MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算方法

我們先來看看MOS關(guān)模型： Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。 Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是耗盡區(qū)電容

功率器件
2012-07-06

MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電容電壓
簡析高壓背光逆變器改善液晶電視性能

數(shù)字電視在全球范圍的應(yīng)用，讓消費(fèi)者體驗(yàn)到以往CRT電視所沒有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢的下一代家電設(shè)備。因而消費(fèi)者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價(jià)格更低的電視機(jī)。采用高壓背

電源
2012-07-06

液晶電視逆變器高壓 MOSFET
簡析高壓背光逆變器改善液晶電視性能

數(shù)字電視在全球范圍的應(yīng)用，讓消費(fèi)者體驗(yàn)到以往CRT電視所沒有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢的下一代家電設(shè)備。因而消費(fèi)者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價(jià)格更低的電視機(jī)。采用高壓背

功率器件
2012-07-06

液晶電視逆變器高壓 MOSFET
準(zhǔn)諧振反激的原理介紹及應(yīng)用參數(shù)計(jì)算

如果不用固定的時(shí)鐘來初始化導(dǎo)通時(shí)間,而利用檢測電路來有效地“感測”MOSFET (VDS) 漏源電壓的第一個(gè)最小值或谷值,并僅在這時(shí)啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通時(shí)間,結(jié)果會(huì)是由于寄生電容被充電到最小電壓,導(dǎo)通的電流尖峰將會(huì)

功率器件
2012-06-30

諧振反激 MOSFET 電壓
用于反激變換器中BIMOSFET的相關(guān)性能

1 引言反激變換器一個(gè)典型的應(yīng)用場合是在逆變器中給IGBT的驅(qū)動(dòng)提供輔助電源。此時(shí)反激變換器的開關(guān)管需要有比較高的擊穿電壓和快的開關(guān)速度。為了降低開關(guān)損耗，開通和關(guān)段的能量也要小。BIMOSFET的一個(gè)主要的優(yōu)點(diǎn)就

功率器件
2012-06-27

二極管反激變換器 BSP MOSFET
雙低電壓理想二極管控制器

LTC 4353控制外部N溝道MOSFET來實(shí)現(xiàn)一個(gè)理想的二極管功能。它取代了兩個(gè)高功率肖特基二極管和其相關(guān)的散熱器，節(jié)省功耗和電路板面積。理想二極管的功能，允許低損失電源ORing和供應(yīng)滯留應(yīng)用的。LTC4353調(diào)節(jié)橫跨正向

模擬
2012-06-20

控制器二極管低電壓 MOSFET
恩智浦推出全球首款2mmx2mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET

恩智浦半導(dǎo)體(NXP)近日推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN (分立式扁平無引腳)封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。即將

模擬
2012-06-19

恩智浦封裝 MX MOSFET
為升壓轉(zhuǎn)換器提供關(guān)斷功能的外接元件

圖1是升壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器電路，它有一個(gè)眾所周知的問題：如果將升壓轉(zhuǎn)換器IC1的輸入拉低來關(guān)斷升壓轉(zhuǎn)換器，外接電感L1和正向偏置肖特基二極管D1就可以讓負(fù)載繼續(xù)引出電流。對于電池供電的設(shè)備來說，這是一個(gè)沉重的負(fù)載（

功率器件
2012-06-19

元件升壓轉(zhuǎn)換器電阻器 MOSFET
雙低電壓理想二極管控制器

LTC 4353控制外部N溝道MOSFET來實(shí)現(xiàn)一個(gè)理想的二極管功能。它取代了兩個(gè)高功率肖特基二極管和其相關(guān)的散熱器，節(jié)省功耗和電路板面積。理想二極管的功能，允許低損失電源ORing和供應(yīng)滯留應(yīng)用的。LTC4353調(diào)節(jié)橫跨正向

功率器件
2012-06-18

控制器二極管低電壓 MOSFET
恩智浦推出采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET

21ic訊恩智浦半導(dǎo)體日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN （分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。即將面世的

功率器件
2012-06-17

恩智浦封裝導(dǎo)通電阻 MOSFET
恩智浦推出采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET

21ic訊恩智浦半導(dǎo)體日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN （分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。即將面世的

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2012-06-17

恩智浦封裝導(dǎo)通電阻 MOSFET
D系列MOSFET采用高壓條帶技術(shù)

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷和3A～36A電流，采用多種封裝。今天發(fā)布的D系列MOSFET基

通信技術(shù)
2012-06-15

器件高壓導(dǎo)通電阻 MOSFET
羅姆實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝

21ic訊意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）宣布，GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導(dǎo)體專有的 FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅）技術(shù)為意法半導(dǎo)體制造28納米和20納米芯片。當(dāng)今的

模擬
2012-06-14

封裝羅姆 SIC MOSFET
開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動(dòng)電路介紹及分析

開關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用已越來越普及。MOSFET由于開關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動(dòng)功率低等優(yōu)點(diǎn)已成為開關(guān)電源最常用的功率開關(guān)器件之一。而驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接影響開關(guān)電源工作的可靠性及性能

功率器件
2012-06-14

開關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路電路介紹 MOSFET
D系列MOSFET采用高壓條帶技術(shù)

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷和3A～36A電流，采用多種封裝。今天發(fā)布的D系列MOSFET基

功率器件
2012-06-13

器件高壓導(dǎo)通電阻 MOSFET
羅姆實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝并開始量產(chǎn)

21IC訊日本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗低，可靠性高，在各種應(yīng)

功率器件
2012-06-12

封裝羅姆 SIC MOSFET
巧用示波器的計(jì)算功能分析熱插拔電路

盡管數(shù)字示波器是電路實(shí)驗(yàn)室中最常見的儀器，但有些功能可能并不為人所熟知，數(shù)字示波器的計(jì)算功能就是其中之一。其實(shí)利用數(shù)字示波器的計(jì)算功能可以簡化對熱插拔和負(fù)載切換電路的分析。本篇應(yīng)用筆記將介紹如何利用示

功率器件
2012-06-11

示波器 MICRO 熱插拔電路 MOSFET
LED驅(qū)動(dòng)器基本拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

在考慮使用LED驅(qū)動(dòng)器將AC輸入電壓轉(zhuǎn)換為用于LED負(fù)載的恒定電流源的拓?fù)鋾r(shí)，將LED應(yīng)用分為三種功率水平是有幫助的：(1)低功率應(yīng)用。要求輸入低于20W，例如燈條、R燈和白熾燈的替換品;(2)中等功率應(yīng)用。輸入最高為50W，

模擬
2012-06-07

變壓器拓?fù)?/a> LED驅(qū)動(dòng)器 MOSFET
MOSFET雙芯片功率封裝簡化電源設(shè)計(jì)

目前，電源工程師面臨的一個(gè)主要難題是，隨著功能的日益增多，商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來越少。解決這個(gè)難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進(jìn)步。通過在更小尺寸的封裝內(nèi)采用

電源
2012-06-07

芯片封裝電源設(shè)計(jì) MOSFET
MOSFET雙芯片功率封裝簡化電源設(shè)計(jì)

目前，電源工程師面臨的一個(gè)主要難題是，隨著功能的日益增多，商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來越少。解決這個(gè)難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進(jìn)步。通過在更小尺寸的封裝內(nèi)采用

功率器件
2012-06-07

芯片封裝電源設(shè)計(jì) MOSFET

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雪山飛狐D
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MOSFET

MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算方法

簡析高壓背光逆變器改善液晶電視性能

簡析高壓背光逆變器改善液晶電視性能

準(zhǔn)諧振反激的原理介紹及應(yīng)用參數(shù)計(jì)算

用于反激變換器中BIMOSFET的相關(guān)性能

雙低電壓理想二極管控制器

恩智浦推出全球首款2mmx2mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET

為升壓轉(zhuǎn)換器提供關(guān)斷功能的外接元件

雙低電壓理想二極管控制器

恩智浦推出采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET

恩智浦推出采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET

D系列MOSFET采用高壓條帶技術(shù)

羅姆實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝

開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動(dòng)電路介紹及分析

D系列MOSFET采用高壓條帶技術(shù)

羅姆實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝并開始量產(chǎn)

巧用示波器的計(jì)算功能分析熱插拔電路

LED驅(qū)動(dòng)器基本拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

MOSFET雙芯片功率封裝簡化電源設(shè)計(jì)

MOSFET雙芯片功率封裝簡化電源設(shè)計(jì)

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