使用高壓 GaN 器件提高電源可靠性

氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 提高了轉(zhuǎn)換器效率，與具有相同額定電壓的硅 FET 相比，具有更低的柵極電荷、更低的輸出電荷和更低的導(dǎo)通電阻。在總線電壓大于 380V 的高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，耗盡型（d 型）GaN HEMT 比增強(qiáng)型（e 型）GaN HEMT 更受歡迎。

使用氮化鎵(GaN)提高電源效率

如今，越來越多的設(shè)計(jì)者在各種應(yīng)用中使用基于氮化鎵的反激式AC/DC電源。氮化鎵之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源尺寸，降低工作溫度。

第三代半導(dǎo)體潮起，我國GaN射頻市場迎何機(jī)遇？

第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。

半導(dǎo)體發(fā)展及應(yīng)用

以GaN(氮化鎵)為代表的第三代半導(dǎo)體材料及器件的開發(fā)是新興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心和基礎(chǔ)，其研究開發(fā)呈現(xiàn)出日新月異的發(fā)展勢態(tài)。

半導(dǎo)體發(fā)展

半導(dǎo)體的發(fā)現(xiàn)實(shí)際上可以追溯到很久以前。1833年，英國科學(xué)家電子學(xué)之父法拉第最先發(fā)現(xiàn)硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同于一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但法拉第發(fā)現(xiàn)硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。

釋放GaN全部潛力，GaNSense進(jìn)一步提高GaN功率芯片集成度

隨著蘋果新一代的140W氮化鎵（GaN）快充面世，GaN進(jìn)一步走進(jìn)了大眾視線。GaN具備超過硅20倍的開關(guān)速度，3倍的禁帶寬度。天然的優(yōu)勢可以讓整體的電源設(shè)計(jì)功率密度更高，讓整體電源方案體積和重量更小。但GaN作為一種新材料器件，要發(fā)揮其真正的優(yōu)勢，仍需要很多的新的技術(shù)積累來支撐...

GaN管芯射頻功率放大器的研究

摘要：給出了一種基于GaN管芯的C波段射頻功率放大器的設(shè)計(jì)方法。該方法采用CREE公司的CGH60120D芯片，并利用ADS軟件對(duì)管芯模型進(jìn)行負(fù)載牽引，以得到管芯的最佳阻抗值，然后設(shè)計(jì)管芯的負(fù)載匹配電路和直流偏置電路。最后對(duì)整個(gè)電路系統(tǒng)進(jìn)行仿真，使其達(dá)到預(yù)期的功率值。

三款全新MasterGaN系列產(chǎn)品提供新的GaN配置，最高450 mΩ

點(diǎn)擊“意法半導(dǎo)體PDSA"，關(guān)注我們！MASTERGAN3、MASTERGAN4、以及MASTERGAN5器件現(xiàn)在已發(fā)貨至分銷商處，支持工程師創(chuàng)建新的應(yīng)用。MASTERGAN3的低側(cè)電阻為225mΩ，高側(cè)電阻為450mΩ。另一方面，MASTERGAN4的低側(cè)和高側(cè)電阻均為225m...

GaN FET 成為下一代工業(yè)電源的優(yōu)先選擇

傳統(tǒng)的電源主力——金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)——只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的情況下才能提高功率密度。

TI 推出全新 GaN 技術(shù)，攜手臺(tái)達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們！德州儀器（TI）今宣布其氮化鎵（GaN）技術(shù)和?C2000?實(shí)時(shí)微控制器（MCU），輔以臺(tái)達(dá)（DeltaElectronics）長期耕耘之電力電子核心技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心開發(fā)設(shè)計(jì)高效、高功率的企業(yè)用服務(wù)器電源供應(yīng)器（PSU）。與使用傳統(tǒng)架構(gòu)的企業(yè)服務(wù)器電源供應(yīng)器...

車載 GaN FET 可實(shí)現(xiàn) HEVEV 的高頻和穩(wěn)健性設(shè)計(jì)

為了解決消費(fèi)者對(duì)電動(dòng)汽車 (EV) 普及的里程、充電時(shí)間和價(jià)格等問題，世界各地的汽車制造商都在增加電池容量而不增加尺寸、重量或組件成本。我正在尋找一種加快速度的方法充電。

TI?推出全新?GaN?技術(shù)，攜手臺(tái)達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們！德州儀器（TI）今宣布其氮化鎵（GaN）技術(shù)和?C2000?實(shí)時(shí)微控制器（MCU），輔以臺(tái)達(dá)（DeltaElectronics）長期耕耘之電力電子核心技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心開發(fā)設(shè)計(jì)高效、高功率的企業(yè)用服務(wù)器電源供應(yīng)器（PSU）。與使用傳統(tǒng)架構(gòu)的企業(yè)服務(wù)器電源供應(yīng)器...

TI推出全新GaN技術(shù)，攜手臺(tái)達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

TI領(lǐng)先的功率密度、全新架構(gòu)與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務(wù)器的設(shè)計(jì)難題，降低總所有成本北京2021年9月23日/美通社/--德州儀器（TI）（納斯達(dá)克代碼TXN）今宣布其氮化鎵（GaN）技術(shù)和C2000?實(shí)時(shí)微控制器（MCU），輔以臺(tái)達(dá)（DeltaElectronics）長期耕...

德州儀器推出全新GaN技術(shù)，攜手臺(tái)達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

（全球TMT2021年9月23日訊）德州儀器（TI）宣布其氮化鎵（GaN）技術(shù)和 C2000™ 實(shí)時(shí)微控制器（MCU），輔以臺(tái)達(dá)（Delta Electronics）長期耕耘之

TI推出全新GaN技術(shù)，攜手臺(tái)達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

TI領(lǐng)先的功率密度、全新架構(gòu)與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務(wù)器的設(shè)計(jì)難題，降低總所有成本

GaN 打破壁壘——射頻功率放大器變得更寬更高級(jí)

意法半導(dǎo)體單片 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器加速工業(yè)和家庭自動(dòng)化并提高靈活性和集成度

中國，2021年9月9日——意法半導(dǎo)體的 STDRIVEG600半橋柵極驅(qū)動(dòng)器輸出電流大，高低邊輸出信號(hào)傳播延遲相同，都是45ns，能夠驅(qū)動(dòng) GaN 增強(qiáng)型 FET 高頻開關(guān)。

三款全新MasterGaN系列產(chǎn)品提供新的GaN配置，最高450?mΩ

點(diǎn)擊“意法半導(dǎo)體PDSA"，關(guān)注我們！MASTERGAN3、MASTERGAN4、以及MASTERGAN5器件現(xiàn)在已發(fā)貨至分銷商處，支持工程師創(chuàng)建新的應(yīng)用。MASTERGAN3的低側(cè)電阻為225mΩ，高側(cè)電阻為450mΩ。另一方面，MASTERGAN4的低側(cè)和高側(cè)電阻均為225m...

厚積薄發(fā)，ST和Exagan開啟GaN發(fā)展新篇章

??點(diǎn)擊上方?“?意法半導(dǎo)體PDSA”，關(guān)注我們????????氮化鎵(GaN)是???一種III-V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率分別為1.1eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有性質(zhì)讓器件具有更...

宏光照明子公司認(rèn)購VisIC，進(jìn)入GaN相關(guān)產(chǎn)品的開發(fā)業(yè)務(wù)

8月24日，宏光照明發(fā)布公告稱，公司的全資附屬公司FastSemiHoldingLtd.已投資VisICTechnologiesLimited。根據(jù)購股協(xié)議，F(xiàn)astSemi同意認(rèn)購VisIC1,749,961股股份，約占VisIC經(jīng)擴(kuò)大已發(fā)行股本的21.86%，作價(jià)約25百萬美...