-
中國(guó)IC公司進(jìn)軍美國(guó)市場(chǎng)攻略
大多數(shù)中國(guó)廠商還是以國(guó)內(nèi)市場(chǎng)為主，但也有越來(lái)越多的中國(guó)廠商開(kāi)始涉足全球市場(chǎng)。美國(guó)EE Times前主編吉田順子從另一個(gè)角度來(lái)看中國(guó)IC廠商的競(jìng)爭(zhēng)力，探討了他們?cè)诿绹?guó)市場(chǎng)的機(jī)會(huì)。從蘋(píng)果說(shuō)開(kāi)去自2007年推出iPhone以后
-
英特爾稱(chēng)14納米工藝將于2013年底之前投產(chǎn)
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，英特爾已經(jīng)宣布CPU和SoC的生產(chǎn)工藝將在2013年底升級(jí)到14納米制程，并從2015年開(kāi)始10納米及更低制程的工藝研發(fā)。英特爾高級(jí)副總裁Mark Bohr在舊金山召開(kāi)的英特爾開(kāi)發(fā)者論壇大會(huì)（IDF）上展示了一張關(guān)
-
IDF：英特爾預(yù)計(jì)將于2013年年底之前進(jìn)入14nm時(shí)代
英特爾公司在最近召開(kāi)的英特爾信息技術(shù)峰會(huì)(IDF)上表示，他們將在2013年年底之前進(jìn)入14nm時(shí)代。目前，英特爾的22nm工藝技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟，它大量用于Haswell處理器的生產(chǎn)線上。據(jù)悉，在公司內(nèi)部代號(hào)分別為P1272以及P
-
IDF：英特爾預(yù)計(jì)將于2013年年底之前進(jìn)入14nm時(shí)代
英特爾公司在最近召開(kāi)的英特爾信息技術(shù)峰會(huì)(IDF)上表示，他們將在2013年年底之前進(jìn)入14nm時(shí)代。目前，英特爾的22nm工藝技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟，它大量用于Haswell處理器的生產(chǎn)線上。據(jù)悉，在公司內(nèi)部代號(hào)分別為P1272以及P
-
太陽(yáng)能發(fā)電將不再依賴(lài)補(bǔ)貼
2012年9月10日高科技產(chǎn)業(yè)整合解決方案供應(yīng)商Manz宣布其在CIGS薄膜太陽(yáng)能領(lǐng)域取得巨大的技術(shù)進(jìn)展。通過(guò)整合CIGS薄膜太陽(yáng)能模塊生產(chǎn)線，Manz CIGSfab創(chuàng)造了薄膜技術(shù)的新世界紀(jì)錄：大規(guī)模生產(chǎn)的太陽(yáng)能電池板其實(shí)際量
-
太陽(yáng)能發(fā)電將不再依賴(lài)補(bǔ)貼
2012年9月10日高科技產(chǎn)業(yè)整合解決方案供應(yīng)商Manz宣布其在CIGS薄膜太陽(yáng)能領(lǐng)域取得巨大的技術(shù)進(jìn)展。通過(guò)整合CIGS薄膜太陽(yáng)能模塊生產(chǎn)線，Manz CIGSfab創(chuàng)造了薄膜技術(shù)的新世界紀(jì)錄：大規(guī)模生產(chǎn)的太陽(yáng)能電池板其實(shí)際量
-
《SEMICON》全球首座18吋Fab 今年12月就緒
SEMICON 2012今(7日)舉辦450mm(18吋) 晶圓供應(yīng)鏈論壇，由臺(tái)積電 (2330)處長(zhǎng)林進(jìn)祥說(shuō)明目前全球450mm(18吋晶圓)聯(lián)盟針對(duì)18吋晶圓的推展?fàn)顩r。他指出，全球450mm聯(lián)盟希望在2015-2016年間建立18吋晶圓的IC試產(chǎn)線。而若依
-
加快Fab-lite腳步富士通半導(dǎo)體出脫封測(cè)廠
日本半導(dǎo)體整合元件制造商(IDM)正積極轉(zhuǎn)型。繼瑞薩電子(Renesas Electronics)大舉調(diào)整制造策略后，富士通半導(dǎo)體(Fujitsu Semiconductor)也宣布，將其全資子公司FIM(Fujitsu Integrated Microtechnology)旗下的宮城廠
-
臺(tái)積電稱(chēng)28nm芯片良品率超80% 產(chǎn)能可滿(mǎn)足需求
臺(tái)積電可謂是全球芯片代工行業(yè)的老大級(jí)人物，不過(guò)每次制造工藝的提升都會(huì)帶來(lái)一次良品率不足或是產(chǎn)能不足的情況。當(dāng)年堪稱(chēng)大雷45nm制造工藝將AMD/NVIDIA急的團(tuán)團(tuán)轉(zhuǎn)。在進(jìn)入28nm時(shí)代之后，其產(chǎn)能不足更是飽受詬病。臺(tái)
-
臺(tái)積電稱(chēng)28nm芯片良品率超80% 產(chǎn)能可滿(mǎn)足需求
臺(tái)積電可謂是全球芯片代工行業(yè)的老大級(jí)人物，不過(guò)每次制造工藝的提升都會(huì)帶來(lái)一次良品率不足或是產(chǎn)能不足的情況。當(dāng)年堪稱(chēng)大雷45nm制造工藝將AMD/NVIDIA急的團(tuán)團(tuán)轉(zhuǎn)。在進(jìn)入28nm時(shí)代之后，其產(chǎn)能不足更是飽受詬病。臺(tái)
-
臺(tái)積電稱(chēng)28nm芯片良品率超80% 產(chǎn)能可滿(mǎn)足需求
臺(tái)積電可謂是全球芯片代工行業(yè)的老大級(jí)人物，不過(guò)每次制造工藝的提升都會(huì)帶來(lái)一次良品率不足或是產(chǎn)能不足的情況。當(dāng)年堪稱(chēng)大雷45nm制造工藝將AMD/NVIDIA急的團(tuán)團(tuán)轉(zhuǎn)。在進(jìn)入28nm時(shí)代之后，其產(chǎn)能不足更是飽受詬病。臺(tái)
-
臺(tái)積電稱(chēng)28nm芯片良品率超80% 產(chǎn)能可滿(mǎn)足需求
臺(tái)積電可謂是全球芯片代工行業(yè)的老大級(jí)人物，不過(guò)每次制造工藝的提升都會(huì)帶來(lái)一次良品率不足或是產(chǎn)能不足的情況。當(dāng)年堪稱(chēng)大雷45nm制造工藝將AMD/NVIDIA急的團(tuán)團(tuán)轉(zhuǎn)。在進(jìn)入28nm時(shí)代之后，其產(chǎn)能不足更是飽受詬病。臺(tái)
-
臺(tái)積電稱(chēng)28nm芯片良品率超80% 產(chǎn)能可滿(mǎn)足需求
臺(tái)積電可謂是全球芯片代工行業(yè)的老大級(jí)人物，不過(guò)每次制造工藝的提升都會(huì)帶來(lái)一次良品率不足或是產(chǎn)能不足的情況。當(dāng)年堪稱(chēng)大雷45nm制造工藝將AMD/NVIDIA急的團(tuán)團(tuán)轉(zhuǎn)。在進(jìn)入28nm時(shí)代之后，其產(chǎn)能不足更是飽受詬病。
-
聯(lián)電解散UMC Japan，Q3/Q4將認(rèn)列業(yè)外虧損
聯(lián)電 (2303)今(21日)董事會(huì)通過(guò)，為整合制造資源并降低營(yíng)運(yùn)成本，決議結(jié)束日本晶圓制造業(yè)務(wù)，解散并清算直接持有100%股份之子公司UMC Japan。聯(lián)電表示，因解散清算所認(rèn)列資產(chǎn)減損的業(yè)外損失，多會(huì)于今年第3、第4季認(rèn)
-
臺(tái)積28納米產(chǎn)能 季增3倍
晶圓代工龍頭臺(tái)積電力拚28納米擴(kuò)產(chǎn)，隨著良率拉升到8成以上，及中科12寸廠Fab15新產(chǎn)能大量開(kāi)出，本季已安裝產(chǎn)能（installedcapacity）較上季大增3倍，為第4季營(yíng)運(yùn)淡季不淡埋下伏筆。臺(tái)積電上半年投入超過(guò)36億美元資本
-
臺(tái)積28納米產(chǎn)能 季增3倍
晶圓代工龍頭臺(tái)積電力拚28納米擴(kuò)產(chǎn)，隨著良率拉升到8成以上，及中科12寸廠Fab15新產(chǎn)能大量開(kāi)出，本季已安裝產(chǎn)能（installed capacity）較上季大增3倍，為第4季營(yíng)運(yùn)淡季不淡埋下伏筆。 臺(tái)積電上半年投入超過(guò)36億美
-
臺(tái)積砸830億 強(qiáng)攻20納米
晶圓代工龍頭臺(tái)積電昨（14）日董事會(huì)核準(zhǔn)約830億元資本預(yù)算用以建置、擴(kuò)充先進(jìn)制程廠房。除了28納米產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)充，這次的投資預(yù)算更是因應(yīng)20納米提早量產(chǎn)而卡位，顯示大廠先進(jìn)制程投資未受景氣回檔而停歇。 臺(tái)積電的
-
臺(tái)積砸830億 強(qiáng)攻20納米
晶圓代工龍頭臺(tái)積電昨（14）日董事會(huì)核準(zhǔn)約830億元資本預(yù)算用以建置、擴(kuò)充先進(jìn)制程廠房。除了28納米產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)充，這次的投資預(yù)算更是因應(yīng)20納米提早量產(chǎn)而卡位，顯示大廠先進(jìn)制程投資未受景氣回檔而停歇。 臺(tái)積電
-
臺(tái)積砸830億 強(qiáng)攻20納米
臺(tái)積砸830億 強(qiáng)攻20納米
-
聯(lián)電FAB 12A第3、4期廠房獲美LEED綠建筑認(rèn)證
聯(lián)電于30日宣布，其位于臺(tái)南科學(xué)園區(qū)Fab12A廠第3、4期新建廠房已通過(guò)美國(guó)綠建筑協(xié)會(huì)(USGreenBuildingCouncil,USGBC)綠建筑評(píng)估系統(tǒng)審查，獲得「前瞻能源與環(huán)境設(shè)計(jì)–新建工程類(lèi)」(LeadershipinEnergyandEnvironmenta
- ADI數(shù)據(jù)中心白皮書(shū)搶先看，測(cè)試領(lǐng)紅包
- AMD 2026技術(shù)日4月2日登陸北京，21ic邀你來(lái)報(bào)名
- 《21ic技術(shù)洞察》系列欄目第二期：工業(yè)自動(dòng)化中的AI視覺(jué)系統(tǒng)
- 歐姆龍電子樣品商城小程序來(lái)襲，找樣品不用等！現(xiàn)貨供應(yīng)+全場(chǎng)包郵
- Littelfuse應(yīng)用學(xué)習(xí)社第一期：打造更穩(wěn)定與安全的數(shù)據(jù)中心解決方案
- 安富利3kW模擬電源供應(yīng)器（PSU）解決方案開(kāi)發(fā)板來(lái)襲，申請(qǐng)領(lǐng)好禮
- 得捷芯聞解碼視頻研習(xí)站第五期：打造更安全、更智能、更舒適、高續(xù)航的駕乘體驗(yàn)
