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基于TMS320DM642的編程
引言 一個完整的嵌入式系統(tǒng)必須要有一個合適的存儲器存放用戶代碼。Flash是一種非易失性存儲器,而且具有電可擦寫、容量大、價格便宜等特點,通常可用于在DSP系統(tǒng)中存放用戶代碼?！ lash在正常使
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三星明年對存儲器投資整體下降：DRAM投資大降20%，NAND Flash投資將增加
報道進一步指出，三星2019年針對存儲器的投資總體會減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出;而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。
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提高MSP430G 系列單片機的Flash 擦寫壽命方法
在嵌入式設(shè)計中，許多應用設(shè)計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器
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ARM 系列 -- FS2410 開發(fā)板上 Nand Flash 到內(nèi)存的代碼搬移
一、目的 通過將 Nand Flash 前 4K 代碼搬移到 SDRAM 中，了解如何初始化并使用 ARM 的內(nèi)存， 為編寫 ARM bootloader 和搬移內(nèi)核到內(nèi)存作準備。二、代碼 關(guān)于如何建立開發(fā)環(huán)境，在我的前一篇隨筆(FS2401 發(fā)光二極管循
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Flash數(shù)據(jù)丟失，說好的數(shù)據(jù)去哪了？
芯片貼板后跑不起來？Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛？程序丟失可能無法正常運行，從而造成整個系統(tǒng)崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化。
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TMS320C6713B DSP的外部FLASH引導系統(tǒng)
目前，TI公司的TMS320C6713B已經(jīng)在生化分析儀器中廣泛實用。其運算速度快、精度高。使其在牛化分析儀中具有獨特的優(yōu)勢。其改進的哈佛結(jié)構(gòu)、先進的多總線和多級流水線機制。
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STM32 USB NAND Flash模擬U盤無法格式化問題的解決
前幾天，一直在尋找NAND Flash模擬U盤程序無法格式化的問題。在中秋月圓之夜，還苦逼地在實驗室調(diào)代碼，也許是杭州大圓月的原因，今晚感覺整人特別亢奮，效率也特別高，靈感也多。終于，在不懈的努力下，找到代碼中的
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新款iPhone 存儲器是定價的關(guān)鍵
根據(jù)《彭博社》24日報導，蘋果新款iPhone XS和iPhone XS Max智能手機，不同儲存容量版本，定價策略都有特別考量。彭博社表示，以iPhone XS的64GB容量版為準，蘋果預計512GB容量版的iPhone XS和iPhone XS Max要多賺取約134美元獲利。
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STM32 SPI Flash DFU
這次講的是將程序、圖片或其他文件下載到SPI Flash中。我使用的是W25X16的SPI Flash，他共有2MB空間，2個Block,512ge Sector,8096個Page。由于SPI Flash不能直接跑程序，我們從接口就知道了。接下去我們就來講講怎么
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STM32 串口燒寫 FLASH 外部字庫 UCGUI顯示 自我學習總結(jié)
最近學習TFT顯示問題，在多種漢字顯示方面有點難，主要是字庫太大，幾個字庫就不得了。開始是使用SD卡向外部FLASH---W25X16寫，完全能夠完成。后來覺得這樣比較麻煩，有時候還沒有SD接口，于是打算用串
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教你如何使用atmega8 Flash
GCCAVR中讀取Flash區(qū)數(shù)據(jù)定義（只能為全局變量）：const int temp PROGMEM = 1;讀?。簆gm_read_byte(addr);pgm_read_word(addr);pgm_read_dword(addr);字符串：全局定義：const char ss[]PROGMEM = "hello";函數(shù)內(nèi)定
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從Nand Flash啟動U-BOOT的基本原理
前4K的問題如果S3C2410被配置成從Nand Flash啟動(配置由硬件工程師在電路板設(shè)置), S3C2410的Nand Flash控制器有一個特殊的功能,在S3C2410上電后,Nand Flash控制器會自動的把Nand Flash上的前4K數(shù)據(jù)搬移到4K內(nèi)部RAM中
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TMS320C6713B DSP的外部FLASH引導
目前，TI公司的TMS320C6713B已經(jīng)在生化分析儀器中廣泛實用。其運算速度快、精度高。使其在牛化分析儀中具有獨特的優(yōu)勢。其改進的哈佛結(jié)構(gòu)、先進的多總線和多級流水線機制、專用的硬件乘法器、高效的指令集，使其易于嵌入信號濾波、信息融合算法，而不會犧牲其實時性。TMS320C6713B的速度快、精度高、體積小、成本低、開發(fā)周期短、可靠性高以及抗干擾能力強等優(yōu)點，可以滿足生化分析儀對硬件系統(tǒng)的要求。
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mini2440硬件篇之Nor Flash
硬件原理1.1.NorFlash簡介NORFlash是Intel在1988年推出的一款商業(yè)性閃存芯片，它需要很長的時間進行抹寫，大半生它能夠提供完整的尋址與數(shù)據(jù)總線，并允許隨機存取存儲器上的任何區(qū)域，而且它可以忍受一萬次到一百萬次
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迎接SSD低價大容量時代，群聯(lián)64層3D QLC NAND Flash SSD控制芯片正式出貨
群聯(lián)董事長潘健成表示，QLC規(guī)格的單顆Flash晶粒儲存空間較上一代TLC規(guī)格多出1倍，容量升級、價格親民，這象征著SSD(固態(tài)硬盤)正式迎接低價大容量的時代!
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NOR Flash與8位單片機接口設(shè)計
引 言 Flash存儲器又稱閃速存儲器，是20世紀80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM和ROM的特點，既可以在線擦除、改寫，又能夠在掉電后保持數(shù)據(jù)不丟失。 NOR Flash是Flash存儲器中
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430 flash的操作
大概印象：430的flash好像有點像arm的flash，只不過是arm的flash要比430的大很多，而且430的flash不同于E2PROOM，這一點需要值得注意MSP430flash的基本特點：1，擁有內(nèi)置的編程電壓發(fā)生器2：可以進行位，字節(jié)，還有字
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STM32使用FSMC控制NAND flash 例程
近幾天開發(fā)項目需要用到STM32驅(qū)動NAND FLASH，但由于開發(fā)板例程以及固件庫是用于小頁（512B），我要用到的FLASH為1G bit的大頁（2K），多走了兩天彎路。以下筆記將說明如何將默認固件庫修改為大頁模式以驅(qū)動大容量NA
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STM flash數(shù)據(jù)讀取
/////////////**************************.h文件*********************************///////////////////////////////////#ifndef_FLASH_CTRL_H_#define_FLASH_CTRL_H_#ifdefSTM32F10X_HD#defineFLASHADDRSTART0x0807
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stm32學習之NOR flash和NAND flash區(qū)別,RAM 和ROM區(qū)別
ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM是ReadOnlyMemory的縮寫，RAM是RandomAccessMemory的縮寫。ROM在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持數(shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計算機的內(nèi)存。RAM有兩大
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