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產(chǎn)能轉(zhuǎn)移——3D NAND殺戮戰(zhàn)場明年來臨
NAND Flash缺貨壓力已獲緩解。然而以三星、美光、英特爾、東芝等業(yè)者的擴(kuò)產(chǎn)計劃來看，3D NAND產(chǎn)能將在明年大量開出，明年將是3D NAND殺戮戰(zhàn)場。
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什么原因讓三星，海力士如此青睞3D NAND Flash技術(shù)？
面對大陸的積極追趕，三星電子(Samsung Electronics)持續(xù)進(jìn)行西安工廠的相關(guān)投資，同時也加緊興建位于南韓的平澤工廠，欲將其打造為全球最大規(guī)模的單一產(chǎn)線，用于投入3D NAND Flash量產(chǎn)。
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三星將領(lǐng)先東芝量產(chǎn)64層3D NAND
據(jù)報道，三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND，目標(biāo)是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。東芝及WD(西部數(shù)據(jù))稱，將于2017年上半年開始量產(chǎn)堆疊64層的3D NAND Flash制程，相對落后于NAND Flash市占王三星。
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HOLTEKHOLTEK新推出HT45F5R工具充電器Flash MCU
Holtek在充電器產(chǎn)品領(lǐng)域，繼HT45F5Q之后再度推出HT45F5R，能應(yīng)用于更多按鍵或LCD/LED顯示需求產(chǎn)品，如多功能鉛酸電池充電器、電動機(jī)車充電器、工具機(jī)鋰電池充電器等。
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HOLTEK新推出HT66F0025小型封裝A/D Flash MCU with EEPROM
Holtek小型封裝Flash Type MCU系列新增HT66F0025，此顆MCU為HT66F002的延伸產(chǎn)品。與HT66F002最主要功能差別在于HT66F0025俱備更大的2K Word Flash Memory size，堆棧也增加至4層。針對想使用HT6xF002并且希望有
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HOLTEK推出HT66F0176針對智能家電產(chǎn)品應(yīng)用Flash MCU
Holtek Enhanced A/D Flash Type MCU系列新增HT66F0176，此顆MCU為HT66F0175的延伸產(chǎn)品。HT66F0176內(nèi)建的UART功能，可輕易與藍(lán)牙/WiFi模塊鏈接，快速實現(xiàn)廚房小家電、居家與個人生活小家電智能化，提升家居安全性
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HOLTEK新推出HT45F3820 / HT45F3830霧化器Flash MCU
Holtek新推出HT45F3820、HT45F3830系列Flash MCU面向霧化器領(lǐng)域應(yīng)用，與傳統(tǒng)方案相比，HT45F3820/3830系列提升MCU資源，并新增霧化器控制模塊單元，方便MCU對霧化器進(jìn)行追頻與缺水檢測控制，在缺水保護(hù)/檢測時可省
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西安變電站爆炸 新一代蘋果Flash生產(chǎn)受影響
據(jù)報道，18 日凌晨位于西安市南郊一處的變電站疑似因為故障而引起爆炸起火，火光沖天照亮夜空，幸沒有人受傷。但逾 8 萬用戶一度停電，附近商店窗戶玻璃被震碎，汽車也有損壞。官方初步勘察后沒有發(fā)現(xiàn)人為破壞跡像，
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HOLTEK新推出HT66F302/303–Low Pin Count及低工作電壓1.8V~5.5V Flash MCU
Holtek低電壓Flash MCU新增HT66F302/303新成員。
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HOLTEK推出HT98F069雙向無線電對講機(jī)專業(yè)應(yīng)用SoC Flash MCU
Holtek推出HT98F069為雙向無線電產(chǎn)品專用SoC Flash MCU，合適于FRS、MURS、GMRS具音頻處理的產(chǎn)品，是繼HT98R068 OTP MCU產(chǎn)品的延伸。
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Flash芯片你都認(rèn)識嗎？
Flash存儲器，簡稱Flash，它結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還不會因斷電而丟失數(shù)據(jù)，具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點;在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場上，F(xiàn)las
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分析新芯/中芯/同方國芯等NAND Flash晶圓制造商現(xiàn)狀
紫光旗下同方國芯提出私募800億元人民幣的增資案，用于Flash產(chǎn)業(yè)，而同方本次增資規(guī)模已接近大基金規(guī)模6成，可看出推動Flash產(chǎn)業(yè)是高度資本集中。
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基于虛擬通道的Flash映射技術(shù)
虛擬化領(lǐng)域的一個技術(shù)熱點是桌面PC的虛擬化，即虛擬桌面架構(gòu)(VDI)。虛擬桌面架構(gòu)解決方案正在幫助企業(yè)將其Windows桌面和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)變成類似云的資源，最終用戶能夠在任何設(shè)備上
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NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解
我們使用的智能手機(jī)除了有一個可用的空間(如蘋果8G、16G等)，還有一個RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個這樣的芯片做存儲呢，這就是我們下面要講到的。這二種存
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DSP硬件設(shè)計需要知道的注意事項
數(shù)字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時鐘性能超過100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備，通過CMOS處理技術(shù)，DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP電路板設(shè)計的復(fù)雜性
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Flash芯片你都認(rèn)識嗎？
Flash存儲器，簡稱Flash，它結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還不會因斷電而丟失數(shù)據(jù)，具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點;在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場上，F(xiàn)lash總類可謂繁多，功能各異，而你對它了解有多少呢? 為了讓大家更深入了解Flash，今天將主要根據(jù)芯片的通信協(xié)議并且結(jié)合Flash的特點，給大家一個全新認(rèn)識。
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關(guān)于單片機(jī)中的flash和eeprom
FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同，F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設(shè)計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設(shè)計往往只有 FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。
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從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例
使用LPC2106的Timer 1 進(jìn)行的簡單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ，用戶可以從Flash或者SRAM中運(yùn)行這些代碼。示例展示了ARM構(gòu)架中中斷是如何操作的。提供的代碼
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MSP432：低功耗與高性能的完美搭配
功耗與性能能否兼得?MSP432 MCU的回答是：當(dāng)然可以。MSP432是德州儀器 (TI)推出的極低功耗32位ARM Cortex-M4F MCU——MSP432TM 微控制器 (MCU) 平臺。MSP432中
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基于國產(chǎn)龍芯GS32I的小系統(tǒng)的硬件設(shè)計
一. 引言目前，嵌入式系統(tǒng)已經(jīng)滲透到各個領(lǐng)域：工業(yè)控制，軍事國防，消費(fèi)類電子產(chǎn)品，網(wǎng)絡(luò)通信等，但大部分領(lǐng)域的應(yīng)用都是基于國外各大廠商的嵌入式處理器。在嵌入式領(lǐng)域使
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