MOSFET

我要報(bào)錯(cuò)

金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

沖電氣（OKI）向安森美半導(dǎo)體歐洲工廠提供排氣處理設(shè)備

東京, 2013年3月12日 - (亞太商訊) - 沖電氣（OKI）報(bào)導(dǎo)，沖電氣集團(tuán)（OKI）旗下的提供可靠性評(píng)估和環(huán)保技術(shù)服務(wù)的沖工程技術(shù)株式會(huì)社（社長(zhǎng)：淺井裕，總公司：日本東京都練馬區(qū)，以下簡(jiǎn)稱“OEG”）向半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商

模擬
2013-03-13

電氣安森美半導(dǎo)體 PS MOSFET
東芝將為移動(dòng)設(shè)備的直流-直流轉(zhuǎn)換器推出高速雙N溝道MOSFET

21ic訊東芝公司(Toshiba Corporation)宣布，該公司為智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備的大電流充電電路高速開(kāi)關(guān)推出一款低電容雙N溝道MOSFET。隨著智能手機(jī)、蜂窩手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦等移動(dòng)設(shè)備不斷增添新功能

模擬
2013-03-05

移動(dòng)設(shè)備東芝直流轉(zhuǎn)換器 MOSFET
TL5001做的10V轉(zhuǎn)5V電路，大電流

TL5001另外一個(gè)降壓電路，10V降壓至5V，電流3A，功率不小，使用貼片的N溝道MOSFET.體積很小。驅(qū)動(dòng)具有自舉哦。要不能只能使用P溝道的MOSFET了，其實(shí)P溝道的MOSFET不常用，如

電源電路
2013-03-05

電路電流 DIY MOSFET
Yole ：SJ MOSFET優(yōu)勢(shì)明顯市場(chǎng)前景大好

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) Yole Developpement 推出超接面金氧半場(chǎng)效電晶體(Super Junction Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor，SJ MOSFET)的市場(chǎng)更新報(bào)告，深度剖析高壓(400伏特以上) SJ MOSFET 市場(chǎng)指標(biāo)與預(yù)測(cè)

消費(fèi)電子
2013-02-27

英飛凌 SEMICONDUCTOR DEVELOP MOSFET
MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理

金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管

功率器件
2013-02-26

電流絕緣柵極 MOSFET
IR推出AUIR3200S MOSFET驅(qū)動(dòng)IC為汽車?yán)^電器更換和電池開(kāi)關(guān)提供更佳保護(hù)和診斷功能

21ic訊國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出車用AUIR3200S MOSFET 驅(qū)動(dòng)IC。新產(chǎn)品具有全面保護(hù)和診斷功能，為繼電器更換和電池開(kāi)關(guān)應(yīng)用提供更高的可靠性

功率器件
2013-02-26

開(kāi)關(guān) 電池驅(qū)動(dòng)IC MOSFET
數(shù)字和模擬電源分合有道

只要是電子設(shè)備，就離不開(kāi)電源。相對(duì)于高速發(fā)展的MCU和射頻等技術(shù)，電源IC盡管發(fā)展很慢，但也從早期的線性電源占主導(dǎo)地位，發(fā)展到模擬開(kāi)關(guān)電源占統(tǒng)治地位，再到數(shù)字電源的出現(xiàn)改寫(xiě)了電源市場(chǎng)的格局。數(shù)字和模

單片機(jī)
2013-02-22

MCU 數(shù)字電源模擬電源 MOSFET
MOSFET在單通道降壓轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)投影儀RGB LED的應(yīng)用

本應(yīng)用筆記提供了一個(gè)低功耗投影儀RGB LED驅(qū)動(dòng)器的參考設(shè)計(jì)?；趩涡酒琈AX16821構(gòu)建大電流LED驅(qū)動(dòng)器，能夠?yàn)橐唤M降壓驅(qū)動(dòng)的RGB LED提供高達(dá)10A的電流，通/斷時(shí)間小于1us。

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2013-02-20

LED 投影儀 RGB MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公布2012年度報(bào)告總收入14億美元

飛兆半導(dǎo)體日前公布了截至2012年12月30日的四季度及全年財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，飛兆半導(dǎo)體四季度銷售額為3.334億美元，環(huán)比下降7%同比下降2%。季度虧損1360萬(wàn)美元，經(jīng)過(guò)調(diào)整后的凈利潤(rùn)為1230萬(wàn)美元，毛利率為29.8%。2012年

半導(dǎo)體
2013-02-01

PCI 飛兆半導(dǎo)體電源 MOSFET
羅姆半導(dǎo)體正式量產(chǎn)碳化硅MOSFET模組

日本半導(dǎo)體制造商 ROHM 已正式將適用于工業(yè)裝置、太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器（Power conditioner）等變流器/轉(zhuǎn)換器（inverter/converter）的碳化硅（SiC） MOSFET 模組（額定規(guī)格1200V/ 180A）投入量產(chǎn)。該模組采用了將功

消費(fèi)電子
2013-01-31

半導(dǎo)體羅姆碳化硅 MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公布2012年度財(cái)報(bào) 總收入14億美元

飛兆半導(dǎo)體日前公布了截至2012年12月30日的四季度及全年財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，飛兆半導(dǎo)體四季度銷售額為3.334億美元，環(huán)比下降7%同比下降2%。季度虧損1360萬(wàn)美元，經(jīng)過(guò)調(diào)整后的凈利潤(rùn)為1230萬(wàn)美元，毛利率為29.8%。2012年

模擬
2013-01-30

PCI 飛兆半導(dǎo)體電源 MOSFET
飛兆半導(dǎo)體2012年總收入14億美元

飛兆半導(dǎo)體日前公布了截至2012年12月30日的四季度及全年財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，飛兆半導(dǎo)體四季度銷售額為3.334億美元，環(huán)比下降7%同比下降2%。季度虧損1360萬(wàn)美元，經(jīng)過(guò)調(diào)整后的凈利潤(rùn)為1230萬(wàn)美元，毛利率為29.8%。2012年

消費(fèi)電子
2013-01-30

PCI 飛兆半導(dǎo)體電源 MOSFET
常用功率器件MOSFET基礎(chǔ)介紹

我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。此外，二極管作為開(kāi)關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過(guò)或屏蔽一個(gè)

功率器件
2013-01-14

器件功率器件柵極 MOSFET
東芝推出新款I(lǐng)GBT/MOSFET門驅(qū)動(dòng)光電耦合器

工作溫度范圍為-40°C至125°C，有助于減少逆變電路的死區(qū)時(shí)間，提高效率東芝公司(Toshiba Corporation今天宣布將推出采用DIP8封裝的IC耦合器，可直接驅(qū)動(dòng)中等容量的

功率器件
2013-01-10

東芝光電耦合器 IGBT MOSFET
選擇最佳MOSFET的方法

MOS管現(xiàn)在在很多注重電源性能的便攜產(chǎn)品中越來(lái)越多用來(lái)替代二極管用于同步整流，但是如何選型非常講究，相信大部分童鞋都不太有底，特別是面對(duì)眾多供應(yīng)商、各種產(chǎn)品型號(hào)、多種參數(shù)，等等。以英飛凌的低壓MOS管為例，

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2013-01-09

器件同步整流 IP MOSFET
中科院宣布成功開(kāi)發(fā)22nm MOSFET

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所(IMECAS)宣布在22奈米CMOS 制程上取得進(jìn)展，成功制造出高K金屬閘MOSFET 。中科院指出，中國(guó)本土設(shè)計(jì)與制造的22nm元件展現(xiàn)出更高性能與低功耗。根據(jù)中科院微電子研究所積體電路先導(dǎo)工藝研發(fā)？？

消費(fèi)電子
2012-12-30

元件中科院 CMOS MOSFET
數(shù)字電源控制技術(shù)新保障不依賴數(shù)字控制信號(hào)的MOSFET驅(qū)動(dòng)器

UCD9110或UCD9501等新上市的數(shù)字電源控制器需要具備新型的智能型集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的支持。電源設(shè)計(jì)人員仍然對(duì)數(shù)字電源控制技術(shù)心存疑慮。他們經(jīng)常將PC的藍(lán)屏現(xiàn)象歸咎于軟件

數(shù)字電源
2012-12-17

驅(qū)動(dòng)器信號(hào) 數(shù)字控制 MOSFET
第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立，難分高下

進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場(chǎng)后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。Si

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2012-12-13

功率器件半導(dǎo)體材料 GAN MOSFET
飛兆半導(dǎo)體推出600V N溝道SuperFET® II MOSFET系列產(chǎn)品

21ic訊飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出600V N溝道SuperFET® II MOSFET系列產(chǎn)品，幫助設(shè)計(jì)人員解決這些挑戰(zhàn)。SuperFET II和SuperFET II Easy Drive以兩種產(chǎn)品系列推出，這些MOSFET的輸出電容具有

汽車電子
2012-12-13

飛兆半導(dǎo)體 RF SUPER MOSFET
如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅(qū)動(dòng)器有辦法

如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅(qū)動(dòng)器有辦法

嵌入式教程
2012-12-08

驅(qū)動(dòng)器電源數(shù)字控制 MOSFET

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MOSFET

沖電氣（OKI）向安森美半導(dǎo)體歐洲工廠提供排氣處理設(shè)備

東芝將為移動(dòng)設(shè)備的直流-直流轉(zhuǎn)換器推出高速雙N溝道MOSFET

TL5001做的10V轉(zhuǎn)5V電路，大電流

Yole ：SJ MOSFET優(yōu)勢(shì)明顯市場(chǎng)前景大好

MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理

IR推出AUIR3200S MOSFET驅(qū)動(dòng)IC為汽車?yán)^電器更換和電池開(kāi)關(guān)提供更佳保護(hù)和診斷功能

數(shù)字和模擬電源分合有道

MOSFET在單通道降壓轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)投影儀RGB LED的應(yīng)用

飛兆半導(dǎo)體公布2012年度報(bào)告總收入14億美元

羅姆半導(dǎo)體正式量產(chǎn)碳化硅MOSFET模組

飛兆半導(dǎo)體公布2012年度財(cái)報(bào) 總收入14億美元

飛兆半導(dǎo)體2012年總收入14億美元

常用功率器件MOSFET基礎(chǔ)介紹

東芝推出新款I(lǐng)GBT/MOSFET門驅(qū)動(dòng)光電耦合器

選擇最佳MOSFET的方法

中科院宣布成功開(kāi)發(fā)22nm MOSFET

數(shù)字電源控制技術(shù)新保障不依賴數(shù)字控制信號(hào)的MOSFET驅(qū)動(dòng)器

第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立，難分高下

飛兆半導(dǎo)體推出600V N溝道SuperFET® II MOSFET系列產(chǎn)品

如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅(qū)動(dòng)器有辦法

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