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新加坡芯片廠突然倒閉，員工解散！
業(yè)內消息，近日新加坡 RF GaN（射頻氮化鎵）芯片供應商 Gallium Semiconductor（加聯(lián)賽半導體）突然終止業(yè)務并解雇所有員工，包括位于荷蘭奈梅亨的研發(fā)中心。
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英飛凌：增強功率系統(tǒng)領域的領導地位，助力低碳可持續(xù)發(fā)展
如何把握住2024年的行業(yè)新機遇，實現(xiàn)技術突破創(chuàng)新，賦能各類新興應用的發(fā)展？新一年伊始，我們采訪到了英飛凌科技全球高級副總裁暨大中華區(qū)總裁、英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)負責人潘大偉，他和我們分享了英飛凌這一年來的成績，以及對于明年的市場趨勢展望。
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瑞薩收購Transphorm，利用GaN技術擴展電源產品陣容
增強瑞薩寬禁帶專業(yè)知識和產品路線圖發(fā)展，以應對電動汽車、數(shù)據(jù)中心、人工智能電源，以及可再生能源快速增長的市場機遇。
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大聯(lián)大詮鼎集團推出基于Innoscience產品的2KW PSU服務器電源方案
大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience InnoGaN器件-INN650TA030AH、INN650TA070AH和INN650D080BS芯片推出2KW PSU服務器電源方案，旨在利用先進的GaN器件助力服務器電源實現(xiàn)更出色的能效。
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占板面積減半！Allegro Power-Thru技術帶來GaN隔離柵極驅動器新選擇
從電流感應、磁傳感器和電源的結合，Allegro Microsystems在汽車和工業(yè)市場贏得了成功。而今通過對于Power-Thur技術的隔離柵極驅動器的成功發(fā)布，Allegro繼續(xù)擴大優(yōu)勢，強勢布局寬禁帶器件功率市場，為客戶應用帶來更好的選擇。
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意法半導體和法國空客將聯(lián)合開發(fā)功率半導體
21ic 近日獲悉，意法半導體(ST)和法國空客公司將聯(lián)合研發(fā)功率半導體，雙方表示開發(fā)的新型電力電子設備更高效，將用于混合動力飛機和全電動城市飛行器。
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ST的半導體制造戰(zhàn)略：加大第三代半導體垂直整合，與客戶長期雙贏
對于ST而言，芯片設計和制造同樣重要。ST在制造上的戰(zhàn)略規(guī)劃正在逐步實施，將會幫助其實現(xiàn)200億美元營收和2027碳中和兩大目標。
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通過最新 GaN 器件提高設備電源效率，降低能源消耗
從 EPC 的角度來看，我們將通過我們的 GaN 器件推出全新一代技術。所以那將是一個令人興奮的發(fā)布。我們顯然也期待與我們在汽車行業(yè)以及最近真正起飛的太陽能行業(yè)的合作伙伴公司討論我們在 GaN 方面的所有新技術。因此，電源解決方案的設計人員面臨挑戰(zhàn)，并且越來越多地轉向所謂的寬帶隙技術來克服硅的局限性。其中之一是 GaN，您非常了解它。所以正如你在一篇文章中所說，GaN技術有一個硅無法比擬的優(yōu)勢。這就是將功率器件與信號和數(shù)字器件集成的能力。那么你在哪里押注 GaN，為什么?
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垂直 GaN 技術：GaN 在橫向和縱向技術方面的主要技術差異
垂直結構通常被認為有利于高電壓、高功率器件，因為它便于電流擴散和熱管理，并允許在不增大芯片尺寸的情況下實現(xiàn)高電壓幾乎所有商用的MV/HV Si和SiC功率器件都是基于垂直結構此外，與GaN-on-Si外延相比，GaN-on-GaN同質外延層具有更低的位錯密度，(VON)是由GaN的大能帶隙引起的。先進的sbd是非?？扇〉模驗樗鼈兘Y合了肖特基樣正向特性(具有低VON)和pn樣反向特性(峰值電場從表面移到半導體中)。
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垂直 GaN 技術：在哪些領域會有重大的技術擴張機會？
垂直氮化鎵設備能夠達到更高的頻率和操作在更高的電壓，這應該導致新一代更有效的電力設備，現(xiàn)在的一些挑戰(zhàn)，具體來說，你正在工作與橫向氮化鎵相比，有什么制造問題，問題降低成本?我想這很重要。所以，我們談論的是學術上的垂直氮化鎵，還是我們可以在市場上找到解決方案?
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垂直 GaN 技術：為什么我們需要垂直的氮化鎵？
為什么我們需要垂直的氮化鎵?因此，由于輸出電容較小，應用中的開關損耗非常小，與橫向氮化鎵設備相比，保持這些通過均勻材料的最佳傳輸，而沒有額外的層定向到封裝，并將框架從設備的頂部和底部離開。
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GaN在能源和電力市場已經徹底改變了高功率應用
到目前為止，我們已經涉足能源和電力市場數(shù)十年，我們的目標確實是為專注于電力轉換和儲能應用的客戶提供支持，例如交通運輸、可再生能源、重型工業(yè)機械。我們一直在全球范圍內這樣做。所以我想說大約十年前，我們看到對更高效的電源解決方案和高功率密度以及小尺寸的需求在增加。所以這就是為什么我們一直專注于寬帶半導體的早期階段。我指的是氮化鎵或 GaN 和碳化硅。這幫助我們走在了今天采用這些技術的前沿。
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?SiC 和 GaN 都可以為創(chuàng)建下一代智能電網做出貢獻
SiC 和 GaN 都可以為創(chuàng)建下一代智能電網做出貢獻，以解決能源問題，尤其是在電動汽車方面。那么等待我們的未來是什么?但特別是，從長遠來看，您認為基于 SiC 的功率器件應該如何發(fā)展才能滿足下一個更嚴格的行業(yè)要求?
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進一步了解氮化鎵和碳化硅目前贏得業(yè)務的市場
電力電子在采用 GaN 和 SiC 器件方面發(fā)生了變化。硅仍然主導著市場，但很快，這些設備的出現(xiàn)將引導技術走向新的、更高效的解決方案。Yole Développement 估計，到 2025 年來自 SiC 器件的收入將占市場的 10% 以上，而來自 GaN 器件的收入到 2025 年將超過 2% 的市場。一些主導市場的公司是 STMicroelectronics、Cree/ Wolfspeed、ROHM、Infineon、Onsemi 和 Mitsubishi Electric 用于 SiC 功率器件。而在這個領域，GaN Yole Développement 擁有 Power Integrations 和 Infineon 作為參與者，以及 Navitas、EPC、GaN Systems 和 Transphorm 等創(chuàng)新初創(chuàng)企業(yè)。
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Transphorm在深圳設立GaN場效應晶體管實驗室
據(jù)業(yè)內信息報道，TransphormInc已經在深圳設立GaN場效應晶體管實驗室，并且已經全面投入運營，并為中國的客戶提供產品及服務。
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GaN 功率器件，E-模式 HEMT技術選擇介紹和發(fā)展情況
最流行的 e-mode HEMT 結構是在柵極上使用 p-GaN 層。實現(xiàn)的典型 Vt 在 1-2 V 范圍內。HEMT 在開關應用中的固有優(yōu)勢得以保留，并且開關損耗可以更低。e-mode 器件的主要缺點之一是其低 Vt，這可能導致柵極對噪聲和 dV/dt 瞬態(tài)的抗擾度較差。出于可靠性原因，最大柵極電壓通常限制為 6-7 V，并且可能需要負電壓來關閉器件。
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高清晰小尺寸，日本開發(fā)最小的硅襯底GaN激光芯片
據(jù)業(yè)內消息，近日日本京都京瓷公司開發(fā)了一種新的薄膜工藝技術，用于制造基于GaN的微光源(即邊長
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如何應對電氣設備熱管理的幾個方面考量
應對電氣設備溫度，第一個考量就是加強散熱。首先要采取的預防措施是采用并實施一種策略來分散電氣和電子電路的熱量。散熱器的傳熱效率與散熱器與周圍空間之間的熱阻有關。它測量材料散熱的能力。具有大表面積和良好空氣流通(氣流)的散熱器，提供最佳散熱。為此，必須安裝合適的散熱器，與相關方直接接觸。
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亞虹醫(yī)藥APL-1401治療中度至重度活動性潰瘍性結腸炎的新藥臨床研究申請獲美國FDA許可
上海2022年11月10日 /美通社/ -- 全球化創(chuàng)新藥公司亞虹醫(yī)藥（股票代碼：688176.SH）今日宣布，其口服藥APL-1401治療中度至重度活動性潰瘍性結腸炎的新藥臨床研究申請（IND）獲美國食品藥品監(jiān)督管理局（FDA）許可。公司將盡快在美國啟動臨床入組，并于近期向中國...
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美國封鎖，中國破冰！建廠/6英寸GaN...國內捷報不斷
眾所周知，從今年8月開始的《芯片與科學法案》，再到10月的出口管制措施，美國試圖不斷通過各種措施來限制我國半導體領域獲得先進技術。也正是因為美國的封鎖讓行業(yè)產生了危機感，我國的半導體也在積極尋求破冰崛起。
