飛思卡爾單片機(jī)RAM與flash相關(guān)問題

最近在做飛思卡爾16位單片機(jī)的在線升級bootloader程序。有2個問題不太清楚，請教下論壇里的高人。1.bootloader程序中，對存放應(yīng)用程序的flash空間進(jìn)行擦除和寫入新的應(yīng)用程序以完成升級。比較特別的是，

STM32中的程序在RAM還是FLASH里運(yùn)行？

各變量在MCU中的存放位置ram or flash

閑來無事，研究了下變量在MCU中存儲位置ps：MCU中能存放數(shù)據(jù)的地方有三處：register、rom、ram涉及標(biāo)準(zhǔn)C關(guān)鍵字：register：定義和申請一個register級變量 auto：：定義自動變量，缺省時為編譯器

STM32F103使用內(nèi)部Flash保存參數(shù)

在我們應(yīng)用開發(fā)時，經(jīng)常會有一些程序運(yùn)行參數(shù)需要保存，如一些修正系數(shù)。這些數(shù)據(jù)的特點(diǎn)是：數(shù)量少而且不需要經(jīng)常修改，但又不能定義為常量，因為每臺設(shè)備可能不一樣而且在以后還有修改的可能。將這類

stm32 中怎樣把變量定義到flash中

目的:將變量定義到flash中其實寫這個是相當(dāng)于一個記錄而已，突然在做字模顯示問題，想到如果將字模數(shù)據(jù)放到內(nèi)存中的話，難免多了很容易出問題，不如就放在flash中，這樣就可以不去改變他int a;a在內(nèi)存中

為什么STM32從Flash地址0x08000000的啟動重映射

在初寫STM32程序時，遇到一個困惑，STM32的Flash在MDK里被設(shè)置為起始地址0x0800 0000，而CM3手冊規(guī)定芯片復(fù)位時要從0x0000 0000地址開始取出中斷向量 ，那STM32怎么樣執(zhí)行代碼呢？地址重映射？或者在0x

嵌入式系統(tǒng)基礎(chǔ)之：實驗內(nèi)容——使用JTAG燒寫Nand Flash

通過使用JTAG燒寫Flash的實驗，了解嵌入式硬件環(huán)境，熟悉JTAG的使用，為今后的進(jìn)一步學(xué)習(xí)打下良好的基礎(chǔ)。本書以優(yōu)龍的FS2410及Flash燒寫工具為例進(jìn)行講解，不同廠商的開發(fā)板都會提供相應(yīng)的Flash燒寫工具，并有相應(yīng)的說明文檔，請讀者在了解基本原理之后查閱相關(guān)手冊。

基于LVDS的高速圖像數(shù)據(jù)存儲器的設(shè)計與實現(xiàn)

本文所設(shè)計的數(shù)據(jù)存儲器能夠?qū)崿F(xiàn)高速圖像數(shù)據(jù)的實時存儲及轉(zhuǎn)發(fā)，碼率可達(dá)40 Mbyte/s，具有高寫入帶寬和工作穩(wěn)定、可靠的特點(diǎn)。本設(shè)計已在相關(guān)項目中得到應(yīng)用，工作性能良好，具有一定的參考價值。

基于STC單片機(jī)的硬件電路設(shè)計

本文提出了一種基于STC單片機(jī)學(xué)習(xí)平臺的硬件電路設(shè)計，采用了一款新型的單片機(jī)型號一STC12C5410AD，在學(xué)習(xí)平臺中加入了一些串行接口的芯片，接口標(biāo)準(zhǔn)包括RS-232、SPI、IIC、1-wire等。學(xué)習(xí)平臺的設(shè)計目標(biāo)：ISP可編程、液晶屏顯示、日歷時鐘(IIC接口芯片)、溫度測量(1-wire接口芯片)、FLAH存儲器(SPI接口芯

基于芯片堆疊式的3D技術(shù)

從SiP系統(tǒng)級封裝的傳統(tǒng)意義上來講，凡是有芯片堆疊的都可以稱之為3D，因為在Z軸上有了功能和信號的延伸，無論此堆疊是位于IC內(nèi)部還是IC外部。

大容量存儲的NOR FLASH的原理及應(yīng)用

VDRF256M16是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的NOR FLASH，可利用其對大容量數(shù)據(jù)進(jìn)行高速緩存。文中介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，并同時給出了一個系統(tǒng)中大容量、高速數(shù)據(jù)傳輸要求的設(shè)計方案。

SSD將取代HDD成主流

隨著NAND Flash產(chǎn)能開出，市場價格持續(xù)松動，刺激市場搭載SSD的需求大增，業(yè)者認(rèn)為，2018年下半NAND Flash價格將一路走跌，將促使SSD與HDD價差進(jìn)一步收斂，目前SSD價差逐步縮小至3~3.5倍，兩者價差替換的黃金交叉點(diǎn)即將到來，推動SSD取代效益顯現(xiàn)，而PCIe SSD價格跌幅也將擴(kuò)大，未來躍升為市場主流將指日可待。

利用NAND Flash實現(xiàn)對嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新

引言嵌入式系統(tǒng)在各個領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)的維護(hù)與升級也變得日益重要。由于新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和對系統(tǒng)功能、性能等要求的不斷提高，開發(fā)者必須能夠針對系統(tǒng)進(jìn)行升級和維護(hù)，以延長系統(tǒng)的使用

基于微處理器S3C6410的NAND FLASH模擬U盤的原理與實現(xiàn)

本文介紹了嵌入式Linux操作系統(tǒng)下基于三星微處理器S3C6410的NAND FLASH模擬U盤的原理與實現(xiàn)方法。操作系統(tǒng)采用Linux 2．6．28版本，平臺為飛凌OK6410-A開發(fā)板。采用的方案是通過添加一個512 MB的NAND

H-Jtag V1.0 燒寫NOR Flash

1. 打開H-Jtag-ServerInit->load，選擇初始化腳本“FriendlyARM2440.his”->"打開"2. 菜單中選擇“Settting”->"USB/LPT Selectiojn"，選擇 LPT3. 菜單中選擇“Settting”->"LPT JTAG Setting"，做如下

單片機(jī)的Flash E2prom Ram區(qū)別

存儲器分為兩大類：ram和rom。ram就不講了，今天主要討論rom。rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。后來出現(xiàn)了prom，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認(rèn)倒霉。人類文明

STM32 flash操作

對芯片內(nèi)部flash進(jìn)行操作的函數(shù)，包括讀取，狀態(tài)，擦除，寫入等等，可以允許程序去操作flash上的數(shù)據(jù)?；A(chǔ)應(yīng)用1，F(xiàn)LASH時序延遲幾個周期，等待總線同步操作。推薦按照單片機(jī)系統(tǒng)運(yùn)行頻率，0—24MHz時，

HOLTEK新推出小封裝HT68F0012 Flash MCU

Holtek小封裝Flash MCU系列繼HT68F001后，新增HT68F0012成員，最大差異在系統(tǒng)頻率由32kHz提高到512kHz，可提供需較快工作頻率的產(chǎn)品應(yīng)用，例如：簡單的數(shù)據(jù)通訊，非常適用于需要準(zhǔn)確計時或簡單控制的產(chǎn)品應(yīng)用。

兆易創(chuàng)新NOR Flash獲Galaxy S9采用

中國半導(dǎo)體最近幾年的快速發(fā)展使許多國外企業(yè)都開始布局中國市場，在今年的SEMICON China上表現(xiàn)的尤其明顯。不管是半導(dǎo)體制造設(shè)備提供商，還是材料供應(yīng)商都對中國半導(dǎo)體市場未來的發(fā)展充滿信心，也都紛紛布局中國市場。致力于開發(fā)和制造創(chuàng)新材料和工藝的材料提供商Brewer Science也參加了此次盛會，并與其行業(yè)長期合作伙伴日產(chǎn)化學(xué)攜手展示了其在晶圓級封裝和前端光刻材料領(lǐng)域的產(chǎn)品與服務(wù)。

一文讀懂存儲器發(fā)展史

近日，國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局、國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會批準(zhǔn)《半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測試方法》等 20 項國家標(biāo)準(zhǔn)，并予以公布。據(jù)悉，這 20 項標(biāo)準(zhǔn)將于 2018 年 8 月 1 日實施。