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GAN

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  • GaN FET：發(fā)燒友的首選技術(shù)

    從智能設(shè)備充電器等低功率、低成本應(yīng)用一直到高功率汽車應(yīng)用，氮化鎵 FET 正成為許多產(chǎn)品的廣泛首選。大多數(shù)情況下，設(shè)計人員對 GaN 提供的更高的效率和功率密度印象深刻，這導(dǎo)致器件具有比硅同類產(chǎn)品更大的功率能力。然而，高端音頻放大器現(xiàn)在也越來越多地轉(zhuǎn)向 GaN 技術(shù)，因為 GaN FET 的平滑開關(guān)特性導(dǎo)致注入放大器的可聽噪聲更少。

  • Nexperia最新發(fā)布的產(chǎn)品和Wise-integration 的GaN產(chǎn)品

    Nexperia 是基本半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家，最近宣布其最新產(chǎn)品添加到越來越多的分立器件中，該器件采用具有側(cè)面可濕性側(cè)面 (SWF) 的無引線 DFN 封裝。這些節(jié)省空間且堅固耐用的組件有助于滿足智能和電動汽車中下一代應(yīng)用的需求

  • GANT襯衫先鋒承襲經(jīng)典，暨沈陽K11全新門店正式啟幕

    "襯"出新我，再續(xù)傳奇 沈陽2022年9月8日 /美通社/ -- 9月6日，GANT沈陽K11全新門店正式啟幕。此次GANT以新店開幕為契機，回顧品牌標(biāo)志性襯衫單品的誕生與歷史，并演繹經(jīng)歷沉淀后的迭代蛻變，擁抱全新襯衫型格，"襯"出新我。...

  • 電力電子課程：第 8 部分 - 功率元件碳化硅和GaN

    基于硅 (Si) 的電力電子產(chǎn)品長期以來一直主導(dǎo)著電力電子行業(yè)。由于其重要的優(yōu)勢，碳化硅(SiC)近年來在市場上獲得了很大的空間。隨著新材料的應(yīng)用，電子開關(guān)的靜態(tài)和動態(tài)電氣特性得到了顯著改善。

  • 用于下一代射頻應(yīng)用的氮化鎵 (GaN) 概述

    近二十年來，氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體技術(shù)已被曝光，預(yù)示著射頻功率能力的范式轉(zhuǎn)變。盡管所有這些承諾尚未兌現(xiàn)，但 GaN 器件已穩(wěn)步進入許多射頻、微波、毫米波 (mmWave)，甚至現(xiàn)在甚至是太赫茲波 (THz) 應(yīng)用。

  • ROHM最新的GaN HEMT 提器件的高柵極耐壓

    新 EcoGaN? 系列的第一個系列有助于降低數(shù)據(jù)中心和基站的功耗并實現(xiàn)更大的小型化 ROHM 150V GaN HEMT、GNE10xxTB 系列( GNE1040TB ) 將柵極耐壓(額定柵極-源極電壓)提高到業(yè)界領(lǐng)先的 8V - 非常適用于工業(yè)設(shè)備(如基站和數(shù)據(jù)中心以及物聯(lián)網(wǎng))的電源電路通訊設(shè)備。

    功率器件
    2022-09-01
    ROHM GaN

  • 一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導(dǎo)體討論，第五部分

    我的最后一個問題是關(guān)于展望未來：您如何看待未來幾年的 GaN?與 GaN 競爭的其他寬帶隙材料有哪些?所以，我提到了一些關(guān)于碳化硅的事情。因此，這些天來，我們也在談?wù)撾妱悠嚒Ｄ敲?，與其他解決方案相比，GaN 在哪些方面可以提供良好的價值?我們期望在哪里看到下一波增長?

  • 一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導(dǎo)體討論，第四部分

    現(xiàn)在討論的一個主題是器件的熱管理方面，而寬帶隙半導(dǎo)體、氮化鎵，但不僅是碳化硅解決方案，承諾更高的工作溫度和更高的效率。如您所知，在將這些設(shè)備設(shè)計到系統(tǒng)中時，設(shè)計人員還需要考慮熱管理問題。那么，您的技術(shù)戰(zhàn)略是什么，您如何看待隨著功率密度的增加而對工藝和封裝技術(shù)的未來發(fā)展產(chǎn)生影響的熱管理需求?

  • 一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導(dǎo)體討論，第三部分

    最新的GaN技術(shù)是把邏輯集成到 E-Mode GaN HEMT 中，因此，它可以以最少的工作量與驅(qū)動程序和控制器連接，并且還可以節(jié)省成本，因此不需要額外的組件。因此，我們的解決方案可以像 MOSFET 一樣被驅(qū)動。為什么E-Mode GaN HEMT選擇集成邏輯而不是 GaN 驅(qū)動器的原因是什么嗎?

  • 一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導(dǎo)體討論，第二部分

    目前有幾個 GaN 器件概念。那么，大家能告訴我從設(shè)計的角度來看，哪些是主要的，哪些是我們的發(fā)展方向?，關(guān)于GaN的十件事，有沒有你更關(guān)注的點?

  • 用于電氣化的下一代 GaN發(fā)展，第二部分

    在半導(dǎo)體外延材料制造過程中，會產(chǎn)生位錯，即材料中的缺陷。半導(dǎo)體中的缺陷越多，可以在晶片上生產(chǎn)的可用器件就越少，這會增加成本。此外，不良的材料界面會導(dǎo)致更高的器件通道電阻，從而導(dǎo)致更多的能量在運行過程中被浪費，從而降低芯片的能效。

  • PFC 圖騰柱架構(gòu)和 GaN 相結(jié)合，實現(xiàn)高功率和高效率

    開放計算項目 (OCP) 由 Facebook 發(fā)起，旨在通過在感興趣的公司之間公開共享數(shù)據(jù)中心解決方案和構(gòu)建模塊來減少超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的 OPEX 和 CAPEX。Google 于 2016 年加入 OCP，Bel Power Solutions自 OCP 開始以來一直提供符合 OCP 的電源解決方案。

  • 大數(shù)據(jù)中心電源和能量使用的情況討論，第四部分

    我與 Vicor 的產(chǎn)品營銷和技術(shù)資源公司副總裁 Robert Gendron 就他們的數(shù)據(jù)中心戰(zhàn)略進行了交談。我首先詢問了在他們的架構(gòu)中使用 GaN 的情況;Vicor 已與其他 FET 一起評估了該技術(shù)。

  • Transphorm GaN 系統(tǒng)級電源轉(zhuǎn)換解決方案實現(xiàn)了新的性能

    最近，我會見了 Transphorm 總裁兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Primit Parikh。Parikh 強調(diào)，他們的 GaN on Silicon 解決方案是業(yè)內(nèi)唯一通過 JEDEC 認(rèn)證的產(chǎn)品。

  • 用于 AC-DC 電源轉(zhuǎn)換的 GaN 評估板

    Transphorm 發(fā)布了用于 AC/DC 轉(zhuǎn)換的 TDTTP4000W065AN 評估板。該板使用其 SuperGaN Gen IV GaN FET 技術(shù)將單相交流電轉(zhuǎn)換為高達 4 kW 的直流電，并采用傳統(tǒng)模擬控制的無橋圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)。

    電源AC/DC
    2022-08-01
    AC/DC GaN

  • 世界腦健康日：我國 "腦健康行動"啟動，把握"機會窗口期"

    北京2022年7月23日 /美通社/ -- 為貫徹落實黨中央、國務(wù)院全面推進健康中國建設(shè)的戰(zhàn)略部署，進一步促進腦健康科學(xué)普及，積極預(yù)防認(rèn)知障礙、腦血管病與抑郁癥等重大神經(jīng)和精神系統(tǒng)疾病，在國家衛(wèi)生健康委員會、健康中國行動推進委員會辦公室和中華醫(yī)學(xué)會的指導(dǎo)下，2022年7月22日&...

  • 涂鴉智能推出BornSmart主題活動，"燃爆"全球智能家居市場生態(tài)

    加利福尼亞州圣克拉拉2022年7月18日 /美通社/ -- 眾所周知，優(yōu)質(zhì)的智能產(chǎn)品不僅能創(chuàng)造更高效的生活方式，同時也能夠帶來更舒適的生活體驗。 借助IoT技術(shù)，用戶可以在現(xiàn)實中體驗各種"天馬行空"的智慧家庭場景 -- 從辦公室開車回家時，可以遠程打開客廳空...

  • 適用于 CSP GaN FET 的簡單且高性能的熱管理解決方案

    由于具有更好的品質(zhì)因數(shù)，氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體提供比硅更高的功率密度，占用的芯片面積更小，因此需要更小尺寸的封裝。假設(shè)器件占用的面積是決定熱性能的主要因素，那么可以合理地假設(shè)較小的功率器件會導(dǎo)致較高的熱阻。3,4本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同(如果不優(yōu)于)的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時提高功率密度。這種行為將通過 PCB 布局的詳細(xì) 3D 有限元模擬來展示，同時還提供實驗驗證以支持分析。

  • 汽車應(yīng)用中的寬帶隙材料

    電動汽車 (EV) 和混合動力電動汽車 (HEV) 正在尋找提高功率轉(zhuǎn)換效率的解決方案。 長期以來，大多數(shù)電子功率器件都是基于硅的，硅是一種可以在加工過程中幾乎不會產(chǎn)生任何缺陷的半導(dǎo)體。然而，硅的理論性能現(xiàn)在幾乎已經(jīng)完全實現(xiàn)，突出了這種材料的一些局限性，包括有限的電壓阻斷能力、有限的傳熱能力、有限的效率和不可忽略的傳導(dǎo)損耗。與硅相比，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體具有更出色的性能：更高的效率和開關(guān)頻率、更高的工作溫度和更高的工作電壓。

  • 從硅到 SiC 和 GaN MOSFET 技術(shù)的發(fā)展

    本文追溯了電力電子的歷史，可追溯到硅MOSFET仍用于驅(qū)動強大的電子負(fù)載時。讓我們通過描述、應(yīng)用和模擬重新發(fā)現(xiàn)硅的世界，了解電子世界是如何在短短幾年內(nèi)發(fā)生巨大變化的，因為新的 SiC 和 GaN MOSFET 的發(fā)現(xiàn)和開發(fā)。

    功率器件
    2022-07-07
    MOSFET SiC GaN