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SEMI對(duì)中國(guó)的LED晶圓廠成功的報(bào)告

SEMI的最新中國(guó)LED晶圓廠產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告證實(shí)，中國(guó)已成為世界領(lǐng)先的消費(fèi)者固態(tài)照明和液晶電視的領(lǐng)先生產(chǎn)商。報(bào)告指出，中國(guó)政府支持雙方的需求和供應(yīng)部門的行業(yè)，“一些分析家估計(jì)，從2010年的約100億美元增長(zhǎng)到

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-08-11

LED SEMI 晶圓廠 GAN
兩人售iPhone 4原型機(jī)遭指控或面臨1年監(jiān)禁

北京時(shí)間8月11日凌晨消息，去年美國(guó)科技新聞網(wǎng)站Gizmodo拿到蘋果iPhone 4原型機(jī)的事件仍未平息，兩名加州居民因與此事有關(guān)而被控犯下輕罪。布萊恩·霍根(Brian Hogan)以及塞奇·沃羅爾(Sage Wallower)被

通信技術(shù)
2011-08-11

iPhone MIDDOT POW GAN
美國(guó)千萬(wàn)家庭將在五年內(nèi)放棄電視

根據(jù)SNL Kagan公司的調(diào)查，在今后幾年中，放棄電視可能成為大勢(shì)所趨。目前美國(guó)的電視觀眾可能穩(wěn)定地保持在1億戶家庭左右，但根據(jù)SNL Kagan公司的調(diào)查，在今后幾年中，放棄電視可能成為大勢(shì)所趨。該調(diào)查公司預(yù)計(jì)，到2

通信技術(shù)
2011-07-24

寬帶 IC GAN
有機(jī)碳對(duì)土壤中有機(jī)氯分布影響研究獲突破

有機(jī)氯污染物作為持久性有機(jī)污染物(PesistentOganicPollutants,POPs)的重要成員，具有持久性、高毒性、生物蓄積性和長(zhǎng)距離傳輸能力。土壤是持久性有機(jī)污染物的重要儲(chǔ)庫(kù)，土壤中有機(jī)相(有機(jī)碳或有機(jī)質(zhì))是POPs的重要載

測(cè)試測(cè)量
2011-07-16

PCB HC PS GAN
2011年GaN LED市場(chǎng)有望增長(zhǎng)38% 達(dá)到108億美元

IMS Research最新發(fā)布的“氮化鎵季度led供需報(bào)告”中指出，2011年氮化鎵（藍(lán)/綠）LED市場(chǎng)銷量預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)49％至62億個(gè)，銷售額將增長(zhǎng)38％至108億美元，而2010年氮化鎵（藍(lán)/綠）LED市場(chǎng)的銷售額增長(zhǎng)67％至80億美元。 I

顯示光電
2011-07-11

氮化鎵 RESEARCH LED GAN
Siltronic AG 加入IMEC的GaN-on-Si研究計(jì)劃

歐洲主要的硅片廠商德國(guó)Siltronic AG日前宣布加入IMEC的GaN-on-Si研究計(jì)劃，這一研究計(jì)劃旨在為下一代功率半導(dǎo)體器件和LED等開發(fā)可以大規(guī)模生產(chǎn)的200毫米晶圓襯底及其相應(yīng)器件工藝。IMEC 5月份宣布硅片上GaN/AlGaN外

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-07-06

硅片 NI IC GAN
IGBT：新應(yīng)用帶動(dòng)革新國(guó)內(nèi)仍處追趕階段

前些年消費(fèi)電子和工業(yè)控制是推動(dòng)IGBT市場(chǎng)快速發(fā)展的兩架馬車，中小功率IGBT大放異彩。如今在新能源汽車、高鐵、新能源等新興應(yīng)用的“提攜”下，大功率IGBT迎來(lái)了新的春天，而這些應(yīng)用帶來(lái)新的課題，與之相

電源
2011-07-02

三菱電機(jī) IGBT SIC GAN
GaN基量子阱紅外探測(cè)器的設(shè)計(jì)

摘要：為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測(cè)器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對(duì)GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過(guò)設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)

工業(yè)控制
2011-06-29

量子紅外探測(cè)器 BSP GAN
一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計(jì)

摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)等特點(diǎn)，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點(diǎn)。為了研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進(jìn)行電路仿真設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電

模擬
2011-06-29

寬帶放大器波段 GAN
GaN基量子阱紅外探測(cè)器的設(shè)計(jì)

摘要：為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測(cè)器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對(duì)GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究。考慮了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過(guò)設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)

數(shù)字電源
2011-06-26

量子紅外探測(cè)器 BSP GAN
穆迪：贏得蘋果訴訟為諾基亞贏得改革時(shí)間

（馬喬）北京時(shí)間6月21日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，國(guó)際評(píng)級(jí)機(jī)構(gòu)穆迪(Moody’s)周一表示，由于贏得了與蘋果的專利糾紛訴訟，四面楚歌的諾基亞將為自己贏得更多的改革時(shí)間。但穆迪也表示，這次勝訴并不足以改變?cè)摴?/p>
消費(fèi)電子
2011-06-22

諾基亞蘋果智能手機(jī) GAN
穆迪：勝訴蘋果為諾基亞贏得改革時(shí)間

新浪科技訊北京時(shí)間6月21日早間消息，國(guó)際評(píng)級(jí)機(jī)構(gòu)穆迪周一表示，由于在與蘋果的專利糾紛中勝訴，困境重重的諾基亞將為自己贏得更多的改革時(shí)間。但穆迪也表示，這次勝訴并不足以改變?cè)摴緦?duì)諾基亞償債壓力的

消費(fèi)電子
2011-06-21

諾基亞蘋果蘋果IPHONE GAN
穆迪：和解協(xié)議為諾基亞贏得喘息時(shí)間

6月21日消息，據(jù)路透社報(bào)道，評(píng)級(jí)公司穆迪投資者服務(wù)周一表示，通過(guò)與蘋果的專利訴訟和解，處于困境中的諾基亞為自己謀求變化贏得了更多的時(shí)間。不過(guò)穆迪表示，專利和解協(xié)議不足以改變其對(duì)諾基亞信譽(yù)所面臨壓力的看法

通信技術(shù)
2011-06-21

諾基亞 MIDDOT 蘋果IPHONE GAN
IMEC利用CMOS工藝制程GaN MISHEMTs

歐洲微電子研究中心（Interuniversity Microelectronics Centre。即IMEC）與其合作伙伴共同開發(fā)了在200毫米硅芯片上生長(zhǎng)GaN/AlGaN的技術(shù)。借助這項(xiàng)新技術(shù)，GaN MISHEMTs（ metal-insulator semiconductor high-elect

模擬
2011-06-20

氮化鎵 CMOS工藝 MT GAN
AZZURRO實(shí)現(xiàn)150mm(6吋)晶圓GaN-on-Si制造可顯著降低LED成本

AZZURRO半導(dǎo)體成立于2003年，具有專利的大直徑矽基板氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)，該技術(shù)源自德國(guó)Magdeburg大學(xué)，在2010年10月獲得包括Wellington Partners、Good Energies和Emerald等4家創(chuàng)投業(yè)者共1,500萬(wàn)歐元的資金投入

模擬
2011-06-16

晶圓基板 LED GAN
中興希望印度緩行電信設(shè)備本土制造政策

北京時(shí)間6月3日午間消息（張?jiān)录t）對(duì)于印度對(duì)通信和IT業(yè)都鼓勵(lì)電信設(shè)備本土化生產(chǎn)的政策，中興通訊表示，希望印度政府放寬時(shí)間，留給廠商足夠的時(shí)間啟動(dòng)生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)。中興印度公司首席執(zhí)行官崔良軍表示，印度是中興的戰(zhàn)

通信技術(shù)
2011-06-03

中興電信設(shè)備 GAN
IMEC成功在200mm硅晶圓襯底上制出高質(zhì)量GaN基MIS-HEMT器件

歐洲研究機(jī)構(gòu)IMEC與其合作伙伴最近成功在200mm規(guī)格硅襯底上制造出了高質(zhì)量的GaN/AlGaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)層，雙方目前正合作研究基于氮化鎵材料的HEMT（High electron mobility transistor：高電子遷移率晶體管）異質(zhì)結(jié)構(gòu)晶體管

模擬
2011-05-27

器件硅晶圓 MT GAN
思杰任命思科和Sun前高管為副總裁

新浪科技訊北京時(shí)間5月19日晚間消息，思杰系統(tǒng)(Citrix Systems)日前宣布，任命西蒙·海耶斯(Simon Hayes)為公司戰(zhàn)略聯(lián)盟副總裁，任命喬·凱勒(Joe Keller)為公司聯(lián)盟及社區(qū)營(yíng)銷副總裁。海耶斯曾在思科任職14年

消費(fèi)電子
2011-05-20

思科 SYSTEMS TECHNOLOGY GAN
LED外延片介紹及辨別質(zhì)量方法

外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來(lái)就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。良品的外延片就要開始做電極(P極，N極)，接下來(lái)就用激

顯示光電
2011-05-11

CMOS SIC LED GAN
LED外延片介紹及辨別質(zhì)量方法

外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來(lái)就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。良品的外延片就要開始做電極(P極，N極)，接下來(lái)就用激

數(shù)字電源
2011-05-09

電極 SIC LED GAN

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GAN

SEMI對(duì)中國(guó)的LED晶圓廠成功的報(bào)告

兩人售iPhone 4原型機(jī)遭指控或面臨1年監(jiān)禁

美國(guó)千萬(wàn)家庭將在五年內(nèi)放棄電視

有機(jī)碳對(duì)土壤中有機(jī)氯分布影響研究獲突破

2011年GaN LED市場(chǎng)有望增長(zhǎng)38% 達(dá)到108億美元

Siltronic AG 加入IMEC的GaN-on-Si研究計(jì)劃

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GaN基量子阱紅外探測(cè)器的設(shè)計(jì)

一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計(jì)

GaN基量子阱紅外探測(cè)器的設(shè)計(jì)

穆迪：贏得蘋果訴訟為諾基亞贏得改革時(shí)間

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穆迪：和解協(xié)議為諾基亞贏得喘息時(shí)間

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中興希望印度緩行電信設(shè)備本土制造政策

IMEC成功在200mm硅晶圓襯底上制出高質(zhì)量GaN基MIS-HEMT器件

思杰任命思科和Sun前高管為副總裁

LED外延片介紹及辨別質(zhì)量方法

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