MOSFET
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飛兆半導(dǎo)體2012年總收入14億美元
飛兆半導(dǎo)體日前公布了截至2012年12月30日的四季度及全年財(cái)報(bào)。 財(cái)報(bào)顯示，飛兆半導(dǎo)體四季度銷售額為3.334億美元，環(huán)比下降7%同比下降2%。季度虧損1360萬美元，經(jīng)過調(diào)整后的凈利潤為1230萬美元，毛利率為29.8%。2012年
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常用功率器件MOSFET基礎(chǔ)介紹
我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過或屏蔽一個(gè)
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東芝推出新款I(lǐng)GBT/MOSFET門驅(qū)動(dòng)光電耦合器
工作溫度范圍為-40°C至125°C，有助于減少逆變電路的死區(qū)時(shí)間，提高效率東芝公司(Toshiba Corporation今天宣布將推出采用DIP8封裝的IC耦合器，可直接驅(qū)動(dòng)中等容量的
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選擇最佳MOSFET的方法
MOS管現(xiàn)在在很多注重電源性能的便攜產(chǎn)品中越來越多用來替代二極管用于同步整流，但是如何選型非常講究，相信大部分童鞋都不太有底，特別是面對(duì)眾多供應(yīng)商、各種產(chǎn)品型號(hào)、多種參數(shù)，等等。以英飛凌的低壓MOS管為例，
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中科院宣布成功開發(fā)22nm MOSFET
中國科學(xué)院微電子研究所(IMECAS)宣布在22奈米CMOS 制程上取得進(jìn)展，成功制造出高K金屬閘MOSFET 。中科院指出，中國本土設(shè)計(jì)與制造的22nm元件展現(xiàn)出更高性能與低功耗。根據(jù)中科院微電子研究所積體電路先導(dǎo)工藝研發(fā)？？
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數(shù)字電源控制技術(shù)新保障 不依賴數(shù)字控制信號(hào)的MOSFET驅(qū)動(dòng)器
UCD9110或UCD9501等新上市的數(shù)字電源控制器需要具備新型的智能型集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的支持。電源設(shè)計(jì)人員仍然對(duì)數(shù)字電源控制技術(shù)心存疑慮。他們經(jīng)常將PC的藍(lán)屏現(xiàn)象歸咎于軟件
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第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立，難分高下
進(jìn)入21世紀(jì)以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。Si
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飛兆半導(dǎo)體推出600V N溝道SuperFET® II MOSFET系列產(chǎn)品
21ic訊 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出600V N溝道SuperFET® II MOSFET系列產(chǎn)品，幫助設(shè)計(jì)人員解決這些挑戰(zhàn)。SuperFET II和SuperFET II Easy Drive以兩種產(chǎn)品系列推出，這些MOSFET的輸出電容具有
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如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅(qū)動(dòng)器有辦法
如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅(qū)動(dòng)器有辦法
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LED照明普及所需解決的問題
眾所周知，LED以其無與倫比的節(jié)能、環(huán)保、長壽命、可控性高等技術(shù)優(yōu)勢，成為近年來全球最具發(fā)展前景的高新技術(shù)之一，正式拉開全面替代傳統(tǒng)照明的序幕，半導(dǎo)體照明技術(shù)革新正在改變百年傳統(tǒng)照明歷史。隨著LED技術(shù)在照
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飛兆半導(dǎo)體推出40V N溝道PowerTrench® MOSFET
21ic訊 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的40V N溝道PowerTrench® MOSFET可幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。FDB9403利用飛兆半導(dǎo)體的屏蔽柵極技術(shù)，改進(jìn)了電阻并降低了電容。 該器件的RDS(ON) 比其最直接競爭
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國產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售
“十二五”規(guī)劃出臺(tái)以后，國家對(duì)新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時(shí)，“節(jié)能減排”工作也深入開展，中國開始從粗放型用電到精細(xì)化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導(dǎo)體功率器件作為關(guān)鍵部件，受到了國家的重
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晶片商搶推高整合LED驅(qū)動(dòng)器
半導(dǎo)體業(yè)者競相開發(fā)高整合度發(fā)光二極體(LED)照明驅(qū)動(dòng)IC方案。在高壓金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)產(chǎn)能吃緊之下，LED照明系統(tǒng)商正面臨出貨遞延的窘境，因此晶片商正加緊發(fā)表整合高壓MOSFET的LED照明驅(qū)動(dòng)IC方案，
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Vishay發(fā)布新款采用20V P溝道MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN還是首個(gè)采用新版本Vi
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羅姆在新一代功率元器件領(lǐng)域的飛躍發(fā)展與前沿探索
前言在功率元器件的發(fā)展中，主要半導(dǎo)體材料當(dāng)然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里，在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k，同時(shí)將電壓也降低到1/k，力爭更低功耗”的指導(dǎo)原理下，隨著微細(xì)加工技術(shù)的發(fā)展，實(shí)現(xiàn)了開
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第14屆高交會(huì)：成啟，把握產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移發(fā)展契機(jī)
縱觀功率半導(dǎo)體行業(yè)，與功率集成電路產(chǎn)業(yè)主要被國外廠商把持的情況不同，國內(nèi)功率器件行業(yè)受技術(shù)、資金、產(chǎn)品認(rèn)可度等因素的制約相對(duì)有限，因此能夠保持高速增長的態(tài)勢。作為一家新興企業(yè)，廣州成啟半導(dǎo)體有限公司是
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汽車電源過壓保護(hù)電路
典型的汽車電源架構(gòu)圖1給出了一個(gè)典型的汽車電源簡化框圖，主要包括以下幾個(gè)單元：源保護(hù)電路：限制+12V電源總線的正向電壓，并阻止產(chǎn)生負(fù)壓。有源保護(hù)電路：該限壓器功能與
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Vishay發(fā)布新型光隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小尺寸SOP-4表面貼裝封裝的新型光隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器--- VOM1271。新器件集成了關(guān)斷電路，因此不需要外部的關(guān)斷元
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Linear雙組Hot Swap控制器LTC4226 實(shí)現(xiàn)彈性限流
凌力爾特(Linear Technology )發(fā)表雙組 Hot Swap控制器LTC4226，可安全地使電路板插入操作中的4.5V至44V背板。LTC4226可控制外部N通道MOSFET以和緩地啟動(dòng)電路板、避免導(dǎo)致火花、連接器損壞和系統(tǒng)故障，每個(gè)電源配備斷
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新穎的均流IC 可輕松平衡兩個(gè)電源
“只許成功，不許失敗”—— 對(duì)于當(dāng)今那些始終保持正常運(yùn)轉(zhuǎn)的電氣基礎(chǔ)設(shè)施 (電信網(wǎng)絡(luò)、互聯(lián)網(wǎng)和電網(wǎng)等) 的設(shè)計(jì)師而言，這很可能是他們的座右銘。問題是
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