
21ic訊 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 LTC4440A-5,該器件能以高達(dá) 80V 的輸入電壓工作,在高達(dá) 100V 瞬態(tài)時(shí)
和用于電池供電應(yīng)用的現(xiàn)有器件相比,該解決方案可把工作時(shí)間延長(zhǎng)40%21ic訊 麥瑞半導(dǎo)體公司今天推出了85V半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器MIC4604。MIC4604具有集成的85V陰極負(fù)載二極管和業(yè)
在LED照明市場(chǎng)的強(qiáng)勁驅(qū)動(dòng)下,也帶動(dòng)LED驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)成長(zhǎng),LED驅(qū)動(dòng)規(guī)模逐漸攀升,據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),LED驅(qū)動(dòng)IC市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)模將由2010年的近20億美元,在2015年達(dá)到近35億美元,期間平均復(fù)合年成長(zhǎng)率為12%。該機(jī)構(gòu)并指出,
在LED照明市場(chǎng)的強(qiáng)勁驅(qū)動(dòng)下,也帶動(dòng)LED驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)成長(zhǎng),LED驅(qū)動(dòng)規(guī)模逐漸攀升,據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),LED驅(qū)動(dòng)IC市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)模將由2010年的近20億美元,在2015年達(dá)到近35億美元,
PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器:“PhotoMOS”是松下電器的一款采用光電元件以及功率MOSFET進(jìn)行輸出的輸出光電耦合器。面世二十年間,在全世界的銷量達(dá)到八億個(gè),
業(yè)界首款集成肖特基且具有低漏電流性能的MOSFET恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布推出NextPowerS3——一款全新高性能30V MOSFET平臺(tái),使用恩智浦特
VRF2944在50V供電電壓下提供業(yè)界最高輸出功率21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布擴(kuò)展高頻率垂直擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(VDMOS) MOSFET產(chǎn)品系列,兩款更大功率
【導(dǎo)讀】從目前國(guó)內(nèi)新能源市場(chǎng)的開發(fā)進(jìn)展來看,主要熱點(diǎn)集中在可再生能源、新能源汽車等領(lǐng)域。 可再生能源又可分為風(fēng)力發(fā)電和太陽能光伏發(fā)電兩種,對(duì)于這兩大市場(chǎng),三菱電機(jī)機(jī)電(上海)有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部市場(chǎng)營(yíng)
功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍日益廣泛,不同的應(yīng)用對(duì)于器件的要求也不盡相同,這使得廠商開始走向行業(yè)化解決方案的道路。國(guó)際整流器公司(IR)亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉指出,功率器件
東芝公司(Toshiba Corporation)已經(jīng)為智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備的高電流充電電路的開關(guān)推出了超緊湊型MOSFET,包括兩種電池。隨著更多功能添加至智能手機(jī)和手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦等移動(dòng)設(shè)備以及對(duì)它們的電
21ic訊 低導(dǎo)通電阻可減少移動(dòng)設(shè)備的傳導(dǎo)損失東芝公司宣布通過“TPN2R203NC”擴(kuò)充移動(dòng)設(shè)備鋰離子電池和電源管理開關(guān)專用保護(hù)電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造,實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)
對(duì)于現(xiàn)在一個(gè)電子系統(tǒng)來說,電源部分的設(shè)計(jì)也越來越重要,我想通過和大家探討一些自己關(guān)于電源設(shè)計(jì)的心得,來個(gè)拋磚引玉,讓我們?cè)陔娫丛O(shè)計(jì)方面能夠都有所深入和長(zhǎng)進(jìn)。Q1:
根據(jù)新華社華盛頓8月8號(hào)消息,在美國(guó)《科學(xué)》雜志刊登一個(gè)報(bào)告中,中國(guó)研究人員在成電路的基本單元晶體管研究上取得突破,發(fā)明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎(chǔ)微電子器件,可讓數(shù)據(jù)擦寫更容易、迅速。據(jù)了解,這項(xiàng)
根據(jù)新華社華盛頓8月8號(hào)消息,在美國(guó)《科學(xué)》雜志刊登一個(gè)報(bào)告中,中國(guó)研究人員在成電路的基本單元晶體管研究上取得突破,發(fā)明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎(chǔ)微電子器件,可讓數(shù)據(jù)擦寫更容易、迅速。據(jù)了解,這項(xiàng)
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)最近宣布推出新系列高壓MOSFET “πMOS VIII”系列,并推出了該系列的首款產(chǎn)品“TK9J90E”,并計(jì)劃于2013年8月投入量產(chǎn)。通過優(yōu)化芯片設(shè)計(jì),可將其每單
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)最近宣布推出第四代超級(jí)結(jié)MOSFET“DTMOS IV”系列650V設(shè)備。作為該系列的首款產(chǎn)品,“TK14A65W”已經(jīng)推出,并計(jì)劃于2013年8月全面投入量產(chǎn)。該系列采用最
根據(jù)新華社華盛頓8月8號(hào)消息,在美國(guó)《科學(xué)》雜志刊登一個(gè)報(bào)告中,中國(guó)研究人員在成電路的基本單元晶體管研究上取得突破,發(fā)明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎(chǔ)微電子器件,可讓數(shù)據(jù)擦寫更容易、迅速。據(jù)了解,這項(xiàng)
接地的外流科爾皮茲振蕩器的輸出使用美國(guó)無線電公司的N通道雙柵場(chǎng)效應(yīng)管,Q1是由CR1檢測(cè)的,被Q2放大,可用來驅(qū)動(dòng)振蕩器。振蕩頻率是由C1,C2,C3和L1決定的,當(dāng)L1減小時(shí),頻率可達(dá)到250MHz。表格給出了9個(gè)頻率范圍內(nèi)
近日消息,中國(guó)研究人員在美國(guó)《科學(xué)》雜志上報(bào)告說,在集成電路的基本單元晶體管研究上取得突破,發(fā)明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎(chǔ)微電子器件,可讓數(shù)據(jù)擦寫更容易、迅速。 據(jù)介紹,它的成功研制將有助我國(guó)掌握
【導(dǎo)讀】全球最大PC低電壓金氧半場(chǎng)效晶體管(Low Voltage MOSFET)供應(yīng)商日本瑞薩(Renesas)近期突然通知客戶,將在今年第4季全面退出市場(chǎng),造成PC生產(chǎn)鏈大地震。各家ODM/OEM廠為避免缺貨導(dǎo)致生產(chǎn)鏈斷鏈,已開始緊急固樁