車用MOSFET：尋求性能與保護的最佳組合

工程師在為汽車電子設計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設計任何電源應用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在

飛兆半導體推出30V PowerTrench® MOSFET

21ic訊 在能源效率標準和最終系統(tǒng)要求的推動之下，電源設計人員需要有助于縮減其應用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.

飛兆半導體推出30V PowerTrench® MOSFET

21ic訊 在能源效率標準和最終系統(tǒng)要求的推動之下，電源設計人員需要有助于縮減其應用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.

汽車電子保護電路設計

汽車環(huán)境對電子產品而言是非?？量痰模喝魏芜B接到12V電源上的電路都必須工作在9V至16V的標稱電壓范圍內，其它需要迫切應對的問題包括負載突降、冷車發(fā)動、電池反向、雙電池助推、尖峰信號、噪聲和極寬的溫度范圍。在

Vishay Siliconix 30 V P溝道芯片級MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，引入兩款在尺寸和導通電阻上設立了新的行業(yè)基準的p溝道30V器件，擴充其MICRO FOOT® TrenchFET® Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是業(yè)內首款采用小巧的1mm x 1.

汽車電子保護電路設計

汽車環(huán)境對電子產品而言是非常苛刻的：任何連接到12V電源上的電路都必須工作在9V至16V的標稱電壓范圍內，其它需要迫切應對的問題包括負載突降、冷車發(fā)動、電池反向、雙電池助推、尖峰信號、噪聲和極寬的溫度范圍。在

汽車電子保護電路設計

汽車環(huán)境對電子產品而言是非?？量痰模喝魏芜B接到12V電源上的電路都必須工作在9V至16V的標稱電壓范圍內，其它需要迫切應對的問題包括負載突降、冷車發(fā)動、電池反向、雙電池助推、尖峰信號、噪聲和極寬的溫度范圍。在

鋰電池過充電、過放電、短路保護電路詳解

該電路主要由鋰電池保護專用集成電路DW01，充、放電控制MOSFET1(內含兩只N溝道MOSFET)等部分組成，單體鋰電池接在B+和B-之間，電池組從P+和P-輸出電壓。充電時，充電器輸出電壓接在P+和P-之間，電流從P+到單體電池的

Vicor展出其最新產品

1981年Vicor公司成立, 并致力開發(fā)、生產及銷售功率轉換組件和方案。 除了電源組件以外，Vicor還生產及銷售完整的配置式電源、配件模塊、和定制式電源系統(tǒng)。Vicor的產品主要供應通訊、數據處理、工業(yè)控制、檢測設備、

快捷與英飛凌共同簽訂車用MOSFET H-PSOF TO無導線封裝授權協議

賴品如／臺北 英飛凌和快捷半導體宣布，針對英飛凌先進的車用 MOSFET 封裝技術 H-PSOF(帶散熱器的塑膠小型扁平引腳封裝)簽訂授權協議，該技術是符合JEDEC 標準的TO無導線封裝(MO-299)。該封裝適用于高電流汽車應用，

瑞薩電子推出推出八款低功耗MOSFET

21ic訊 瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩電子”）日前宣布推出八款低功耗P通道和N通道功率金屬氧化半導體場效晶體管（MOSFET）產品，理想用于包括智能手機和筆記本在內的便攜式電子產品。具有業(yè)界領先的低

電源設計小貼士 43：分立器件——一款可替代集成 MOSFET 驅動器的卓越解決方案

在電源設計小貼士 #42 中，我們討論了 MOSFET 柵極驅動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶體管便可以實現 2A 范圍的驅動電流。在本設計小貼士中，我們來了解一下自驅動同整流器并探討何時需要分

電源設計小貼士42：可替代集成 MOSFET 的分立器件

　　在電源設計中，工程師通常會面臨控制 IC 驅動電流不足的問題，或者面臨由于柵極驅動損耗導致控制 IC 功耗過大的問題。為緩解這一問題，工程師通常會采用外部驅動器。半導體廠商（包括 TI 在內）擁有現成的 MOSFE

電源系統(tǒng)開關控制器的 MOSFET 選擇

DC/DC開關控制器的MOSFET選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內，必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種

創(chuàng)新型汽車MOSFET H-PSOF TO無鉛封裝技術

飛兆半導體公司和英飛凌科技公司日前宣布已就英飛凌的H-PSOF (帶散熱片的小外形扁平引腳塑料封裝) 先進汽車MOSFET封裝技術達成許可協議。H-PSOF是符合JEDEC標準的TO無鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299)。這款封裝專為包括混合

Fairchild與Infineon簽訂車用MOSFET 封裝技術協議

英飛凌(Infineon) 和快捷半導體(Fairchild)日前宣布，針對英飛凌先進的車用MOSFET 封裝技術H-PSOF（帶散熱器的塑膠小型扁平引腳封裝）簽訂授權協議，該技術是符合JEDEC標準的TO 無導線封裝(MO-299)。該封裝適用于高電

Infineon與Fairchild簽訂車用MOSFET封裝授權協議

(Fairchild)宣布針對英飛凌先進的車用 MOSFET 封裝技術 H-PSOF (帶散熱器的塑膠小型扁平引腳封裝)簽訂授權協議，該技術是符合 JEDEC 標準的 TO 無導線封裝(MO-299)。 該封裝適用于高電流汽車應用，包括油電混合車電

電源系統(tǒng)開關控制器的 MOSFET 選擇

DC/DC開關控制器的MOSFET選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內，必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種

電源系統(tǒng)開關控制器的 MOSFET 選擇

DC/DC開關控制器的MOSFET選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內，必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種

SI9114采用MOSFET電路圖