兆易創(chuàng)新GD32 MCU再獲2019年“中國IC設計成就獎”多項殊榮！

2019年3月29日，由全球電子技術領域的領先媒體集團ASPENCORE旗下《電子工程專輯》、《電子技術設計》和《國際電子商情》聯(lián)合舉辦的“2019年度中國IC領袖峰會暨中國IC設計成就獎頒獎典禮”在上海隆重舉行。一路伴隨和見證IC產(chǎn)業(yè)的成長與發(fā)展，中國IC設計成就獎是電子業(yè)界最受關注的技術獎項之一。憑借高質量的產(chǎn)品和杰出的市場表現(xiàn)，經(jīng)過中國大陸近萬名工程師在線投票，兆易創(chuàng)新GD32E230系列Cortex®-M23內核MCU榮獲“年度最佳MCU”獎項，GD32 MCU市場推廣團隊榮獲“中國杰出 IC 市場推廣團隊”獎項，GD25WD系列NOR Flash榮獲“年度最佳存儲器”獎項。

東芝宣布推出符合JEDEC eMMC 5.1規(guī)范的嵌入式閃存，Q3大規(guī)模出貨！

東芝在其官網(wǎng)宣布推出符合JEDEC eMMC 5.1規(guī)范的嵌入式閃存，并計劃在下月向大客戶發(fā)送樣品，以便在今年第三季度大規(guī)模出貨。據(jù)悉，東芝JEDEC eMMC 5.1嵌入式閃存使用的是BiCS Fl

世強代理兆易創(chuàng)新（GigaDevice），新增NOR Flash、NAND Flash產(chǎn)品

新增NOR Flash、NAND Flash等產(chǎn)品，世強與國內存儲及物聯(lián)網(wǎng)芯片產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè)兆易創(chuàng)新(GigaDevice)簽約。

繁榮已過，DRAM今年出貨恐大衰退

由于需求疲弱，繼三星、美光和南亞科后，韓國存儲器大廠SK海力士決定將今年資本支出大砍四成。

尺寸僅為1.5mm′1.5mm，兆易創(chuàng)新推出全新寬電壓、低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布全新的SPI NOR Flash --- GD25WDxxCK產(chǎn)品系列正式量產(chǎn)，它是業(yè)界首款采用1.5mm′1.5mm USON8最小封裝，并支持1.65V至3.6V的低功耗寬工作電壓的產(chǎn)品。

火狐對Flash下手：FireFox 69要停用Flash插件

由于難以根除的安全性頑疾，Adobe Flash Player退出歷史舞臺的節(jié)奏加快。一份BUG文檔顯示，Mozilla基金會計劃從FireFox 69開始停用Flash插件，而這一版本預計今年9月3

STM32F0xx_SPI讀寫(Flash)配置詳細過程

Ⅰ、概述關于SPI(Serial Peripheral Interface)串行外設接口可以說是單片機或者嵌入式軟件開發(fā)人員必須掌握的一項通信方式，就是你在面試相關工作的時候都可能會問及這個問題。在這里問一個簡單的問題：硬件SPI和軟件

市場供過于求，今年NAND Flash供應商資本支出將減少2%

根據(jù)DRAMeXchange調查指出，2018年因供過于求難以遏制，韓國供應商帶頭降低資本支出，NAND Flash總體資本支出下調近10%，但仍無法翻轉供需失衡情形，2019年轉為美國廠商減少資本支出，使得NAND Flash整體資本支出較2018年持續(xù)下滑約2%，總支出規(guī)模約為220億美元。

NAND Flash供應商2019年資本支出年減2%

TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出，NAND Flash市場經(jīng)歷2018年全年供過于求，2019年在筆記本電腦、智能手機、服務器等主要需求表現(xiàn)難見起色下，預計產(chǎn)能過剩難解，因而使得供應商進一步降低資本支出以放緩擴產(chǎn)進程，避免單位成長過多導致過剩狀況加劇。

供大于求態(tài)勢難止，NAND Flash供應商繼續(xù)放緩產(chǎn)能

供需矛盾就是市場的無形手，在它的調整下，商品價格才能趨于合理，內存市場尤為如此。過去兩年來，存儲產(chǎn)品經(jīng)歷了產(chǎn)能不足，價格暴漲，加大投入，釋放產(chǎn)能，價格下跌的一輪循環(huán)，不管是賺錢了還是虧錢了，生產(chǎn)商和下

基于stm32f103zet6之nor flash的學習

有時候，我們需要保存少量數(shù)據(jù)，但是用外擴的ROM又覺得不方便，這時候自然就想到了芯片內部是否自帶flash（閃存），據(jù)我了解，stm32內部的應該是nor flash，因為如果是nand flash的話，肯定速度是跟不上的。不過如果

STM32 USB NAND FLASH 模擬U盤

這次是做一個SD卡的USB讀卡器的功能，我們就在上次NAND Flash模擬出的U盤的工程上修改了，這樣的話只要修改一小部分了。工程的絕大部分不需要修改，只要將fsmc_nand.c文件移除工程，添加上官方的關于SDIO的SD卡的驅動

MSP430 flash的操作

今天順便研究了一下msp430的flash操作，很多人也許看了我的博客，會發(fā)現(xiàn)網(wǎng)站上有很多的人總結得比我要好，這點我承認，因為自己能力有限，但是，從這篇博客起，我會參照以前大神們寫的博客，添加大神們寫過的博客鏈接

STM32學習筆記-Flash做為存儲器儲存數(shù)據(jù)

說到STM32的FLSAH，我們的第一反應是用來裝程序的，實際上，STM32的片內FLASH不僅用來裝程序，還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當然， FLASH還可以用來裝數(shù)據(jù)。 自己收集了一些資料，現(xiàn)將這些資料總結了一下

[ARM筆記]驅動對設備的識別過程及實例——NAND Flash

驅動程序識別設備時，有以下兩種方法：（1）驅動程序本身帶有設備信息，比如開始地址、中斷號等；加載驅動程序時，就可以根據(jù)這些信息來識別設備。（2）驅動程序本身沒有設備信息，但是內核中已經(jīng)（或以后）根據(jù)其他

s3c2410/s3c2440 nand flash工作原理

NAND Flash的尋址方式和NAND Flash的memory組織方式緊密相關。NAND Flash的數(shù)據(jù)是以bit的方式保存在memory cell，一般來說，一個cell中只能存儲一個bit。這些cell以8個或者16個為單位，連成bit line，形成所謂的

億光推出High Power Flash LED EHP-C...

億光電子(everlight electronic)推出超微小型(2.04×1.64mm)high power flash led——ehp-c04。其操作電流可從350ma至1a電流脈波輸入，輸出效率更可達到40lm/w。ehp-c04色溫

用CPLD和Flash實現(xiàn)FPGA配置

如何訪問MSP430F5438單片機64K外的flash

1. 在IAR 的集成開發(fā)環(huán)境中.選中你的工程，右鍵，點options,2. 在Target 頁面中，Data Model選項，4選中Medium或Large, 3. 解釋: - 選中SMALL只能訪問64K以內的空間，以外的空間只能有內部函數(shù)訪問 - 選中Medium

基于CC/CCS的Flash文件系統(tǒng)設計