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MEMS

我要報(bào)錯(cuò)
微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS， Micro-Electro-Mechanical System），也叫做微電子機(jī)械系統(tǒng)、微系統(tǒng)、微機(jī)械等，指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置。微機(jī)電系統(tǒng)其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級，是一個(gè)獨(dú)立的智能系統(tǒng)。微機(jī)電系統(tǒng)是在微電子技術(shù)（半導(dǎo)體制造技術(shù)）基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，融合了光刻、腐蝕、薄膜、LIGA、硅微加工、非硅微加工和精密機(jī)械加工等技術(shù)制作的高科技電子機(jī)械器件。微機(jī)電系統(tǒng)是集微傳感器、微執(zhí)行器、微機(jī)械結(jié)構(gòu)、微電源微能源、信號處理和控制電路、高性能電子集成器件、接口、通信等于一體的微型器件或系統(tǒng)。MEMS是一項(xiàng)革命性的新技術(shù)，廣泛應(yīng)用于高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，是一項(xiàng)關(guān)系到國家的科技發(fā)展、經(jīng)濟(jì)繁榮和國防安全的關(guān)鍵技術(shù)。MEMS側(cè)重于超精密機(jī)械加工，涉及微電子、材料、力學(xué)、化學(xué)、機(jī)械學(xué)諸多學(xué)科領(lǐng)域。它的學(xué)科面涵蓋微尺度下的力、電、光、磁、聲、表面等物理、化學(xué)、機(jī)械學(xué)的各分支。常

  • 降低MEMS設(shè)計(jì)方法

    鑒于MEMS工藝源自光刻微電子工藝，所以人們很自然會考慮用IC設(shè)計(jì)工具來創(chuàng)建MEMS器件的掩膜。然而，IC設(shè)計(jì)與MEMS設(shè)計(jì)之間存在著根本的區(qū)別，從版圖特性、驗(yàn)證或仿真類型，到最重要的構(gòu)造問題。 盡管針對MEMS設(shè)計(jì)的

  • 新研發(fā)MEMS電晶體號稱能與CMOS電路整合

    美國半導(dǎo)體研發(fā)聯(lián)盟機(jī)構(gòu)Semiconductor Research (SRC)與康乃爾大學(xué)(Cornell University)合作發(fā)表一種微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)電晶體，并可提供給SRC聯(lián)盟成員采用，做為 CMOS 晶片上的時(shí)序(timing)解決方案。 這種 MEMS-JFE

  • 亞德諾十自由度MEMS慣性量測單元登場

    美商亞德諾(ADI)發(fā)表第三代的iSensor 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)慣性量測單元(IMU)。ADIS 16488 乃是一款戰(zhàn)術(shù)級的10自由度(DoF)感測器 ，并且將三軸陀羅儀、三軸加速度計(jì)、三軸磁力計(jì)、以及壓力感測器整合至單晶片當(dāng)中。 新

    模擬
    2011-12-08
    感測器 IMU MEMS BSP

  • 牛尾電機(jī)開發(fā)出三款曝光裝置，面向TSV、MEMS及功率半導(dǎo)體

    “UX4-3Di FFPL300” （點(diǎn)擊放大） “UX4-MEMS FFPL200”和“UX4-ECO FFPL150”（兩款機(jī)型的概觀相同）（點(diǎn)擊放大） 牛尾電機(jī)宣布，該公司開發(fā)出了模塊全域等倍曝光裝置“UX4”系列的3款機(jī)型，將在“Semicon J

  • MEMS力拼10自由度，運(yùn)動傳感器成為大熱門

    引言：傳感器融合將為高精度運(yùn)動檢測在手機(jī)、導(dǎo)航系統(tǒng)、游戲機(jī)等便攜電子設(shè)備內(nèi)的應(yīng)用創(chuàng)造更多新機(jī)會，空中鼠標(biāo)、智能遙控器、LBS等都是未來十分看好的應(yīng)用。就在各種6自由度、9自由度器件不斷問世之際，10自由度MEM

  • MEMS/NEMS表面3-D輪廓測量中基于模板的相位解包裹算法

    相位解包裹是使用相移顯微干涉法測量MEMS/NEMS表面3-D輪廓時(shí)的重要步驟.本文針對普通的相位解包裹方 法在復(fù)雜輪廓或包含非理想數(shù)據(jù)區(qū)的表面輪廓測量中的局限性,提出一種基于模板的廣度優(yōu)先搜索相位展開方法.通過模板 的使用,先將非相容區(qū)域標(biāo)記出來,在相位解包裹的過程中繞過這些區(qū)域,即可得到準(zhǔn)確可靠的相位展開結(jié)果.通過具體的應(yīng) 用實(shí)例可以證明,使用不同模板可以根據(jù)不同應(yīng)用的需要靈活而準(zhǔn)確地實(shí)現(xiàn)微納結(jié)構(gòu)表面3-D輪廓測量中的相位展開. 關(guān)鍵詞:MEMS/NEMS;表面輪廓測量;模板;相位解包裹;邊緣檢測

  • 基于MEMS的LED芯片封裝光學(xué)特性分析

    本文提出了一種基于MEMS的LED芯片封裝技術(shù)，利用體硅工藝在硅基上形成的凹槽作為封裝LED芯片的反射腔。分析了反射腔對LED的發(fā)光強(qiáng)度和光束性能的影響，分析結(jié)果表明該反射腔可以提高芯片的發(fā)光效率和光束性能；討論了反射腔的結(jié)構(gòu)參數(shù)與芯片發(fā)光效率之間的關(guān)系。最后設(shè)計(jì)r封裝的工藝流程。利用該封裝結(jié)構(gòu)可以降低芯片的封裝尺，提高器件的發(fā)光效率和散熱特性。

  • IDT展示全球首款商用壓電MEMS振蕩器

    擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已開發(fā)并展示全球首款納入壓電微機(jī)電系統(tǒng)(pMEMS)諧振器的商用振

  • MEMS/NEMS表面3-D輪廓測量中基于模板的相位解包裹算法

    相位解包裹是使用相移顯微干涉法測量MEMS/NEMS表面3-D輪廓時(shí)的重要步驟.本文針對普通的相位解包裹方 法在復(fù)雜輪廓或包含非理想數(shù)據(jù)區(qū)的表面輪廓測量中的局限性,提出一種基于模板的廣度優(yōu)先搜索相位展開方法.通過模板 的使用,先將非相容區(qū)域標(biāo)記出來,在相位解包裹的過程中繞過這些區(qū)域,即可得到準(zhǔn)確可靠的相位展開結(jié)果.通過具體的應(yīng) 用實(shí)例可以證明,使用不同模板可以根據(jù)不同應(yīng)用的需要靈活而準(zhǔn)確地實(shí)現(xiàn)微納結(jié)構(gòu)表面3-D輪廓測量中的相位展開. 關(guān)鍵詞:MEMS/NEMS;表面輪廓測量;模板;相位解包裹;邊緣

  • 基于MEMS的LED芯片封裝光學(xué)特性分析

    本文提出了一種基于MEMS的LED芯片封裝技術(shù)，利用體硅工藝在硅基上形成的凹槽作為封裝LED芯片的反射腔。分析了反射腔對LED的發(fā)光強(qiáng)度和光束性能的影響，分析結(jié)果表明該反射腔可以提高芯片的發(fā)光效率和光束性能；討論了反射腔的結(jié)構(gòu)參數(shù)與芯片發(fā)光效率之間的關(guān)系。最后設(shè)計(jì)r封裝的工藝流程。利用該封裝結(jié)構(gòu)可以降低芯片的封裝尺，提高器件的發(fā)光效率和散熱特性。

  • IDT 展示全球首款商用壓電 MEMS 振蕩器

    擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT? 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已開發(fā)并展示全球首款納入壓電微機(jī)電系統(tǒng)（pMEMS）諧振器的商用振蕩

  • ADI 推出戰(zhàn)術(shù)級10自由度 MEMS IMU-ADIS16488

    第三代 iSensor(r) MEMS IMU(慣性測量單元)ADIS16488，不懼惡劣環(huán)境 北京2011年12月1日電 /美通社亞洲/ -- Analog Devices, Inc. (ADI)，全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商，最近正式全面推出第三代iSensor

    模擬
    2011-12-02
    IMU ADIS MEMS BSP

  • ADI推出戰(zhàn)術(shù)級10自由度MEMS IMU-ADIS16488

    Analog Devices, Inc. (ADI)，最近正式全面推出第三代iSensor® MEMS IMU（慣性測量單元）ADIS16488，這是一款戰(zhàn)術(shù)級10自由度(DoF)傳感器 ，在單封裝中集成一個(gè)三軸陀螺儀、一個(gè)三軸加速度計(jì)、一個(gè)三軸磁力

  • IDT 展示全球首款商用壓電 MEMS 振蕩器

    IDT® 公司 宣布，已開發(fā)并展示全球首款納入壓電微機(jī)電系統(tǒng)（pMEMS）諧振器的商用振蕩器。該振蕩器利用 pMEMS 諧振器與生俱來的高頻率，使其適合在任何應(yīng)用中替代傳統(tǒng)的石英振蕩器。IDT 的 pMEMS 諧振器技術(shù)將壓

  • MEMS運(yùn)動處理方案對消費(fèi)類電子的影響

    對設(shè)備在三維空間中的運(yùn)動進(jìn)行測量及智能處理的運(yùn)動處理技術(shù)，將是下一個(gè)重大的革命性技術(shù)，會對未來的手持消費(fèi)電子設(shè)備、人機(jī)接口、及導(dǎo)航和控制產(chǎn)生重大影響。 這場變革的推動力量是基于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的消費(fèi)級

  • 上海先進(jìn)半導(dǎo)體：告別被動代工

    先進(jìn)半導(dǎo)體是全球歷史最為悠久的模擬電子芯片代工廠之一，其前身是1988年成立的上海飛利浦半導(dǎo)體公司。 當(dāng)時(shí)，這家位于上海市漕河涇的工廠，產(chǎn)品基本出口。 由于之前發(fā)展的保守與缺乏戰(zhàn)略，從2006年上市后到2009年，

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    先進(jìn)半導(dǎo)體是全球歷史最為悠久的模擬電子芯片代工廠之一，其前身是1988年成立的上海飛利浦半導(dǎo)體公司。當(dāng)時(shí)，這家位于上海市漕河涇的工廠，產(chǎn)品基本出口。由于之前發(fā)展的保守與缺乏戰(zhàn)略，從2006年上市后到2009年，這

  • 取代石英晶體　MEMS振蕩器難竟全功

    微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)振蕩器全面取代石英晶體振蕩器的美夢難圓。雖然MEMS振蕩器基于與半導(dǎo)體制程和封裝技術(shù)相容而樹立低成本優(yōu)勢；然而，其在溫度及相噪(Phase Noise)的整體表現(xiàn)遠(yuǎn)不及石英晶體成熟，短期內(nèi)僅能切入有線通

  • 陀螺儀價(jià)格續(xù)降　九軸MEMS發(fā)展添動能

    陀螺儀價(jià)格不斷下殺，中低階智慧型手機(jī)采用九軸微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)感測器機(jī)會大增。由于陀螺儀單顆售價(jià)仍約落在2美元，導(dǎo)致現(xiàn)階段僅少量高階智慧型手 機(jī)內(nèi)建九軸MEMS感測器，隨著2012年陀螺儀的單價(jià)下滑到1.5美元左右，

  • MEMS:智能機(jī)和汽車電子貢獻(xiàn)率60%以上

    美國MEMS產(chǎn)業(yè)協(xié)會（MIG）于2011年11月2日～3日在加利福尼亞州Monterey召開了MEMS經(jīng)理人年度大會。與會專業(yè)人士認(rèn)為，未來幾年，智能手機(jī)和汽車電子將是MEMS應(yīng)用的兩大主要市場。手機(jī)和平板電腦中的運(yùn)動傳感器（加速度