如果有幾個設置參數(shù)需要存儲到Flash中,我們一般會怎么存儲呢?將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中,還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結構體,每次修改都同時寫入一次呢? 將參數(shù)存
隨著應用不斷擴大,及系統(tǒng)產品內建容量持續(xù)擴增,今年來半導體硅晶圓、磊晶與內存等多項產品市況熱絡,在供應持續(xù)吃緊下,各項產品下半年價格依然看漲。
兆易創(chuàng)新是國內存儲器芯片設計龍頭,公司董秘李紅表示,在國家大力扶持集成電路產業(yè)及芯片進口替代加快的趨勢下,集成電路行業(yè)迎來一輪蓬勃發(fā)展期,兆易創(chuàng)新將充分受益于行業(yè)景氣周期。公司在原有NOR Flash市場優(yōu)勢的基礎上,增添了NAND和MCU等新的成長點,并將通過收購北京矽成完善公司存儲器版圖。
如果有幾個設置參數(shù)需要存儲到Flash中,我們一般會怎么存儲呢?將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中,還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結構體,每次修改都同時寫入一次呢? 將參數(shù)存
內存是半導體的主力產品之一,目前主要由動態(tài)隨機存取內存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產品。
繼美光后,全球第二大NOR Flash制造廠Cypress也在財報發(fā)布會上釋出將淡出中低容量的NOR Flash市場,專注高容量的車用和工規(guī)領域的消息,加上蘋果明年新手機全數(shù)導入OLED面板,同步得搭載NOR芯片維持手機色彩飽和度,明年缺口持續(xù)擴大。
有數(shù)據(jù)顯示,到2020年,全球數(shù)據(jù)總量將達到40ZB。而存儲器作為數(shù)據(jù)的基石,市場規(guī)模也隨之不斷擴大。存儲器行業(yè)屬于周期性行業(yè)從歷史表現(xiàn)上看,存儲器行業(yè)總是處于交替出現(xiàn)的漲跌循環(huán)之中。存儲器行業(yè)周期特征明顯主
Holtek推出全新的無線吸塵器ASSP Flash MCU - HT45F0084,內建硬件過電流/過電壓/欠電壓保護,針對電機與電池提供完整的保護,也可節(jié)省外圍零件,非常適合開發(fā)無線吸塵器中的直流有刷電機機種。
Holtek推出專門應用于多彩RGB LED產品的USB Flash MCU - HT66FB572/HT66FB574,除適用于一般計算機外設與消費性產品外,其最大的特點是以內建定電流源分別配合15 / 24個PWM輸出.
余承東日前爆料稱,P10系列手機混用UFS和EMMC兩種閃存方案的核心原因,就是供應鏈Flash嚴重缺貨,華為的存儲至今還處于缺貨之中。那么,NAND Flash制造商如今產能狀況如何?缺貨問題何時能夠得到緩解?
全球存儲器龍頭大廠針對3D NAND Flash開始全力強化其戰(zhàn)力,包括韓系龍頭的三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、日系東芝(Toshiba)、美系美光(Micron)、英特爾(Intel)等,3D NAND可望在2017年下半放量生產,熟悉后段封測業(yè)者表示,估計2017年第3季NAND Flash供需緊繃市況可望稍微緩解,價格漲勢回穩(wěn),而進入3D NAND時代后,存儲器封測業(yè)者中,又以力成最為受惠。
力晶集團執(zhí)行長黃崇仁表示,第五代行動通訊(5G)快速興起,將啟動大量影像傳輸需求,加上汽車電子及云端服務器快速成長,將開啟另一波內存(DRAM和Flash)強勁需求,但供給端都遭遇程技術瓶頸,預料明年DRAM還是會缺貨。
Gartner 表示,在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現(xiàn)反轉,使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價格會在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑,并在 2019 年重新陷入一個相對低點。
根據(jù)市場研究機構集邦咨詢(TrendForce)最新研究指出,受到 2017 年搭載 OLED 面板的智能手機數(shù)量大幅增加,以及 TDDI 技術所需 NOR Flash 產能提升的帶動,加上如美光、兆
根據(jù)科技網站 ZDNet 的報導指出,半導體龍頭英特爾(intel)正透過管道向合作伙伴發(fā)出通知,預計 2017 年全年 SSD 硬盤因為供應吃緊,這也迫使得英特爾未來將優(yōu)先以供應數(shù)
Holtek在血糖儀產品上,繼第一代HT45F65/HT45F66/HT45F67之后再推出高度整合的BH66F2470及BH67F2470。
Nand-flash內存是flash內存的一種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等
固態(tài)硬盤(Solid State Drives),簡稱固盤,固態(tài)硬盤(Solid State Drive)用固態(tài)電子存儲芯片陣列而制成的硬盤,由控制單元和存儲單元(FLASH芯片、DRAM芯片)組成。固態(tài)硬盤在接口的規(guī)范和定義、功能及使用方法上與普通硬盤的完全相同,在產品外形和尺寸上也完全與普通硬盤一致。被廣泛應用于軍事、車載、工控、視頻監(jiān)控、網絡監(jiān)控、網絡終端、電力、醫(yī)療、航空、導航設備等領域。
SK海力士(SK Hynix)入主東芝(Toshiba)半導體事業(yè)部的競爭即將進入白熱化,但規(guī)模上看26兆韓元(約228億美元)的鉅額投資計劃,是否能為SK海力士帶來1加1大于2的事業(yè)綜效,外界出現(xiàn)不同評價。
NAND Flash內存是flash內存的一種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND Flash存儲器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。