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什么是氮化鎵充電器?如何選擇氮化鎵充電器?
氮化鎵基發(fā)光二極管，電子學(xué)術(shù)語(yǔ)，GaN 是一種寬帶隙化合物半導(dǎo)體材料，具有發(fā)射藍(lán)光、高溫、高頻、高壓、大功率和耐酸、耐堿、耐腐蝕等特點(diǎn)，是繼鍺、硅和砷化鎵之后最主要的半導(dǎo)體材料之一。
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GaN智能功率模塊（IPM），讓家電走向超靜音和能效新高度
在系統(tǒng)成本不增加的前提下，讓家電變得更加靜音和高效，是設(shè)計(jì)工程師們關(guān)注的重點(diǎn)。而GaN器件憑借著更高的開(kāi)關(guān)頻率和更好的能效表現(xiàn)，開(kāi)始逐漸進(jìn)入家電設(shè)計(jì)者的視野。
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柵極驅(qū)動(dòng)器及其關(guān)鍵作用
碳化硅和氮化鎵開(kāi)關(guān)器件是電源電路中的主要元件。雖然這些器件在運(yùn)行速度、高電壓、處理電流和低功耗等固有特性方面表現(xiàn)出更高的性能，但設(shè)計(jì)人員往往只關(guān)注這些器件，而經(jīng)常忽略相關(guān)的驅(qū)動(dòng)器。
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德州儀器推出先進(jìn)的 GaN IPM，打造尺寸更小、能效更高的高壓電機(jī)
650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)，助力家電和暖通空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)逆變器達(dá)到99%以上效率。 得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對(duì)外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸...
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德州儀器推出先進(jìn)的 GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機(jī)
· 650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)，助力家電和暖通空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)逆變器達(dá)到99%以上效率。 · 得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對(duì)外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸縮減多達(dá) 55%。
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GaN， “鎵”馭全功率 ——高壓大功率應(yīng)用，氮化鎵前景可期
功率半導(dǎo)體領(lǐng)域已有很多年未發(fā)生系統(tǒng)性技術(shù)變革，目前熱門的寬禁帶（WBG）功率器件已經(jīng)開(kāi)始占據(jù)自己所“擅長(zhǎng)”的市場(chǎng)領(lǐng)域——氮化鎵（GaN）功率器件應(yīng)用從快充起步已獲得顯著的商業(yè)化進(jìn)展，EV的逆變器則率先采用了碳化硅（SiC）。
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低功耗 GaN 在常見(jiàn)交流直流電源拓?fù)渲械膬?yōu)勢(shì)
消費(fèi)者希望日常攜帶的各種電子設(shè)備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數(shù)電子產(chǎn)品轉(zhuǎn)向 USB Type-C? 充電器，越來(lái)越多的用戶希望可以使用緊湊型電源適配器為所有設(shè)備充電。
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CGD為電機(jī)控制帶來(lái)GaN優(yōu)勢(shì)
評(píng)估套件具有 Qorvo 的高性能無(wú)刷直流/永磁同步電機(jī)控制器/驅(qū)動(dòng)器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能
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英飛凌：穩(wěn)居全球功率和汽車半導(dǎo)體之首， 首次拿下全球汽車微控制器NO.1
英飛凌位列2023全球半導(dǎo)體供應(yīng)商第九，穩(wěn)居全球功率和汽車半導(dǎo)體之首。2023年英飛凌汽車MCU銷售額較上年增長(zhǎng)近44%，約占全球市場(chǎng)的29%，首次拿下全球汽車MCU市場(chǎng)份額第1。
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CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應(yīng)用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝
新封裝提供了更高的功率輸出、便于光學(xué)檢查、節(jié)省了系統(tǒng)成本，并提高了可靠性
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CGD與中國(guó)臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院簽署GaN電源開(kāi)發(fā)諒解備忘錄
為電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具、筆記本電腦和手機(jī)應(yīng)用開(kāi)發(fā)功率密度超過(guò)30 W/in3的140-240 W USB-PD適配器
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將功率密度卷出新高度，TI發(fā)布集成驅(qū)動(dòng)GaN LMG21/3100和汽車級(jí)隔離DC/DC UCC33420-Q1
功率密度是電源設(shè)計(jì)的永恒話題，而隨著近年來(lái)各類創(chuàng)新應(yīng)用對(duì)于功率等級(jí)的提高，要在同樣甚至更小的體積中達(dá)成同樣的供電需求，就勢(shì)必要把功率密度推向更高的緯度。而追求電源設(shè)計(jì)功率密度的提升，最根本的是要從器件層面入手。對(duì)于電源芯片而言，提升功率密度絕非易事。在提升的同時(shí)，就會(huì)面對(duì)著來(lái)自散熱、EMI等因素帶來(lái)的反制。功率密度的提升絕非提高電壓電流那么簡(jiǎn)單，而是需要來(lái)自芯片前道的材料、工藝、電路設(shè)計(jì)和來(lái)自后道封裝的多方面配合。那么如何克服一系列的挑戰(zhàn)，將電源芯片的功率密度卷出新高度？TI于近日發(fā)布的100V GaN驅(qū)動(dòng)芯片LMG21/3100和隔離DC/DC UCC33420-Q1，我們可以從中找到答案。
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新加坡芯片廠突然倒閉，員工解散！
業(yè)內(nèi)消息，近日新加坡 RF GaN（射頻氮化鎵）芯片供應(yīng)商 Gallium Semiconductor（加聯(lián)賽半導(dǎo)體）突然終止業(yè)務(wù)并解雇所有員工，包括位于荷蘭奈梅亨的研發(fā)中心。
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英飛凌：增強(qiáng)功率系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，助力低碳可持續(xù)發(fā)展
如何把握住2024年的行業(yè)新機(jī)遇，實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破創(chuàng)新，賦能各類新興應(yīng)用的發(fā)展？新一年伊始，我們采訪到了英飛凌科技全球高級(jí)副總裁暨大中華區(qū)總裁、英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉，他和我們分享了英飛凌這一年來(lái)的成績(jī)，以及對(duì)于明年的市場(chǎng)趨勢(shì)展望。
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瑞薩收購(gòu)Transphorm，利用GaN技術(shù)擴(kuò)展電源產(chǎn)品陣容
增強(qiáng)瑞薩寬禁帶專業(yè)知識(shí)和產(chǎn)品路線圖發(fā)展，以應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、人工智能電源，以及可再生能源快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)機(jī)遇。
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大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)推出基于Innoscience產(chǎn)品的2KW PSU服務(wù)器電源方案
大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience InnoGaN器件-INN650TA030AH、INN650TA070AH和INN650D080BS芯片推出2KW PSU服務(wù)器電源方案，旨在利用先進(jìn)的GaN器件助力服務(wù)器電源實(shí)現(xiàn)更出色的能效。
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占板面積減半！Allegro Power-Thru技術(shù)帶來(lái)GaN隔離柵極驅(qū)動(dòng)器新選擇
從電流感應(yīng)、磁傳感器和電源的結(jié)合，Allegro Microsystems在汽車和工業(yè)市場(chǎng)贏得了成功。而今通過(guò)對(duì)于Power-Thur技術(shù)的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的成功發(fā)布，Allegro繼續(xù)擴(kuò)大優(yōu)勢(shì)，強(qiáng)勢(shì)布局寬禁帶器件功率市場(chǎng)，為客戶應(yīng)用帶來(lái)更好的選擇。
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意法半導(dǎo)體和法國(guó)空客將聯(lián)合開(kāi)發(fā)功率半導(dǎo)體
21ic 近日獲悉，意法半導(dǎo)體(ST)和法國(guó)空客公司將聯(lián)合研發(fā)功率半導(dǎo)體，雙方表示開(kāi)發(fā)的新型電力電子設(shè)備更高效，將用于混合動(dòng)力飛機(jī)和全電動(dòng)城市飛行器。
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ST的半導(dǎo)體制造戰(zhàn)略：加大第三代半導(dǎo)體垂直整合，與客戶長(zhǎng)期雙贏
對(duì)于ST而言，芯片設(shè)計(jì)和制造同樣重要。ST在制造上的戰(zhàn)略規(guī)劃正在逐步實(shí)施，將會(huì)幫助其實(shí)現(xiàn)200億美元營(yíng)收和2027碳中和兩大目標(biāo)。
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通過(guò)最新 GaN 器件提高設(shè)備電源效率，降低能源消耗
從 EPC 的角度來(lái)看，我們將通過(guò)我們的 GaN 器件推出全新一代技術(shù)。所以那將是一個(gè)令人興奮的發(fā)布。我們顯然也期待與我們?cè)谄囆袠I(yè)以及最近真正起飛的太陽(yáng)能行業(yè)的合作伙伴公司討論我們?cè)?GaN 方面的所有新技術(shù)。因此，電源解決方案的設(shè)計(jì)人員面臨挑戰(zhàn)，并且越來(lái)越多地轉(zhuǎn)向所謂的寬帶隙技術(shù)來(lái)克服硅的局限性。其中之一是 GaN，您非常了解它。所以正如你在一篇文章中所說(shuō)，GaN技術(shù)有一個(gè)硅無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)。這就是將功率器件與信號(hào)和數(shù)字器件集成的能力。那么你在哪里押注 GaN，為什么?
- 安富利3kW模擬電源供應(yīng)器（PSU）解決方案開(kāi)發(fā)板來(lái)襲，申請(qǐng)領(lǐng)好禮
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