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涂鴉智能推出BornSmart主題活動，"燃爆"全球智能家居市場生態(tài)
加利福尼亞州圣克拉拉2022年7月18日 /美通社/ -- 眾所周知，優(yōu)質的智能產品不僅能創(chuàng)造更高效的生活方式，同時也能夠帶來更舒適的生活體驗。 借助IoT技術，用戶可以在現(xiàn)實中體驗各種"天馬行空"的智慧家庭場景 -- 從辦公室開車回家時，可以遠程打開客廳空...
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適用于 CSP GaN FET 的簡單且高性能的熱管理解決方案
由于具有更好的品質因數(shù)，氮化鎵等寬禁帶半導體提供比硅更高的功率密度，占用的芯片面積更小，因此需要更小尺寸的封裝。假設器件占用的面積是決定熱性能的主要因素，那么可以合理地假設較小的功率器件會導致較高的熱阻。3,4本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同(如果不優(yōu)于)的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時提高功率密度。這種行為將通過 PCB 布局的詳細 3D 有限元模擬來展示，同時還提供實驗驗證以支持分析。
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汽車應用中的寬帶隙材料
電動汽車 (EV) 和混合動力電動汽車 (HEV) 正在尋找提高功率轉換效率的解決方案。 長期以來，大多數(shù)電子功率器件都是基于硅的，硅是一種可以在加工過程中幾乎不會產生任何缺陷的半導體。然而，硅的理論性能現(xiàn)在幾乎已經完全實現(xiàn)，突出了這種材料的一些局限性，包括有限的電壓阻斷能力、有限的傳熱能力、有限的效率和不可忽略的傳導損耗。與硅相比，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙 (WBG) 半導體具有更出色的性能：更高的效率和開關頻率、更高的工作溫度和更高的工作電壓。
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從硅到 SiC 和 GaN MOSFET 技術的發(fā)展
本文追溯了電力電子的歷史，可追溯到硅MOSFET仍用于驅動強大的電子負載時。讓我們通過描述、應用和模擬重新發(fā)現(xiàn)硅的世界，了解電子世界是如何在短短幾年內發(fā)生巨大變化的，因為新的 SiC 和 GaN MOSFET 的發(fā)現(xiàn)和開發(fā)。
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使用GaN 功率 IC 提供高性能、可靠的電機驅動器第2部分
硅和碳化硅中的 IGBT 和 MOSFET 以類似方式驅動。該器件在 10-20 V 的柵極驅動下開啟，通常關閉至 0 V 或負電壓以實現(xiàn)更高的功率水平。分立增強型 GaN 器件通常需要 5-7 V 的柵極驅動，并且可能還需要負電壓來關閉它們。如果沒有正確優(yōu)化，性能和可靠性都會受到影響。這是因為，雖然 GaN 是一種先進材料，但分立 GaN FET 確實有一個致命弱點：一個必須小心驅動的柵極節(jié)點。如果柵極上的電壓過低，則 FET 沒有完全導通，因此導通電阻和損耗都很高。如果電壓太高，可能會損壞柵極。
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使用GaN 功率 IC 提供高性能、可靠的電機驅動器第1部分
歐盟大約有 80 億臺電動機在使用，消耗了歐盟生產的近 50% 的電力。由于提高效率和減少碳足跡是政府和行業(yè)的主要目標，因此存在多項舉措來降低這些電機的耗電量。例如，許多家用電器能源標簽的全球標準通過降低能耗以及可聽和電氣噪聲等來影響電器的設計。另一個例子是歐洲引入了工業(yè)電機的效率等級，有效地切斷了低效率電機的市場。
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Kovol已成為140W GaN充電器市場的新玩家
深圳2022年6月27日 /美通社/ -- 去年，這家移動巨頭公司推出了重新設計的16英寸筆記本電腦，配備了各種各樣的端口、先進的連接功能和卓越的電池壽命，這些都需要一款140W電源適配器的支持。但眾所周知，這款16英寸筆記本電腦的原裝充電器只能為一個設備充電，這給那些想在商務旅...
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Kovol進入140W GaN充電器市場
（全球TMT2022年6月27日訊）Stiger Group（Anker、AOC和RAVPower的供應商）旗下的快充品牌Kovol將最新的Power Delivery 3.1應用到16英寸筆記本電腦設計的全新140W雙口壁式充電器中，讓其可以同時為兩個設備快速充電。通過采用最...
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如何使用 GaN 進行設計
最近可能遇到了“GaN”，它正在一些關鍵的功率轉換應用中取代硅 (Si)。在本博客系列“如何使用 GaN 進行設計”中，我將了解氮化鎵 (GaN) 與 Si 的不同之處，以及使用 GaN 創(chuàng)建電源設計時的關鍵考慮因素。
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GaN組件的單片集成提升了功率集成電路
本文分析了高性能肖特基勢壘二極管和 D 型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200-V GaN-on-SOI 智能功率 IC 平臺上的成功協(xié)同集成。這些組件的添加使芯片設計具有擴展的功能和更高的性能，使單片集成 GaN 功率 IC 更進一步。這一成就為更小、更高效的DC/DC 轉換器和 PoL 轉換器 鋪平了道路。
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Imec 展示了肖特基二極管和耗盡型 HEMT 與 200 V GaN-IC 的成功單片集成
在 2021 年國際電子器件會議 (IEEE IEDM 2021) 上，世界領先的納米電子和數(shù)字技術研究和創(chuàng)新中心 imec 展示了高-性能肖特基勢壘二極管和耗盡型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200 V GaN-on-SOI 智能功率集成電路 (IC) 平臺上開發(fā)，該平臺在 200 mm 襯底上開發(fā)。添加這些組件可以設計具有擴展功能的芯片并提高性能，從而使單片集成 GaN 功率 IC 更進一步。這一成就為更小、更高效的 DC/DC 轉換器和負載點轉換器鋪平了道路。
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數(shù)字電源控制推進 GaN PFC 設計
我最近與您分享了TI 全新 Piccolo? F28004x 微控制器 (MCU) 系列的生產公告，該系列針對電源控制應用進行了優(yōu)化。 Piccolo F28004x 用于高性能電源控制的主要特性包括：
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用于快速充電系統(tǒng)的 GaN 半導體
Navitas 的集成 GaN 解決方案 (GaNFast)通過提供五倍的功率密度、40% 的節(jié)能和 20% 的生產成本，使充電系統(tǒng)的運行速度比傳統(tǒng)硅組件快 100 倍。例如，您將能夠更快地為智能手機充電。
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瑪氏寵物推出線上領養(yǎng)中心，溫暖生命為寵物創(chuàng)造美好世界
北京2022年5月4日 /美通社/ -- 瑪氏寵物旗下會員社交平臺正式推出瑪氏寵享會領養(yǎng)中心，秉承“為寵物創(chuàng)造美好世界”的愿景，建設鏈接寵物家長、愛心人士和待領養(yǎng)寵物的橋梁，積極推動領養(yǎng)公益的發(fā)展。 瑪氏寵物營養(yǎng)新任中國總經理任嘉實（Ganesh Ramani）表示 ：...
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GaN 是否可靠，或者這是正確的問題？
氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 的采用正在迅速增加，因為它能夠提高效率并縮小電源尺寸。但在投資該技術之前，我們可能仍會問自己 GaN 是否可靠。令我震驚的是，沒有人問硅是否可靠。畢竟還是有新的硅產品一直在問世，電源設計人員也很關心硅功率器件的可靠性。
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君瀾度假新篇章：不虛此行
真正的度假，在君瀾 杭州2022年4月22日 /美通社/ -- 2022年4月22日，君瀾酒店品牌概念片《不虛此行》首映禮成功舉辦。本次活動共分為三個部分，不虛此行、不期而遇、不見不散，內容環(huán)環(huán)相扣，驚喜不斷。與活動一同發(fā)布的，還有君瀾突破200家儀式，以及...
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GaN 會在市場上大獲成功嗎？
新 IC 工藝的開發(fā)和商業(yè)化，尤其是有些激進的工藝，在我看來一直是設備技術的神奇和神秘的終結。是的，有聰明的電路、架構和拓撲結構，但是構思一個新的過程，然后讓它成為現(xiàn)實和可制造的——以及現(xiàn)實所需要的一切——似乎需要對物理定律、材料科學、量子理論、以及更多。事情并沒有就此結束：在工藝技術進步之后，我們仍然需要提出設計規(guī)則和模型，以便 IC 設計人員和生產流程能夠真正利用該工藝。
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氮化鎵將走向何方？
增強型氮化鎵 (GaN) 晶體管已商用五年多。市售的 GaN FET 設計為比最先進的硅基功率 MOSFET 具有更高的性能和更低的成本。這一成就標志著 60 年來第一次在性能和成本方面任何技術都可以與硅相媲美，并標志著古老但老化的功率 MOSFET 的最終取代。
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SiC 和 GaN：兩種半導體的故事
在過去的幾十年中，碳化硅和氮化鎵技術的進步一直以發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高和有望實現(xiàn)數(shù)十億美元收入為特征。第一個商用 SiC 器件于 2001 年以德國英飛凌的肖特基二極管的形式問世。隨之而來的是快速發(fā)展，到 2026 年，工業(yè)部門現(xiàn)在有望超過 40 億美元。 2010 年，當總部位于美國的 EPC 交付其超快速開關晶體管時，GaN 首次驚艷了整個行業(yè)。市場采用率尚未與 SiC 相匹配，但到 2026 年，功率 GaN 收入可能達到 10 億美元。
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使用單個 PWM 信號控制 GaN 半橋功率級
分立氮化鎵 (GaN) FET 的興起增加了對更用戶友好界面的需求，同時也提高了效率。半橋 GaN 功率級（例如LMG5200）具有用于高低 GaN FET 的單獨驅動輸入。兩個輸入（圖 1 中的引腳 4 和 5）使我們能夠優(yōu)化效率，因為我們可以調整每個 FET 開啟和關閉的確切點。
