MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。

一款汽車(chē)燈調(diào)光電路

一款汽車(chē)燈調(diào)光電路

控制電路
2013-07-05

汽車(chē) 調(diào)光電路車(chē)燈 MOSFET
介紹在SMPS應(yīng)用中選擇IGBT和MOSFET的比較

隨著電力電子技術(shù)的高速發(fā)展，電力電子設(shè)備與人們的工作、生活的關(guān)系日益密切，而電子設(shè)備都離不開(kāi)可靠的電源，進(jìn)入80年代計(jì)算機(jī)電源全面實(shí)現(xiàn)了開(kāi)關(guān)電源化，率先完成計(jì)算機(jī)

功率器件
2013-07-05

傳導(dǎo) IGBT SMPS MOSFET
一種低電壓大電流的線性的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)

隨著電源技術(shù)的發(fā)展，低電壓，大電流的開(kāi)關(guān)電源因其技術(shù)含量高，應(yīng)用廣，越來(lái)越受到人們重視。在開(kāi)關(guān)電源中，正激和反激式有著電路拓?fù)浜?jiǎn)單，輸入輸出電氣隔離等優(yōu)點(diǎn)，廣泛

線性電源
2013-07-01

電流低電壓線性 MOSFET
用多相DC-DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)高性能ASIC和微處理器

多相DC-DC轉(zhuǎn)換器引出當(dāng)今的高性能ASIC和微處理器己廣泛應(yīng)用工控、通信航天等各個(gè)領(lǐng)域。但由于它的功率消耗較高，有時(shí)高達(dá)150W甚至超過(guò)，對(duì)于1V至1.5V的電源電壓，這些器件所

電源
2013-06-28

微處理器 ASIC DC-DC轉(zhuǎn)換器 MOSFET
新LGA封裝MOSFET提升智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用的能效

安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用，作為鋰離子電池充電/放電保護(hù)電路開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設(shè)計(jì)人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用

消費(fèi)電子
2013-06-24

智能手機(jī) 平板電腦封裝 MOSFET
東芝推出用于繼電器驅(qū)動(dòng)器的新型MOSFET \"SSM3K337R\"

有源箝位結(jié)構(gòu)可以預(yù)防電感負(fù)載關(guān)閉時(shí)的過(guò)電壓東芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布，該公司已經(jīng)推出了用于繼電器驅(qū)動(dòng)器的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)"SSM3K33

功率器件
2013-06-24

東芝驅(qū)動(dòng)器繼電器驅(qū)動(dòng) MOSFET
東芝為射頻/模擬應(yīng)用推出新的低功耗MOSFET設(shè)備結(jié)構(gòu)

21ic訊東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布使用CMOS兼容工藝開(kāi)發(fā)高功率增益晶體管。該晶體管可有效降低高頻射頻/模擬前端應(yīng)用的功耗。詳細(xì)信息將于6月12日在2013年超大規(guī)模集成電路技術(shù)及電路研討會(huì)(Symposia o

通信技術(shù)
2013-06-14

射頻低功耗東芝 MOSFET
東芝為射頻/模擬應(yīng)用推出新的低功耗MOSFET設(shè)備結(jié)構(gòu)

21ic訊東芝公司今天宣布使用CMOS兼容工藝開(kāi)發(fā)高功率增益晶體管。該晶體管可有效降低高頻射頻/模擬前端應(yīng)用的功耗。詳細(xì)信息將于6月12日在2013年超大規(guī)模集成電路技術(shù)及電路

功率器件
2013-06-14

射頻低功耗東芝 MOSFET
模擬技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)四十四條

1.集成運(yùn)算放大器是一種高增益直接耦合放大器，他作為基本的電子器件，可以實(shí)現(xiàn)多種功能電路，如電子電路中的比例，積分，微分，求和，求差等模擬運(yùn)算電路。2.運(yùn)算放大器工作在兩個(gè)區(qū)域：在線性區(qū)，他放大小信號(hào);輸入

模擬
2013-06-13

模型基礎(chǔ)知識(shí) 模擬技術(shù) MOSFET
閉環(huán)速度控制

閉環(huán)速度控制

電機(jī)控制電路
2013-06-12

電壓控制發(fā)電機(jī) MOSFET
數(shù)字控制提高了直流-直流轉(zhuǎn)換器的效率

隨著能源價(jià)格的上漲和各項(xiàng)“環(huán)保”計(jì)劃的成功開(kāi)展，私營(yíng)公司和政府監(jiān)管部門(mén)對(duì)電源制造商的要求逐漸提高。歐盟委員會(huì)(歐盟(EU)的執(zhí)行機(jī)構(gòu))和美國(guó)環(huán)境保護(hù)署(EPA)對(duì)服務(wù)器電源的要求進(jìn)一步升級(jí)，現(xiàn)已涵蓋各種

模擬
2013-06-05

數(shù)字控制柵極驅(qū)動(dòng) 直流轉(zhuǎn)換器 MOSFET
安森美推出兩款新的LGA封裝MOSFET 助力提高移動(dòng)設(shè)備能效及電池使用時(shí)間

單節(jié)及雙節(jié)鋰離子電池充電/放電保護(hù)電路因高性能倒裝芯片MOSFET而受益21ic訊安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用，作為

功率器件
2013-06-05

移動(dòng)設(shè)備電池封裝 MOSFET
增強(qiáng)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的電池反接保護(hù)電路

功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)典型應(yīng)用電路1.電池反接保護(hù)電路電池反接保護(hù)電路如圖9所示。一般防止電池接反損壞電路采用串接二極管的方法，在電池接反時(shí)，PN結(jié)反接無(wú)電壓降，但在正常工作時(shí)有0.6～0.7V的管壓降。采用導(dǎo)通電

模擬
2013-06-03

電池場(chǎng)效應(yīng)管保護(hù)電路 MOSFET
場(chǎng)效應(yīng)管常見(jiàn)問(wèn)題與解答

1 場(chǎng)效應(yīng)管的性能與雙極型三極管比較具有哪些特點(diǎn)?答：場(chǎng)效應(yīng)管是另一種半導(dǎo)體放大器件。在場(chǎng)效應(yīng)管中只是多子參與導(dǎo)電，故稱(chēng)為單極型三極管;而普通三極管參與導(dǎo)電的，既有多數(shù)載流子，又有少數(shù)載流子，故稱(chēng)為雙極型

模擬
2013-06-03

放大電路三極管場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET
基于MC33262的高功率因數(shù)AC/DC變換器研制

以功率因數(shù)控制芯片MC33262 為核心,設(shè)計(jì)了一種寬電壓輸入范圍、固定升壓輸出的150 W 的AC/ DC 變換器. 對(duì)該變換器用有源功率因數(shù)校正(APFC) 技術(shù)、MC33262 芯片的原理和結(jié)構(gòu)做了詳盡的分析和討論. 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明所設(shè)計(jì)的以MC33262 為核心的有源功率因數(shù)校正器能在95～250 V 的寬電壓輸入范圍內(nèi)得到非常穩(wěn)定的400 V 直流電壓輸出,并使得功率因數(shù)達(dá)到0. 99 以上,總諧波畸變降低至6 %.

電源AC/DC
2013-05-30

輸出電壓高功率因數(shù) AC/DC變換器 MOSFET
數(shù)字控制提高了直流-直流轉(zhuǎn)換器的效率

隨著能源價(jià)格的上漲和各項(xiàng)“環(huán)保”計(jì)劃的成功開(kāi)展，私營(yíng)公司和政府監(jiān)管部門(mén)對(duì)電源制造商的要求逐漸提高。歐盟委員會(huì)(歐盟(EU)的執(zhí)行機(jī)構(gòu))和美國(guó)環(huán)境保護(hù)署(EPA)對(duì)

電源
2013-05-21

數(shù)字控制柵極驅(qū)動(dòng) 直流轉(zhuǎn)換器 MOSFET
英飛凌推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7

英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大其高壓產(chǎn)品組合，推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7。全新的C7產(chǎn)品家族針對(duì)所有標(biāo)準(zhǔn)封裝實(shí)現(xiàn)了一流的通態(tài)電阻RDS(on)。另外，得

功率器件
2013-05-20

STM MOST COOLMOS MOSFET
飛兆半導(dǎo)體的四路MOSFET解決方案提高了效率，解決了有源整流橋應(yīng)用中的散熱問(wèn)題

單個(gè)封裝中的四個(gè)60V MOSFET可提高系統(tǒng)效率，替代二極管整流橋，實(shí)現(xiàn)緊湊的設(shè)計(jì)并節(jié)省電路板空間21ic訊高分辨率、緊湊有源整流橋應(yīng)用(如網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī))中的過(guò)熱可能導(dǎo)致圖像質(zhì)

功率器件
2013-05-02

飛兆半導(dǎo)體整流橋 DM MOSFET
搭配電感拓?fù)?，利用小訊?hào)MOSFET降低電源轉(zhuǎn)換功耗

現(xiàn)代的電子裝置設(shè)計(jì)須提供多個(gè)不同的直流(DC)電壓，導(dǎo)致內(nèi)部電路須透過(guò)升壓與降壓方式轉(zhuǎn)換電壓，為裝置中負(fù)責(zé)不同功能單元供電;其中，在高效率DC-DC電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)方面，以電

電源
2013-04-22

電感電源拓?fù)?/a> MOSFET
針對(duì)IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動(dòng)器

引言對(duì)電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細(xì)分市場(chǎng)是一個(gè)復(fù)雜且多樣化的競(jìng)技場(chǎng)。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中，開(kāi)關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式，功率水平相當(dāng)?shù)?<200 W)，并且常常會(huì)把電

功率器件
2013-04-22

可再生能源柵極驅(qū)動(dòng)器 IGBT MOSFET

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MOSFET

一款汽車(chē)燈調(diào)光電路

介紹在SMPS應(yīng)用中選擇IGBT和MOSFET的比較

一種低電壓大電流的線性的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)

用多相DC-DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)高性能ASIC和微處理器

新LGA封裝MOSFET提升智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用的能效

東芝推出用于繼電器驅(qū)動(dòng)器的新型MOSFET \"SSM3K337R\"

東芝為射頻/模擬應(yīng)用推出新的低功耗MOSFET設(shè)備結(jié)構(gòu)

東芝為射頻/模擬應(yīng)用推出新的低功耗MOSFET設(shè)備結(jié)構(gòu)

模擬技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)四十四條

閉環(huán)速度控制

數(shù)字控制提高了直流-直流轉(zhuǎn)換器的效率

安森美推出兩款新的LGA封裝MOSFET 助力提高移動(dòng)設(shè)備能效及電池使用時(shí)間

增強(qiáng)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的電池反接保護(hù)電路

場(chǎng)效應(yīng)管常見(jiàn)問(wèn)題與解答

基于MC33262的高功率因數(shù)AC/DC變換器研制

數(shù)字控制提高了直流-直流轉(zhuǎn)換器的效率

英飛凌推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7

飛兆半導(dǎo)體的四路MOSFET解決方案提高了效率，解決了有源整流橋應(yīng)用中的散熱問(wèn)題

搭配電感拓?fù)?，利用小訊?hào)MOSFET降低電源轉(zhuǎn)換功耗

針對(duì)IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動(dòng)器

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