以色列內(nèi)斯齊奧納2026年1月7日 -- 電動汽車氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體先鋒VisIC Technologies Ltd.今日宣布其B輪融資第二次交割順利完成，共募集2,600萬美元。 本輪由一家全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者領(lǐng)投，HKMC作為戰(zhàn)略投資者加入。 這一里程碑鞏固了VisIC在電動汽車牽引逆變器GaN創(chuàng)新領(lǐng)域的前沿地位，并進一步強化了其推動新一代電動出行的角色。

領(lǐng)投方對關(guān)鍵半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)投入，與VisIC專有的D3GaN?平臺高度契合，旨在為汽車傳動系統(tǒng)提供無與倫比的效率、可擴展性與可靠性。 HKMC參投彰顯其將GaN技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)電動汽車平臺的決心。

全球電動汽車市場正快速增長，車企競相提升續(xù)航里程、降低成本并滿足更嚴(yán)格的可持續(xù)目標(biāo)。 當(dāng)前瓶頸在于功率電子器件——尤其是牽引逆變器——的效率與可擴展性，其直接影響整車性能與能耗。

問題陳述

傳統(tǒng)硅基方案難以滿足新一代電動汽車平臺對效率與功率密度的要求，特別是在更高電壓場景下。 盡管SiC(碳化硅)器件性能更優(yōu)，但其高昂成本與復(fù)雜制造工藝限制了大規(guī)模應(yīng)用。 VisIC的D3GaN?氮化鎵技術(shù)通過支持更小型、更輕量、更高效率的逆變器，解決了現(xiàn)有技術(shù)的限制，同時為400V和800V架構(gòu)帶來全新可能。

資金用途

新資金將加速VisIC路線圖，包括：

· 優(yōu)化、認(rèn)證與發(fā)布第三代750V GaN芯片與功率模塊。

· 開發(fā)第四代1350V GaN技術(shù)，以支持全譜系電動汽車設(shè)計。

· 穩(wěn)定供應(yīng)鏈并擴大GaN產(chǎn)品對電動汽車牽引逆變器的交付規(guī)模。

· 借助同一先進GaN平臺拓展新興800V數(shù)據(jù)中心供電需求。

依托現(xiàn)代汽車及大型西方半導(dǎo)體企業(yè)支持，并由 HG、晶方科技等現(xiàn)有投資者背書，VisIC 在中國及西方市場具備強勁布局優(yōu)勢。

高管語錄

VisIC Technologies首席執(zhí)行官Tamara Baksht：

“此次投資對VisIC及全球電動汽車行業(yè)具有重要的里程碑意義。 我們的D3GaN技術(shù)正在重新定義電動汽車功率電子技術(shù)，戰(zhàn)略伙伴的支持將讓我們加速交付高效率、可擴展的下一代出行解決方案。”

Hyundai Motor Company和Kia：

“Hyundai Motor Company和Kia 致力于推進可持續(xù)出行。 與VisIC合作，使我們能夠?qū)⑶把?a href="/tags/GaN" target="_blank">GaN功率技術(shù)融入電動汽車平臺，提升效率、可靠性與性能，共同塑造電動交通的未來。”