TI?推出全新?GaN?技術(shù),攜手臺達打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器
[導(dǎo)讀]點擊上方藍字關(guān)注我們!德州儀器(TI)今宣布其氮化鎵(GaN)技術(shù)和?C2000?實時微控制器(MCU),輔以臺達(DeltaElectronics)長期耕耘之電力電子核心技術(shù),為數(shù)據(jù)中心開發(fā)設(shè)計高效、高功率的企業(yè)用服務(wù)器電源供應(yīng)器(PSU)。與使用傳統(tǒng)架構(gòu)的企業(yè)服務(wù)器電源供應(yīng)器...
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在高電壓、高功率工業(yè)應(yīng)用中,TI 的 GaN FET 集成了快速開關(guān)驅(qū)動器,以及內(nèi)部保護和溫度感測功能,能夠更好地在有限的電路板空間內(nèi)實現(xiàn)高性能。
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芯片通過 4000 萬小時以上的設(shè)備可靠性測試和超過 5 GWh 的功率轉(zhuǎn)換測試,可提供嚴謹可靠的數(shù)據(jù),并可透過 GaN 構(gòu)建更小、更輕、更高效的電源系統(tǒng)。
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TI 的 GaN 電源解決方案同 C2000? 實時 MCU 相結(jié)合,可提供復(fù)雜的時延敏感處理、精確控制及軟件與外設(shè)的可擴展性等眾多優(yōu)勢。此外,這些 MCU 可支持不同的電源拓撲設(shè)計和高開關(guān)頻率,更大限度提升電源效率,充分發(fā)揮基于 GaN 的服務(wù)器供電單元的潛力。
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TI 獨特的工藝、封裝和電路設(shè)計技術(shù)組合簡化了生產(chǎn),企業(yè)能夠通過配置不同的選項來擴大硅基氮化鎵的產(chǎn)量,以應(yīng)對電信、工業(yè)和汽車企業(yè)不斷變化的需求。
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TI 自有的 GaN 外延和組裝/測試能力,使企業(yè)能夠按需靈活解決工具冗余問題。
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隨著市場需求的增加,體積更小且需要支持更多數(shù)據(jù)的系統(tǒng)已經(jīng)成為趨勢,TI 的長期投資和靈活的制造戰(zhàn)略,將使其成為領(lǐng)先的 GaN 和實時 MCU 供應(yīng)商。





