法國格勒諾布爾,Sept.03,2019(GLOBE NEWSWIRE)--Teledyne e2v,Teledyne Technologies旗下的全球成像解決方案創(chuàng)新公司,宣布推出其Flash CMOS圖像傳感器系列,該系列專為3D激光輪廓分析/位移分析應(yīng)用和高速、高分辨率檢測量身定制。
我看好FLASH技術(shù)的原因 作者:滄海冷心 ? 一、FLASH文件的流式、圖形化、文件精悍、易編程等特點(diǎn)。由于它短小精悍,又是流媒體格式,并且已經(jīng)被現(xiàn)在的互聯(lián)網(wǎng)發(fā)揚(yáng)光大了,它無疑將成為下一代手機(jī)網(wǎng)絡(luò)客
Holtek針對(duì)充電器裝置應(yīng)用領(lǐng)域,全新推出HT45F5Q-3充電器專用Flash MCU,相較傳統(tǒng)方案,HT45F5Q-3內(nèi)建兩組OPA及12-bit/14-bit DAC,達(dá)到充電器可控制多組恒流/恒壓充電,搭配HT45F5Q-x系列充電器量產(chǎn)工裝校正平臺(tái),將校正數(shù)據(jù)存在內(nèi)部Emulated EEPROM,量產(chǎn)更快、更有效率也使電壓與電流精準(zhǔn)度都可達(dá)到±1%。
3D NAND Flash Memory(3D NAND Flash,3D NAND 閃存)的高密度發(fā)展正如火如荼地進(jìn)行著。通過增加存儲(chǔ)單元(Memory Cell)在垂直方向上的堆疊(3D堆疊)數(shù)量(Word Line的堆疊數(shù)),3D NAND閃存的高密度化、大容量化已經(jīng)基本得以實(shí)現(xiàn)。通過融合3D堆疊技術(shù)、多值存儲(chǔ)技術(shù)(在1個(gè)存儲(chǔ)單元上存儲(chǔ)多個(gè)bit的技術(shù)),獲得了具有較大存儲(chǔ)容量的Silicon Die(硅芯片)。
全球市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示,今年首季NAND Flash合約價(jià)跌幅頗重,展望第二季,因供應(yīng)商庫存壓力未除,第二季價(jià)格跌勢恐將難止。今年第一季除了受到傳統(tǒng)淡季
盡管日前日本NAND Flash大廠東芝爆出停電導(dǎo)致產(chǎn)能受阻的消息,不過,光寶科總執(zhí)行長陳廣中表示,整體來看,NAND Flash整體市況還是處于供過于求,因此預(yù)料下半年報(bào)價(jià)應(yīng)該還是會(huì)處于緩跌走勢。
存儲(chǔ)器大廠旺宏25日召開線上法說會(huì),并公布2019年第2季營收數(shù)字。營收為74.79億元新臺(tái)幣(新臺(tái)幣,下同),較第1季增加24%,較2018年同期減少16%。毛利率27%,較第1季增加2個(gè)百分點(diǎn),較2018年同期則是減少18個(gè)百分點(diǎn)。稅后純益2.64億元,每股EPS 0.14元。
摘要:芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛?重新下載程序后又可以運(yùn)行?這究竟是為什么呢?1、用戶代碼對(duì)Flash的誤操作不當(dāng)引起程序丟失或被錯(cuò)誤改寫例如,在有對(duì)Fla
近期,價(jià)格“跌跌不休”的NAND Flash(閃存芯片)市場,突然遇到了產(chǎn)業(yè)變動(dòng)。7月初,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省宣布,自7月4日起,包括“氟聚酰亞胺”、“光刻膠”和“高純度氟化氫”3種材料將限制向韓國出口。
自己做項(xiàng)目碰到和總結(jié)的一個(gè)問題,感覺挺有用的,貼出來,讓后來的朋友少走彎路!關(guān)鍵詞:nrf51822? ?hex文件格式詳解? ?flash讀寫 hex文件創(chuàng)建和燒錄引言? ? 答題器項(xiàng)目生產(chǎn)時(shí),需要
在有對(duì)Flash寫入或擦除操作的代碼中,如果用戶誤調(diào)用了寫入或擦除函數(shù)或者由于程序跑飛而恰好執(zhí)行了Flash擦除或?qū)懭牒瘮?shù),這自然會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失或改變。
TechShenzhen 物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)論壇6月20日在深圳科興科技園成舉辦,各位演講嘉賓從不同角度解讀了AI+IoT的需求與痛點(diǎn),助力工程師快速實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品設(shè)計(jì)。
根據(jù)集邦科技記憶體儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)調(diào)查指出,隨著美中貿(mào)易爭端升溫,2019年智慧型手機(jī)及伺服器的需求量將低于原先預(yù)期,加上中央處理器(CPU)缺貨問題,仍對(duì)筆記型電腦出貨略有影響,導(dǎo)致eMMC/UFS、固態(tài)硬盤(
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集邦科技記憶體儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)表示,今年第一季除了受到傳統(tǒng)淡季因素影響外,智能手機(jī)及伺服器OEM廠從去年第四季便因需求疲弱而開始調(diào)節(jié)庫存,進(jìn)一步使得各項(xiàng)產(chǎn)品的位元出貨量表現(xiàn)均呈現(xiàn)衰退,導(dǎo)致整體NAND Flash的合約價(jià)跌幅來到去年第一季以來最劇烈的一季。而第一季NAND Flash品牌廠營收季減約23.8%。
萬物互聯(lián)將創(chuàng)造出越來越多的商業(yè)機(jī)遇,各行各業(yè)都對(duì)其充滿期待,NOR Flash這個(gè)“大存儲(chǔ)”產(chǎn)業(yè)鏈中的“小市場”也不例外。
威剛受惠快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)產(chǎn)品出貨暢旺,3月營收攀高至22.68億元,創(chuàng)4個(gè)月新高。威剛表示,因NAND Flash跌價(jià)刺激SSD需求回籠,單月產(chǎn)品營收比重已近25%,為2017年2月來新高,DRAM產(chǎn)品營收貢獻(xiàn)則占50.85%。
2019年3月29日,由全球電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先媒體集團(tuán)ASPENCORE旗下《電子工程專輯》、《電子技術(shù)設(shè)計(jì)》和《國際電子商情》聯(lián)合舉辦的“2019年度中國IC領(lǐng)袖峰會(huì)暨中國IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮”在上海隆重舉行。一路伴隨和見證IC產(chǎn)業(yè)的成長與發(fā)展,中國IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)是電子業(yè)界最受關(guān)注的技術(shù)獎(jiǎng)項(xiàng)之一。憑借高質(zhì)量的產(chǎn)品和杰出的市場表現(xiàn),經(jīng)過中國大陸近萬名工程師在線投票,兆易創(chuàng)新GD32E230系列Cortex®-M23內(nèi)核MCU榮獲“年度最佳MCU”獎(jiǎng)項(xiàng),GD32 MCU市場推廣團(tuán)隊(duì)榮獲“中國杰出 IC 市場推廣團(tuán)隊(duì)”獎(jiǎng)項(xiàng),GD25WD系列NOR Flash榮獲“年度最佳存儲(chǔ)器”獎(jiǎng)項(xiàng)。
東芝在其官網(wǎng)宣布推出符合JEDEC eMMC 5.1規(guī)范的嵌入式閃存,并計(jì)劃在下月向大客戶發(fā)送樣品,以便在今年第三季度大規(guī)模出貨。據(jù)悉,東芝JEDEC eMMC 5.1嵌入式閃存使用的是BiCS Fl
新增NOR Flash、NAND Flash等產(chǎn)品,世強(qiáng)與國內(nèi)存儲(chǔ)及物聯(lián)網(wǎng)芯片產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè)兆易創(chuàng)新(GigaDevice)簽約。