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如何使用氮化鎵第四章：在高頻降壓轉換器的氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）

我們在之前章節(jié)談論了使用氮化鎵場效應晶體管在驅動器及版圖方面的考慮因素從而提高性能。本章我們會探討在高頻降壓轉換器使用最優(yōu)版圖并在1 MHz頻率開關時可實現高于96%效

功率器件
2014-01-09

氮化鎵降壓轉換器 FET GAN
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后

半導體
2014-01-08

元件功率半導體 SIC GAN
芯片級拆解：全面剖析新型LED燈泡設計的藝術

時下，LED照明技術正掀起產業(yè)革命旋風。LED照明燈泡廠商正致力于快速提高性能和降低LED燈泡價格。去年，普通家庭款式的LED燈泡，如A19LED燈泡售價在20美金至60美金之間，當時已具有非常高的性價比。今年，高端的LED燈

顯示光電
2014-01-06

芯片級 LED芯片 LED燈泡 GAN
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

半導體
2014-01-04

元件功率半導體 SIC GAN
新一代功率半導體加速導入元器件廠商拼殺

與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

消費電子
2014-01-03

功率半導體元器件 SIC GAN
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

消費電子
2014-01-03

元件功率半導體 SIC GAN
新一代功率半導體：元件開發(fā)競爭激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

電子設計自動化
2014-01-03

元件功率半導體 SIC GAN
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

電子設計自動化
2014-01-03

元件功率半導體 SIC GAN
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后

模擬
2014-01-02

元件功率半導體 SIC GAN
汽車共享業(yè)正從快速擴張步入盈利時代

[摘要] 清潔技術市場調研與咨詢公司Navigant Research預計，2013年初到年末，全球加入汽車共享的成員已從230萬增加到1200萬。　　隨著消費者對開車燃油成本逐年上升愈加失望，以及購車欲望的下降，汽車共享

汽車電子
2014-01-02

汽車 IPC VI GAN
元件開發(fā)競爭激烈亞洲企業(yè)紛紛涉足

與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

電子設計自動化
2013-12-31

元件功率半導體基板 GAN
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

模擬
2013-12-30

元件功率半導體 SIC GAN
新一代功率半導體：元件開發(fā)競爭激烈

與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)

電源
2013-12-30

元件功率半導體 SIC GAN
奧迪注冊新商標預示未來新車陣容

[摘要] 奧迪近期注冊了一系列新商標，包括SQ2、SQ4、Q9和F-TRON等，其中f-tron可能為一款燃料電池車型。奧迪近期注冊了一系列新商標，包括SQ2、SQ4、Q9和F-TRON等，這些新商標可能是未來新車陣容的名稱。

汽車電子
2013-12-27

奧迪 SUV LAN GAN
日本低阻值的n

日本名城大學和名古屋大學的研究人員已經生產了低阻值的n型氮化鋁稼(n-AlGaN)。通過將n-AlGaN作為紫外LED的一部分，研究人員成功將電光轉換效率(wall-plug efficiency )提升了15%左右。這種低阻值的n

顯示光電
2013-12-24

電極阻值 LG GAN
日本低阻值的n-AlGaN，電光轉換效率提升15%

日本名城大學和名古屋大學的研究人員已經生產了低阻值的n型氮化鋁稼(n-AlGaN)。通過將n-AlGaN作為紫外LED的一部分，研究人員成功將電光轉換效率(wall-plugefficiency)提升了15%左右。這種低阻值的n-AlGaN采用MOVPE在

半導體
2013-12-21

阻值電光 LG GAN
吉利2014年初在巴西運營將在當地建廠

[摘要] 中國吉利控股集團計劃2014年1月開始正式進軍巴西市場，從2014年1月開始，吉利將在巴西銷售帝豪EC7和全球鷹GC2兩款車。

汽車電子
2013-12-20

吉利 NI UI GAN
日本研究低阻值的n-AlGaN 可提升15%電光轉換效率

日本名城大學和名古屋大學的研究人員已經生產了低阻值的n型氮化鋁稼(n-AlGaN)。通過將n-AlGaN作為紫外LED的一部分，研究人員成功將電光轉換效率(wall-plugefficiency)提升了15%左右。這種低阻值的n-AlGaN采用MOVPE在

半導體
2013-12-19

阻值電光 LG GAN
北方微電子:提升芯片亮度、降低成本的設備技術前瞻性布局

隨著LED市場競爭的愈發(fā)激烈，LED芯片企業(yè)要保持市場地位，贏取穩(wěn)定的利潤率，就必須不斷提升產品性能，主動提高光效、降低成本，做到成本下降快于產品價格下降。而降低外延、芯片成本除了規(guī)?；a外，主要在技術創(chuàng)

顯示光電
2013-12-13

芯片微電子 LED芯片 GAN
德科學家利用“煉金術”開發(fā)暖色調LED

 近日，德國科學家團隊已經開發(fā)出一種方法，讓原本發(fā)出藍色冷光的LED燈呈現溫暖的色調。這種方法可以徹底革新高效LED，并且它已經為這支團隊獲得了科學獎提名。    近年來，LE

顯示光電
2013-12-06

LED HMI IDT GAN

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GAN

如何使用氮化鎵第四章：在高頻降壓轉換器的氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）

新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

芯片級拆解：全面剖析新型LED燈泡設計的藝術

新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

新一代功率半導體加速導入元器件廠商拼殺

新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

新一代功率半導體：元件開發(fā)競爭激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

汽車共享業(yè)正從快速擴張步入盈利時代

元件開發(fā)競爭激烈亞洲企業(yè)紛紛涉足

新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

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日本低阻值的n

日本低阻值的n-AlGaN，電光轉換效率提升15%

吉利2014年初在巴西運營將在當地建廠

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