-
2012年德國線路板市場預計增長4.2%至14億歐元
6月4日消息，據(jù)媒體報道，德國電氣電子行業(yè)協(xié)會ZVEI主席Dr.WolfgangBochtler表示，2012年德國線路板市場預計增長4.2%至14億歐元。集成電路（IC）市場預計略降1.3%至7.12億歐元。電子設備市場（原廠制造和EMS代工）預
-
業(yè)界最高水準8吋氮化鎵上矽GaN on Silicon LED 芯片成功研發(fā)
LED照明技術與解決方案的研發(fā)與制造領導廠商Bridgelux 公司，以及全球領導半導體制造商Toshiba公司，今日共同宣布成功開發(fā)出業(yè)界最高水準的 8 吋氮化鎵上矽（GaN on Silicon） LED芯片，采用350mA電流，電壓小于 3.1
-
氮化鎵在射頻通信中應用
氮化鎵并非革命性的晶體管技術，這種新興技術逐漸用于替代橫向擴散金屬氧化物硅半導體（Si LDMOS）和砷化鎵（GaAs）晶體管技術以及某些特定應用中的真空管。與現(xiàn)有技術相比，氮化鎵（GaN）的優(yōu)勢在于更高的漏極效率、
-
業(yè)界最高水準8吋氮化鎵上矽GaN on Silicon LED 芯片成功研發(fā)
LED照明技術與解決方案的研發(fā)與制造領導廠商Bridgelux 公司，以及全球領導半導體制造商Toshiba公司，今日共同宣布成功開發(fā)出業(yè)界最高水準的 8 吋氮化鎵上矽（GaN on Silicon） LED芯片，采用350mA電流，電壓小于 3.1
-
LED顯示屏像素失控原因分析
造成LED顯示屏像素失控的主要原因是LED失效,靜電放電是失效最大誘因造成LED顯示屏像素失控的原因很多，其中最主要的原因就是“LED失效”。LED失效的主因又可分為兩個方面：一是LED自身品質不佳；二是使用方
-
西班牙電信在馬德里推出FTTP業(yè)務
5/16/2012, 西班牙電信Telefonica和馬德里市政府今天宣布將合作在今年年底前為該市130萬用戶提供100Mbps的FTTP寬帶業(yè)務。目前在馬德里的多個區(qū)，包括Hortaleza, Arganzuela， Moncloa-Aravaca和Fuencarral-El Pardo等
-
華燦光電去年獲利1.25億元 藍綠光外延片實現(xiàn)自產(chǎn)
華燦光電2011年營業(yè)收入和凈利潤均保持快速增長，公司實現(xiàn)營業(yè)收入4.74億元，歸屬于公司普通股股東的凈利潤為1.25億元，公司銷售收入由2009年的1億元增長至2011年的4.74億元;年復合增長率達到117.36%，高于市場的增長
-
蜂窩網(wǎng)絡趨勢引領新工藝前景方向
業(yè)界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、氮化鎵（GaN）、碳化硅
-
硅襯底，躋身主流待何時？
襯底作為半導體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線。日前，普瑞光電宣布明年將量產(chǎn)8英寸硅襯底的消息引起了業(yè)界的格外關注。隨后，Cree也發(fā)布消息稱，其白光功率型LE
-
硅襯底，躋身主流待何時？
襯底作為半導體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線。日前，普瑞光電宣布明年將量產(chǎn)8英寸硅襯底的消息引起了業(yè)界的格外關注。隨后，Cree也發(fā)布消息稱，其白光功率型
-
硅襯底，躋身主流待何時？
襯底作為半導體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線。日前，普瑞光電宣布明年將量產(chǎn)8英寸硅襯底的消息引起了業(yè)界的格外關注。隨后，Cree也發(fā)布消息稱，其白光功率型LE
-
RFMD為功率器件產(chǎn)品和代工客戶推出rGaN-HV工藝技術
高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者RF Micro Devices， Inc.（Nasdaq 股市代號：RFMD）日前宣布，擴展其RFMD 業(yè)界領先的氮化鎵工藝技術，以包括功率轉換應用中專為高電壓功率器件而優(yōu)化的新
-
日本礙子開發(fā)出可使LED發(fā)光效率提高1倍的GaN晶圓
日本礙子稱，開發(fā)出了可將LED光源的發(fā)光效率提高1倍的GaN(氮化鎵)晶圓。該晶圓在生長GaN單結晶體時采用自主開發(fā)的液相生長法，在整個晶圓表面實現(xiàn)低缺陷密度的同時獲得了無色透明特性。日本礙子在其他研究機構的協(xié)助
-
豐田合成聯(lián)合昭和電工組建LED芯片合資企業(yè)
4月27日，日本LED制造商豐田合成和昭和電工宣布組建合資企業(yè)，生產(chǎn)GaN基LED芯片，以解決高端LED芯片應用市場。豐田合成與昭和電工在2009年曾簽署了一項專利交叉許可協(xié)議。 新的合資公司這將使他們“結合起來，最大限
-
璨圓光電再次訂購愛思強CRIUS II-XL 及 G5 HT系統(tǒng)
德國愛思強股份有限公司今日宣布，長期客戶璨圓光電已經(jīng)簽定新訂單訂購若干MOCVD系統(tǒng)。該訂單包括4個19x4英寸的晶圓配置CRIUS II-XL系統(tǒng)及2個14x4英寸的晶圓配置G5 HT反應器，該系統(tǒng)將用于制造超高亮度 (Ultra-High
-
LED芯片常用襯底材料選用比較
對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應該采用哪種合適的襯底，需要根據(jù)設備和LED器件的要求進行選擇。目前市面上一般有三種材料可作為襯底：1.藍寶石（Al2O3）2.硅(Si)3.碳化硅（SiC）藍寶石襯底
-
RFMD為功率器件產(chǎn)品和代工客戶推出rGaN-HVT工藝技術
高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代號：RFMD）日前宣布，擴展其 RFMD 業(yè)界領先的氮化鎵工藝技術，以包括功率轉換應用中專為高電壓功率器件而優(yōu)化的
-
豐田合成、昭和電工合組GaN藍光LED廠
昭和電工(ShowaDenkoKK)27日發(fā)布新聞稿宣布，為了開拓需求看俏的PC、平板用高端LED市場，該公司將與全球LED大廠豐田合成(ToyotaGosei)合組一家從事LED制造、販售的新公司「TSOptoCo.,Ltd.」。昭和電工表示，目前該公
-
技術講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件
與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開發(fā)出的β-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術人員，以論
-
LED芯片常用襯底材料選用比較
對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應該采用哪種合適的襯底，需要根據(jù)設備和LED器件的要求進行選擇。目前市面上一般有三種材料可作為襯底：1.藍寶石（Al2O3）2.硅(Si)3.碳化硅（SiC）藍寶石襯底
