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瑞薩電子推出全新GaN充電方案，為廣泛的工業(yè)及物聯(lián)網(wǎng)電子設(shè)備帶來500W強(qiáng)勁功率
基于GaN的HWLLC轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，為下一代計(jì)算設(shè)備、電動(dòng)工具及電動(dòng)自行車樹立功率密度與峰值效率新標(biāo)桿
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意法半導(dǎo)體新MasterGaN功率芯片整合設(shè)計(jì)靈活性和先進(jìn)GaN技術(shù)
面向消費(fèi)電子充電器和電源適配器、工業(yè)照明電源、太陽能微逆變器
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基于GaN器件的工業(yè)電源OVP設(shè)計(jì)，高頻化與低損耗的突破
在工業(yè)電源領(lǐng)域，過電壓保護(hù)(OVP)是保障設(shè)備安全運(yùn)行的核心功能。傳統(tǒng)硅基器件受限于材料特性，在高頻化、低損耗設(shè)計(jì)上面臨物理瓶頸，而氮化鎵(GaN)憑借其高電子遷移率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，正推動(dòng)工業(yè)電源OVP技術(shù)向高頻化、低損耗方向突破。本文將從方案架構(gòu)、應(yīng)用場(chǎng)景及技術(shù)先進(jìn)性三方面展開分析。
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羅姆加強(qiáng)GaN功率器件供應(yīng)能力
融合臺(tái)積公司工藝技術(shù)，在集團(tuán)內(nèi)部建立一體化生產(chǎn)體系
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智能GaN降壓控制器設(shè)計(jì)——第2部分：配置和優(yōu)化
為了提供正確的死區(qū)時(shí)間延遲，傳統(tǒng)上是在控制器中內(nèi)置固定的預(yù)設(shè)延遲，或通過外部元件進(jìn)行一定程度的調(diào)整。這種調(diào)整需要充分考慮特定FET器件的特性，防止因過驅(qū)而造成損壞。這一調(diào)整過程可能非常耗時(shí)，而且難以準(zhǔn)確衡量。為了優(yōu)化導(dǎo)通和關(guān)斷擺率與延遲，必須高度重視測(cè)量技術(shù)。精確的測(cè)量能夠確保系統(tǒng)在實(shí)現(xiàn)最大功率輸出的同時(shí)，將損耗降至最低，并有效避免損壞開關(guān)元件。
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智能GaN降壓控制器設(shè)計(jì)——第1部分：考慮因素和測(cè)量方法
同步轉(zhuǎn)換器的工作原理是交替切換控制開關(guān)和同步開關(guān)器件（通常是FET）的通斷狀態(tài)。這種操作的時(shí)序非常重要。如果關(guān)斷一個(gè)開關(guān)與接通另一個(gè)開關(guān)之間的延遲時(shí)間過長(zhǎng)，效率就會(huì)受到影響。如果延遲時(shí)間不夠長(zhǎng)，當(dāng)大量電流流過這對(duì)開關(guān)時(shí)，就可能發(fā)生所謂的“直通”現(xiàn)象。這會(huì)顯著降低效率，并可能損壞元器件。本文是關(guān)于智能GaN降壓控制器設(shè)計(jì)的兩篇文章中的第一篇，討論了所涉及的動(dòng)態(tài)特性及其正確測(cè)量方法。
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VisIC完成超億元B輪融資，現(xiàn)代汽車等最新參投
VisIC Technologies宣布完成由全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者領(lǐng)投的2,600萬美元B輪融資，Hyundai Motor Company和Kia（統(tǒng)稱"HKMC"）作為戰(zhàn)略投資者參投 以色列內(nèi)斯齊奧納2026年1月7日 /美通社/ -- 電動(dòng)汽車氮化鎵（Ga...
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VisIC完成超億元B輪融資，現(xiàn)代汽車等最新參投
VisIC Technologies宣布完成由全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者領(lǐng)投的2,600萬美元B輪融資，Hyundai Motor Company和Kia(統(tǒng)稱“HKMC”)作為戰(zhàn)略投資者參投
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VisIC宣布完成2,600萬美元B輪融資
VisIC Technologies宣布完成由全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者領(lǐng)投的2,600萬美元B輪融資，Hyundai Motor Company和Kia（統(tǒng)稱“HKMC”）作為戰(zhàn)略投資者參投 以色列內(nèi)斯齊奧納2025年12月11日 /美通社...
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美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)裁定英飛凌在針對(duì)英諾賽科的一項(xiàng)專利侵權(quán)案中勝訴
【2025年12月3日, 德國(guó)慕尼黑訊】美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)裁定英諾賽科侵犯了英飛凌科技股份公司(FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY)擁有的一項(xiàng)氮化鎵(GaN)技術(shù)專利。此外，在初步裁定中，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)確認(rèn)，英飛凌在向該委員會(huì)提起的訴訟中所主張的兩項(xiàng)專利皆具有法律效力。本案的核心在于英諾賽科未經(jīng)授權(quán)使用英飛凌受專利保護(hù)的GaN技術(shù)。委員會(huì)最終裁決預(yù)計(jì)將于2026年4月2日發(fā)布，若這項(xiàng)初步裁決最終獲得確認(rèn)，將導(dǎo)致英諾賽科涉嫌侵權(quán)的產(chǎn)品被禁止進(jìn)口至美國(guó)。
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Allegro與英諾賽科聯(lián)合推出全GaN參考設(shè)計(jì)，賦能AI數(shù)據(jù)中心電源
Allegro 創(chuàng)新柵極驅(qū)動(dòng)器助力工程師實(shí)現(xiàn)鈦金級(jí)效率和極佳功率密度，滿足嚴(yán)苛的 AI 和邊緣計(jì)算應(yīng)用需求
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意法半導(dǎo)體集成化GaN反激式轉(zhuǎn)換器，簡(jiǎn)化應(yīng)用設(shè)計(jì)，消除可聽噪聲
2025年11月17日，瑞士日內(nèi)瓦——意法半導(dǎo)體推出一系列GaN反激式轉(zhuǎn)換器，幫助開發(fā)者輕松研發(fā)和生產(chǎn)體積緊湊的高能效USB-PD充電器、快充和輔助電源。新系列轉(zhuǎn)換器在低負(fù)載條件下采用意法半導(dǎo)體專有技術(shù)，確保電源和充電器無聲運(yùn)行，為用戶帶來出色的使用體驗(yàn)。
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GAN技術(shù)在電機(jī)控制中的優(yōu)勢(shì)
較新的寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料氮化鎵 (GaN) 的引入代表功率電子行業(yè)在朝著這個(gè)方向發(fā)展，并且，隨著這項(xiàng)技術(shù)的商用程度不斷提高，其應(yīng)用市場(chǎng)正在迅猛增長(zhǎng)。
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GaNSiC功率器件應(yīng)用，高頻高效電路設(shè)計(jì)與熱管理挑戰(zhàn)
在新能源汽車、5G通信、數(shù)據(jù)中心等高算力場(chǎng)景，功率電子器件正經(jīng)歷一場(chǎng)由傳統(tǒng)硅基向?qū)捊麕Р牧?GaN氮化鎵、SiC碳化硅)的革命性轉(zhuǎn)型。GaN與SiC憑借其獨(dú)特的物理特性，不僅重塑了功率器件的性能邊界，更對(duì)高頻電路設(shè)計(jì)與熱管理系統(tǒng)提出了全新挑戰(zhàn)。
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功率半導(dǎo)體的極致演繹，英飛凌從晶圓、封裝、模塊、方案進(jìn)行全面技術(shù)創(chuàng)新
從工業(yè)數(shù)字化、到電動(dòng)出行、再到現(xiàn)在的AI革命，離不開創(chuàng)新的能源技術(shù)驅(qū)動(dòng)，尤其是以SiC/GaN為代表的第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。而英飛凌憑借在該領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，牢牢把握這一趨勢(shì)。
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GaN功率放大器測(cè)試全流程：負(fù)載牽引系統(tǒng)與熱阻抗的協(xié)同表征方法
在5G基站、衛(wèi)星通信及毫米波雷達(dá)等高頻應(yīng)用場(chǎng)景中，氮化鎵(GaN)功率放大器憑借其高功率密度、高效率及寬頻帶特性成為核心器件。然而，其測(cè)試流程面臨雙重挑戰(zhàn)：一方面需通過負(fù)載牽引系統(tǒng)優(yōu)化大信號(hào)參數(shù)，另一方面需精準(zhǔn)表征熱阻抗以避免器件失效。本文結(jié)合行業(yè)實(shí)踐案例，系統(tǒng)闡述負(fù)載牽引與熱阻抗協(xié)同測(cè)試的全流程方法。
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GaN器件驅(qū)動(dòng)芯片的選型指南：門極電荷匹配、傳輸延遲與抗干擾性測(cè)試
氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，憑借其高電子遷移率、低導(dǎo)通電阻和超快開關(guān)速度，在高頻、高功率密度電源領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。然而，GaN器件的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)面臨獨(dú)特挑戰(zhàn)：其門極電荷特性、傳輸延遲要求及抗干擾能力直接影響系統(tǒng)效率與可靠性。本文從門極電荷匹配、傳輸延遲優(yōu)化及抗干擾性測(cè)試三個(gè)維度，結(jié)合典型應(yīng)用案例，系統(tǒng)闡述GaN驅(qū)動(dòng)芯片的選型方法。
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快充適配器設(shè)計(jì)，GaN器件在65W PD充電器中的高頻化與熱應(yīng)力平衡
在移動(dòng)設(shè)備續(xù)航需求與充電效率矛盾日益突出，氮化鎵(GaN)憑借其高頻特性與熱穩(wěn)定性優(yōu)勢(shì)，成為65W PD快充適配器的核心材料。通過高頻化設(shè)計(jì)提升功率密度，同時(shí)通過熱應(yīng)力管理保障器件可靠性，GaN技術(shù)正在重新定義快充適配器的性能邊界。
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羅姆攜眾多先進(jìn)解決方案和技術(shù)亮相2025 PCIM Asia Shanghai
中國(guó)上海，2025年9月11日——全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)今日宣布，將于9月24日～26日參加上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)暨研討會(huì)(以下簡(jiǎn)稱PCIM Asia Shanghai)。屆時(shí)，羅姆將展示其在工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域中卓越的SiC和GaN產(chǎn)品和技術(shù)。同時(shí)，羅姆還將在現(xiàn)場(chǎng)舉辦技術(shù)研討會(huì)，分享其最新的電力電子解決方案。
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GaN器件在AC-DC中的應(yīng)用，高頻化帶來的磁元件小型化與損耗分析
氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，憑借其寬禁帶、高電子遷移率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)等特性，正在重塑AC-DC轉(zhuǎn)換器的技術(shù)格局。在高頻化趨勢(shì)下，GaN器件不僅推動(dòng)了磁元件的小型化，還深刻改變了損耗分布與優(yōu)化策略，為消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、通信基站等領(lǐng)域的高效電源設(shè)計(jì)提供了關(guān)鍵支撐。
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