Holtek繼Enhanced Touch A/D Flash MCU系列BS66F340/350/360之后,全新推出系列性新成員 - BS66F370,其特點是將MCU的資源提升,以滿足更復(fù)雜的應(yīng)用環(huán)境,并將觸控與主控相關(guān)功能集成在同一顆IC。
Holtek推出高整合性兩線通訊MCU HT45F2002,特別適合需遠距離傳輸、具有多子機的產(chǎn)品系統(tǒng)應(yīng)用
受工業(yè)4.0、中國制造2025趨勢的影響,在智能制造、物聯(lián)網(wǎng)等形式下,半導(dǎo)體市場逐漸變得重要。我國為了適應(yīng)全球半導(dǎo)體市場趨勢,推出了一系列政策來助力國產(chǎn)半導(dǎo)體市場的發(fā)展。愛德萬測試為推動中國半導(dǎo)體在全球市場中
NAND Flash缺貨壓力已獲緩解。然而以三星、美光、英特爾、東芝等業(yè)者的擴產(chǎn)計劃來看,3D NAND產(chǎn)能將在明年大量開出,明年將是3D NAND殺戮戰(zhàn)場。
面對大陸的積極追趕,三星電子(Samsung Electronics)持續(xù)進行西安工廠的相關(guān)投資,同時也加緊興建位于南韓的平澤工廠,欲將其打造為全球最大規(guī)模的單一產(chǎn)線,用于投入3D NAND Flash量產(chǎn)。
據(jù)報道,三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND,目標(biāo)是今年生產(chǎn)4G V-NAND,可能意即為64層3D NAND。東芝及WD(西部數(shù)據(jù))稱,將于2017年上半年開始量產(chǎn)堆疊64層的3D NAND Flash制程,相對落后于NAND Flash市占王三星。
Holtek在充電器產(chǎn)品領(lǐng)域,繼HT45F5Q之后再度推出HT45F5R,能應(yīng)用于更多按鍵或LCD/LED顯示需求產(chǎn)品,如多功能鉛酸電池充電器、電動機車充電器、工具機鋰電池充電器等。
Holtek小型封裝Flash Type MCU系列新增HT66F0025,此顆MCU為HT66F002的延伸產(chǎn)品。與HT66F002最主要功能差別在于HT66F0025俱備更大的2K Word Flash Memory size,堆棧也增加至4層。針對想使用HT6xF002并且希望有
Holtek Enhanced A/D Flash Type MCU系列新增HT66F0176,此顆MCU為HT66F0175的延伸產(chǎn)品。HT66F0176內(nèi)建的UART功能,可輕易與藍牙/WiFi模塊鏈接,快速實現(xiàn)廚房小家電、居家與個人生活小家電智能化,提升家居安全性
Holtek新推出HT45F3820、HT45F3830系列Flash MCU面向霧化器領(lǐng)域應(yīng)用,與傳統(tǒng)方案相比,HT45F3820/3830系列提升MCU資源,并新增霧化器控制模塊單元,方便MCU對霧化器進行追頻與缺水檢測控制,在缺水保護/檢測時可省
據(jù)報道,18 日凌晨位于西安市南郊一處的變電站疑似因為故障而引起爆炸起火,火光沖天照亮夜空,幸沒有人受傷。但逾 8 萬用戶一度停電,附近商店窗戶玻璃被震碎,汽車也有損壞。官方初步勘察后沒有發(fā)現(xiàn)人為破壞跡像,
Holtek低電壓Flash MCU新增HT66F302/303新成員。
Holtek推出HT98F069為雙向無線電產(chǎn)品專用SoC Flash MCU,合適于FRS、MURS、GMRS具音頻處理的產(chǎn)品,是繼HT98R068 OTP MCU產(chǎn)品的延伸。
Flash存儲器,簡稱Flash,它結(jié)合了ROM和RAM的長處,不僅具備電子可擦除可編程的性能,還不會因斷電而丟失數(shù)據(jù),具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點;在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場上,F(xiàn)las
紫光旗下同方國芯提出私募800億元人民幣的增資案,用于Flash產(chǎn)業(yè),而同方本次增資規(guī)模已接近大基金規(guī)模6成,可看出推動Flash產(chǎn)業(yè)是高度資本集中。
虛擬化領(lǐng)域的一個技術(shù)熱點是桌面PC的虛擬化,即虛擬桌面架構(gòu)(VDI)。虛擬桌面架構(gòu)解決方案正在幫助企業(yè)將其Windows桌面和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)變成類似云的資源,最終用戶能夠在任何設(shè)備上
我們使用的智能手機除了有一個可用的空間(如蘋果8G、16G等),還有一個RAM容量,很多人都不是很清楚,為什么需要二個這樣的芯片做存儲呢,這就是我們下面要講到的。這二種存
數(shù)字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時鐘性能超過100MHZ)和高速先進外圍設(shè)備,通過CMOS處理技術(shù),DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進步增加了DSP電路板設(shè)計的復(fù)雜性
Flash存儲器,簡稱Flash,它結(jié)合了ROM和RAM的長處,不僅具備電子可擦除可編程的性能,還不會因斷電而丟失數(shù)據(jù),具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點;在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場上,F(xiàn)lash總類可謂繁多,功能各異,而你對它了解有多少呢? 為了讓大家更深入了解Flash,今天將主要根據(jù)芯片的通信協(xié)議并且結(jié)合Flash的特點,給大家一個全新認識。
FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同,F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡單,同樣容量占芯片面積較小,成本自然比EEPROM低,因而適合用作程序存儲器,EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲器也行,但操作比EEPROM麻煩的多,所以更“人性化”的MCU設(shè)計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器,而廉價型設(shè)計往往只有 FLASH,早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu),現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。