一、目的 通過將 Nand Flash 前 4K 代碼搬移到 SDRAM 中,了解如何初始化并使用 ARM 的內(nèi)存, 為編寫 ARM bootloader 和搬移內(nèi)核到內(nèi)存作準(zhǔn)備。二、代碼 關(guān)于如何建立開發(fā)環(huán)境,在我的前一篇隨筆(FS2401 發(fā)光二極管循
芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運行,從而造成整個系統(tǒng)崩潰,下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化。
目前,TI公司的TMS320C6713B已經(jīng)在生化分析儀器中廣泛實用。其運算速度快、精度高。使其在?;治鰞x中具有獨特的優(yōu)勢。其改進的哈佛結(jié)構(gòu)、先進的多總線和多級流水線機制。
前幾天,一直在尋找NAND Flash模擬U盤程序無法格式化的問題。在中秋月圓之夜,還苦逼地在實驗室調(diào)代碼,也許是杭州大圓月的原因,今晚感覺整人特別亢奮,效率也特別高,靈感也多。終于,在不懈的努力下,找到代碼中的
根據(jù)《彭博社》24日報導(dǎo),蘋果新款iPhone XS和iPhone XS Max智能手機,不同儲存容量版本,定價策略都有特別考量。彭博社表示,以iPhone XS的64GB容量版為準(zhǔn),蘋果預(yù)計512GB容量版的iPhone XS和iPhone XS Max要多賺取約134美元獲利。
這次講的是將程序、圖片或其他文件下載到SPI Flash中。我使用的是W25X16的SPI Flash,他共有2MB空間,2個Block,512ge Sector,8096個Page。由于SPI Flash不能直接跑程序,我們從接口就知道了。接下去我們就來講講怎么
最近學(xué)習(xí)TFT顯示問題,在多種漢字顯示方面有點難,主要是字庫太大,幾個字庫就不得了。開始是使用SD卡向外部FLASH---W25X16寫,完全能夠完成。后來覺得這樣比較麻煩,有時候還沒有SD接口,于是打算用串
GCCAVR中讀取Flash區(qū)數(shù)據(jù)定義(只能為全局變量):const int temp PROGMEM = 1;讀?。簆gm_read_byte(addr);pgm_read_word(addr);pgm_read_dword(addr);字符串:全局定義:const char ss[]PROGMEM = "hello";函數(shù)內(nèi)定
前4K的問題如果S3C2410被配置成從Nand Flash啟動(配置由硬件工程師在電路板設(shè)置), S3C2410的Nand Flash控制器有一個特殊的功能,在S3C2410上電后,Nand Flash控制器會自動的把Nand Flash上的前4K數(shù)據(jù)搬移到4K內(nèi)部RAM中
目前,TI公司的TMS320C6713B已經(jīng)在生化分析儀器中廣泛實用。其運算速度快、精度高。使其在牛化分析儀中具有獨特的優(yōu)勢。其改進的哈佛結(jié)構(gòu)、先進的多總線和多級流水線機制、專用的硬件乘法器、高效的指令集,使其易于嵌入信號濾波、信息融合算法,而不會犧牲其實時性。TMS320C6713B的速度快、精度高、體積小、成本低、開發(fā)周期短、可靠性高以及抗干擾能力強等優(yōu)點,可以滿足生化分析儀對硬件系統(tǒng)的要求。
硬件原理1.1.NorFlash簡介NORFlash是Intel在1988年推出的一款商業(yè)性閃存芯片,它需要很長的時間進行抹寫,大半生它能夠提供完整的尋址與數(shù)據(jù)總線,并允許隨機存取存儲器上的任何區(qū)域,而且它可以忍受一萬次到一百萬次
群聯(lián)董事長潘健成表示,QLC規(guī)格的單顆Flash晶粒儲存空間較上一代TLC規(guī)格多出1倍,容量升級、價格親民,這象征著SSD(固態(tài)硬盤)正式迎接低價大容量的時代!
引 言 Flash存儲器又稱閃速存儲器,是20世紀(jì)80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM和ROM的特點,既可以在線擦除、改寫,又能夠在掉電后保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失?! OR Flash是Flash存儲器中
大概印象:430的flash好像有點像arm的flash,只不過是arm的flash要比430的大很多,而且430的flash不同于E2PROOM,這一點需要值得注意MSP430flash的基本特點:1,擁有內(nèi)置的編程電壓發(fā)生器2:可以進行位,字節(jié),還有字
近幾天開發(fā)項目需要用到STM32驅(qū)動NAND FLASH,但由于開發(fā)板例程以及固件庫是用于小頁(512B),我要用到的FLASH為1G bit的大頁(2K),多走了兩天彎路。以下筆記將說明如何將默認(rèn)固件庫修改為大頁模式以驅(qū)動大容量NA
/////////////**************************.h文件*********************************///////////////////////////////////#ifndef_FLASH_CTRL_H_#define_FLASH_CTRL_H_#ifdefSTM32F10X_HD#defineFLASHADDRSTART0x0807
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器,ROM是ReadOnlyMemory的縮寫,RAM是RandomAccessMemory的縮寫。ROM在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù),而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù),典型的RAM就是計算機的內(nèi)存。RAM有兩大
Flash的操作:stm32大容量的flash不僅用來存儲程序代碼,還可用來存儲一些數(shù)據(jù)和系統(tǒng)用戶的參數(shù)。程序的代碼一般保存在從flash開始區(qū)域,剩下的區(qū)域空間大小可以用來存儲用戶數(shù)據(jù)(大小取決于Flash的大小和代碼占用空
自2018年第二季起,內(nèi)存價格由于各新廠產(chǎn)能陸續(xù)開出價格開始松動,由其是在中國大陸,無論是DRAM或是NAND Flash產(chǎn)能都在持續(xù)開出;盡管目前尚未進入穩(wěn)定量產(chǎn)階段,但預(yù)期2018下半年內(nèi)存價格仍有下跌空間, 在未來兩年內(nèi)存也不容易再出現(xiàn)價格飆漲的狀況。
方法:static const uint8_t s_acBmpLogo030[len] __attribute__((at(0X800F000)))={0x80,0xC0,0xC0,0xC0,0xC0,0x80,xxxxxxx} 編譯之后可在.map文件看到其分配到的地址0x0800f000 0x0000005c Data RO 4013 .A