LED半導體照明網訊 Soraa是一家開發(fā)了基于同質襯底(GaN on GaN)半導體照明技術的美國公司,近日,該司發(fā)布了第一個高彩色和白光色彩還原能力、高光輸出的LED GU10 230V可調光燈泡產品線。該產品獨特之處在于
“現(xiàn)在,業(yè)界對GaN功率元件的期待已達到最高峰。實際上這的確是一種非常有前景的材料。但其中還有很多未知的部分,采用還為時尚早”,在與汽車展會“AUTOMOTIVEWORLD2014”同時舉辦的研討會上,英飛凌科技負責汽車用
LEDinside譯 美國公司Soraa近日發(fā)布了世界首款高顯色、高光輸出、230V線電壓LED GU10燈。該公司已率先發(fā)布了獨有的10版本(這是鹵素燈或其他LED廠商所不具備的),以及一個25的版本,其峰值光密度比鹵素燈和
北京時間1月24日消息(艾斯)根據(jù)網絡技術公司Arieso的一份最新研究報告顯示,全球0.1%的LTE用戶消耗了整個LTE下行數(shù)據(jù)的超過一半。這份研究報告表明,一小部分高帶寬消費者正消耗著全球絕大多數(shù)的數(shù)據(jù)流量,甚至比
美國公司Soraa近日發(fā)布了世界首款高顯色、高光輸出、230V線電壓LEDGU10燈。該公司已率先發(fā)布了獨有的10º版本(這是鹵素燈或其他LED廠商所不具備的),以及一個25º的版本,其峰值光密度比鹵素燈和所有其他LED
目前,HIS系統(tǒng)在醫(yī)院管理中的應用越來越廣泛,其作用也越來越大,但隨著醫(yī)院各種設備聯(lián)網和大數(shù)據(jù)時代,以及醫(yī)院業(yè)務的內生需求,對HIS提出了新的要求。我們不禁在問,我國HIS系統(tǒng)的未來的發(fā)展方向究竟在哪里?醫(yī)院C
為了更好地滿足全球電子行業(yè)對創(chuàng)新型可靠精密互連解決方案的需求,Molex公司在其位于中國成都高新技術開發(fā)區(qū)(Chengdu Hi-Tech Development Zone)的運營場所開設了全新的全球模具中心,擴大公司的全球模具能力。該2
2014年1月17日,為了更好地滿足全球電子行業(yè)對創(chuàng)新型可靠精密互連解決方案的需求,Molex公司在其位于中國成都高新技術開發(fā)區(qū)(Chengdu Hi-Tech Development Zone)的運營場所開設了全新的全球模具中心,擴大公司的全球
黑莓發(fā)布聲明,該公司與一家德國軟件公司達成購買1000部BB10智能手機的協(xié)議。而在過去的鼎盛時期,黑莓每小時的手機銷量近7000部。 近來黑莓境況艱難,它不得不時刻提醒人們它仍然在開門營業(yè)。自10月以來,該公司不斷
1月17日消息,據(jù)外國媒體報道,黑莓發(fā)布聲明,該公司與一家德國軟件公司達成購買1000部黑莓10智能手機的協(xié)議。而在過去的鼎盛時期,黑莓每小時的手機銷量近7000部。近來黑莓境況艱難,它不得不時刻提醒人們它仍然在開
與其他科技公司一樣,諾基亞這段時間以來一直忙著訴訟案件。在歐洲,諾基亞之前在英國已經贏得了禁售HTC手機的訴訟案件。但是,盡管贏得了這次與HTC的專利訴訟案,HTC One及One mini并沒有被禁售。但是,諾基亞現(xiàn)在在
與現(xiàn)在的Si功率半導體相比,SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加,同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
我們在之前章節(jié)談論了使用氮化鎵場效應晶體管在驅動器及版圖方面的考慮因素從而提高性能。本章我們會探討在高頻降壓轉換器使用最優(yōu)版圖并在1 MHz頻率開關時可實現(xiàn)高于96%效
SiC功率半導體方面,在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型,尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一,因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后
時下,LED照明技術正掀起產業(yè)革命旋風。LED照明燈泡廠商正致力于快速提高性能和降低LED燈泡價格。去年,普通家庭款式的LED燈泡,如A19LED燈泡售價在20美金至60美金之間,當時已具有非常高的性價比。今年,高端的LED燈
與現(xiàn)在的Si功率半導體相比,SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加,同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
與現(xiàn)在的Si功率半導體相比,SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加,同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
與現(xiàn)在的Si功率半導體相比,SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加,同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
與現(xiàn)在的Si功率半導體相比,SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加,同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
與現(xiàn)在的Si功率半導體相比,SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加,同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功