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GAN

我要報(bào)錯

  • 使用GaN 功率 IC 提供高性能、可靠的電機(jī)驅(qū)動器第2部分

    硅和碳化硅中的 IGBT 和 MOSFET 以類似方式驅(qū)動。該器件在 10-20 V 的柵極驅(qū)動下開啟，通常關(guān)閉至 0 V 或負(fù)電壓以實(shí)現(xiàn)更高的功率水平。分立增強(qiáng)型 GaN 器件通常需要 5-7 V 的柵極驅(qū)動，并且可能還需要負(fù)電壓來關(guān)閉它們。如果沒有正確優(yōu)化，性能和可靠性都會受到影響。這是因?yàn)?，雖然 GaN 是一種先進(jìn)材料，但分立 GaN FET 確實(shí)有一個(gè)致命弱點(diǎn)：一個(gè)必須小心驅(qū)動的柵極節(jié)點(diǎn)。如果柵極上的電壓過低，則 FET 沒有完全導(dǎo)通，因此導(dǎo)通電阻和損耗都很高。如果電壓太高，可能會損壞柵極。

  • 使用GaN 功率 IC 提供高性能、可靠的電機(jī)驅(qū)動器第1部分

    歐盟大約有 80 億臺電動機(jī)在使用，消耗了歐盟生產(chǎn)的近 50% 的電力。由于提高效率和減少碳足跡是政府和行業(yè)的主要目標(biāo)，因此存在多項(xiàng)舉措來降低這些電機(jī)的耗電量。例如，許多家用電器能源標(biāo)簽的全球標(biāo)準(zhǔn)通過降低能耗以及可聽和電氣噪聲等來影響電器的設(shè)計(jì)。另一個(gè)例子是歐洲引入了工業(yè)電機(jī)的效率等級，有效地切斷了低效率電機(jī)的市場。

  • Kovol已成為140W GaN充電器市場的新玩家

    深圳2022年6月27日 /美通社/ -- 去年，這家移動巨頭公司推出了重新設(shè)計(jì)的16英寸筆記本電腦，配備了各種各樣的端口、先進(jìn)的連接功能和卓越的電池壽命，這些都需要一款140W電源適配器的支持。但眾所周知，這款16英寸筆記本電腦的原裝充電器只能為一個(gè)設(shè)備充電，這給那些想在商務(wù)旅...

  • Kovol進(jìn)入140W GaN充電器市場

    （全球TMT2022年6月27日訊）Stiger Group（Anker、AOC和RAVPower的供應(yīng)商）旗下的快充品牌Kovol將最新的Power Delivery 3.1應(yīng)用到16英寸筆記本電腦設(shè)計(jì)的全新140W雙口壁式充電器中，讓其可以同時(shí)為兩個(gè)設(shè)備快速充電。通過采用最...

  • 如何使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)

    最近可能遇到了“GaN”，它正在一些關(guān)鍵的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中取代硅 (Si)。在本博客系列“如何使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)”中，我將了解氮化鎵 (GaN) 與 Si 的不同之處，以及使用 GaN 創(chuàng)建電源設(shè)計(jì)時(shí)的關(guān)鍵考慮因素。

  • GaN組件的單片集成提升了功率集成電路

    本文分析了高性能肖特基勢壘二極管和 D 型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200-V GaN-on-SOI 智能功率 IC 平臺上的成功協(xié)同集成。這些組件的添加使芯片設(shè)計(jì)具有擴(kuò)展的功能和更高的性能，使單片集成 GaN 功率 IC 更進(jìn)一步。這一成就為更小、更高效的DC/DC 轉(zhuǎn)換器和 PoL 轉(zhuǎn)換器 鋪平了道路。

    功率器件
    2022-05-24
    功率 GaN

  • Imec 展示了肖特基二極管和耗盡型 HEMT 與 200 V GaN-IC 的成功單片集成

    在 2021 年國際電子器件會議 (IEEE IEDM 2021) 上，世界領(lǐng)先的納米電子和數(shù)字技術(shù)研究和創(chuàng)新中心 imec 展示了高-性能肖特基勢壘二極管和耗盡型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200 V GaN-on-SOI 智能功率集成電路 (IC) 平臺上開發(fā)，該平臺在 200 mm 襯底上開發(fā)。添加這些組件可以設(shè)計(jì)具有擴(kuò)展功能的芯片并提高性能，從而使單片集成 GaN 功率 IC 更進(jìn)一步。這一成就為更小、更高效的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器鋪平了道路。

  • 數(shù)字電源控制推進(jìn) GaN PFC 設(shè)計(jì)

    我最近與您分享了TI 全新 Piccolo? F28004x 微控制器 (MCU) 系列的生產(chǎn)公告，該系列針對電源控制應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。 Piccolo F28004x 用于高性能電源控制的主要特性包括：

  • 用于快速充電系統(tǒng)的 GaN 半導(dǎo)體

    Navitas 的集成 GaN 解決方案 (GaNFast)通過提供五倍的功率密度、40% 的節(jié)能和 20% 的生產(chǎn)成本，使充電系統(tǒng)的運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅組件快 100 倍。例如，您將能夠更快地為智能手機(jī)充電。

  • 瑪氏寵物推出線上領(lǐng)養(yǎng)中心，溫暖生命為寵物創(chuàng)造美好世界

    北京2022年5月4日 /美通社/ -- 瑪氏寵物旗下會員社交平臺正式推出瑪氏寵享會領(lǐng)養(yǎng)中心，秉承“為寵物創(chuàng)造美好世界”的愿景，建設(shè)鏈接寵物家長、愛心人士和待領(lǐng)養(yǎng)寵物的橋梁，積極推動領(lǐng)養(yǎng)公益的發(fā)展。 瑪氏寵物營養(yǎng)新任中國總經(jīng)理任嘉實(shí)（Ganesh Ramani）表示 ：...

  • GaN 是否可靠，或者這是正確的問題？

    氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 的采用正在迅速增加，因?yàn)樗軌蛱岣咝什⒖s小電源尺寸。但在投資該技術(shù)之前，我們可能仍會問自己 GaN 是否可靠。令我震驚的是，沒有人問硅是否可靠。畢竟還是有新的硅產(chǎn)品一直在問世，電源設(shè)計(jì)人員也很關(guān)心硅功率器件的可靠性。

  • 君瀾度假新篇章：不虛此行

    真正的度假，在君瀾 杭州2022年4月22日 /美通社/ -- 2022年4月22日，君瀾酒店品牌概念片《不虛此行》首映禮成功舉辦。本次活動共分為三個(gè)部分，不虛此行、不期而遇、不見不散，內(nèi)容環(huán)環(huán)相扣，驚喜不斷。與活動一同發(fā)布的，還有君瀾突破200家儀式，以及...

  • GaN 會在市場上大獲成功嗎？

    新 IC 工藝的開發(fā)和商業(yè)化，尤其是有些激進(jìn)的工藝，在我看來一直是設(shè)備技術(shù)的神奇和神秘的終結(jié)。是的，有聰明的電路、架構(gòu)和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，但是構(gòu)思一個(gè)新的過程，然后讓它成為現(xiàn)實(shí)和可制造的——以及現(xiàn)實(shí)所需要的一切——似乎需要對物理定律、材料科學(xué)、量子理論、以及更多。事情并沒有就此結(jié)束：在工藝技術(shù)進(jìn)步之后，我們?nèi)匀恍枰岢鲈O(shè)計(jì)規(guī)則和模型，以便 IC 設(shè)計(jì)人員和生產(chǎn)流程能夠真正利用該工藝。

  • 氮化鎵將走向何方？

    增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) 晶體管已商用五年多。市售的 GaN FET 設(shè)計(jì)為比最先進(jìn)的硅基功率 MOSFET 具有更高的性能和更低的成本。這一成就標(biāo)志著 60 年來第一次在性能和成本方面任何技術(shù)都可以與硅相媲美，并標(biāo)志著古老但老化的功率 MOSFET 的最終取代。

  • SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的故事

    在過去的幾十年中，碳化硅和氮化鎵技術(shù)的進(jìn)步一直以發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高和有望實(shí)現(xiàn)數(shù)十億美元收入為特征。第一個(gè)商用 SiC 器件于 2001 年以德國英飛凌的肖特基二極管的形式問世。隨之而來的是快速發(fā)展，到 2026 年，工業(yè)部門現(xiàn)在有望超過 40 億美元。 2010 年，當(dāng)總部位于美國的 EPC 交付其超快速開關(guān)晶體管時(shí)，GaN 首次驚艷了整個(gè)行業(yè)。市場采用率尚未與 SiC 相匹配，但到 2026 年，功率 GaN 收入可能達(dá)到 10 億美元。

    功率器件
    2022-04-15
    SiC GaN

  • 使用單個(gè) PWM 信號控制 GaN 半橋功率級

    分立氮化鎵 (GaN) FET 的興起增加了對更用戶友好界面的需求，同時(shí)也提高了效率。半橋 GaN 功率級（例如LMG5200）具有用于高低 GaN FET 的單獨(dú)驅(qū)動輸入。兩個(gè)輸入（圖 1 中的引腳 4 和 5）使我們能夠優(yōu)化效率，因?yàn)槲覀兛梢哉{(diào)整每個(gè) FET 開啟和關(guān)閉的確切點(diǎn)。

  • 如何贏得一半以上的碳化硅MOSFET市場份額，并將其持續(xù)擴(kuò)大？

    ST獲得了全球50%以上的SiC MOSFET市場份額；并且在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行了襯底技術(shù)收購、產(chǎn)能投資，擁有了全生產(chǎn)鏈條的掌控力。本文分享了ST在SiC領(lǐng)域獲得成功的原因，如何保持領(lǐng)先的未來戰(zhàn)略規(guī)劃，以及對于整個(gè)寬禁帶器件行業(yè)的前景解讀。

    劉巖軒
    2022-03-02
    SiC ST GaN

  • 使用GaN增加電源的功率，并且能夠較小電源的體積優(yōu)勢

    隨著在晶體管制造中引入新的寬帶隙材料，例如氮化鎵 (GaN)，顯著的品質(zhì)因數(shù)改進(jìn)轉(zhuǎn)化為電源的潛在改進(jìn)。使用比硅基半導(dǎo)體具有更高帶隙的新型材料可以減小芯片尺寸，同時(shí)保持相同的阻斷電壓。

  • 電源提示：GaN 器件如何提高諧振轉(zhuǎn)換器效率

    近年來，諸如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 之類的寬帶隙功率器件已開始商用。與高壓 (≥600V) 硅 FET 相比，GaN 和 SiC FET 通常具有更低的導(dǎo)通電阻 (R ds(on) )、更低的輸出電容 (C oss ) 和更少/沒有反向恢復(fù)電荷 (Q rr )。由于其較低的開關(guān)損耗，我們可以大大提高具有寬帶隙功率器件的硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器的效率。

    功率器件
    2022-02-12
    電源 GaN

  • 四方扁平無引線 (QFN) 封裝的單通道 GaN 功率級產(chǎn)品

    所有功率級設(shè)計(jì)人員都喜歡在開關(guān)節(jié)點(diǎn)看到完美的方波?？焖偕仙?下降沿可降低開關(guān)損耗，而低過沖和振鈴可最大限度地減少功率 FET 上的電壓應(yīng)力。

    功率器件
    2022-02-09
    電源 GaN