，決議結束日本晶圓制造業(yè)務，解散并清算直接持有100%股份之子公司UMC Japan。聯(lián)電表示，因解散清算所認列資產(chǎn)減損的業(yè)外損失，多會于今年第3、第4季認
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臺積28納米產(chǎn)能 季增3倍
晶圓代工龍頭臺積電力拚28納米擴產(chǎn)，隨著良率拉升到8成以上，及中科12寸廠Fab15新產(chǎn)能大量開出，本季已安裝產(chǎn)能（installedcapacity）較上季大增3倍，為第4季營運淡季不淡埋下伏筆。臺積電上半年投入超過36億美元資本
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臺積28納米產(chǎn)能 季增3倍
晶圓代工龍頭臺積電力拚28納米擴產(chǎn)，隨著良率拉升到8成以上，及中科12寸廠Fab15新產(chǎn)能大量開出，本季已安裝產(chǎn)能（installed capacity）較上季大增3倍，為第4季營運淡季不淡埋下伏筆。 臺積電上半年投入超過36億美
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臺積砸830億 強攻20納米
晶圓代工龍頭臺積電昨（14）日董事會核準約830億元資本預算用以建置、擴充先進制程廠房。除了28納米產(chǎn)能持續(xù)擴充，這次的投資預算更是因應20納米提早量產(chǎn)而卡位，顯示大廠先進制程投資未受景氣回檔而停歇。 臺積電的
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臺積砸830億 強攻20納米
晶圓代工龍頭臺積電昨（14）日董事會核準約830億元資本預算用以建置、擴充先進制程廠房。除了28納米產(chǎn)能持續(xù)擴充，這次的投資預算更是因應20納米提早量產(chǎn)而卡位，顯示大廠先進制程投資未受景氣回檔而停歇。 臺積電
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臺積砸830億 強攻20納米
臺積砸830億 強攻20納米
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聯(lián)電FAB 12A第3、4期廠房獲美LEED綠建筑認證
聯(lián)電于30日宣布，其位于臺南科學園區(qū)Fab12A廠第3、4期新建廠房已通過美國綠建筑協(xié)會(USGreenBuildingCouncil,USGBC)綠建筑評估系統(tǒng)審查，獲得「前瞻能源與環(huán)境設計–新建工程類」(LeadershipinEnergyandEnvironmenta
