MOSFET

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金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

Vishay：開發(fā)中國重點市場

??? 近日，Vishay中國高級銷售總監(jiān)盧志強在接受《中國電子報》記者采訪時表示，因為中國市場相較其他國家增長速度更快，所以競爭非常激烈，并將繼續(xù)帶來許多挑戰(zhàn)。由于4G的興起、電動車細分市場對新能源解決方案的需

模擬
2014-03-10

Vishay 汽車通信 MOSFET
Linear 推出汽車 (H 級) 和高可靠性軍用 (MP 級) 版本 LT4320

21ic訊凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出汽車 (H 級) 和高可靠性軍用 (MP 級) 版本 LT4320，該器件是一款理想二極管橋控制器，適用于 9V 至 72V 系統(tǒng)。

功率器件
2014-03-06

Linear MIDDOT 汽車 MOSFET
Vishay發(fā)布采用ThunderFET技術的通過AEC-Q101認證的最新MOSFET

采用PowerPAK® SO-8L和DPAK封裝的100V N溝道器件具有8.9mΩ的RDS(ON)，占位面積為5mm x 6mm21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布首顆通過AEC-Q1

功率器件
2014-03-04

導通電阻 RF Vishay MOSFET
常用IGBT及MOSFET器件隔離驅(qū)動技術匯總

MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結構，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動功率接近于零。但是柵極和源極之間構成了一個柵極

功率器件
2014-02-25

器件隔離 IGBT MOSFET
用于車載USB供電的NCV8852

一前言在目前的車載娛樂系統(tǒng)中，USB接口已經(jīng)成為系統(tǒng)的標配。隨著大電池容量的便攜設備的流行，做為車載充電接口的USB電源，需要提高更大的電流以滿足設備的需要。目前主流

電源-能源動力
2014-02-17

電感 VI USB供電 MOSFET
飛兆的中壓MOSFET采用空間節(jié)省型封裝可優(yōu)化電能應用

2014年2月13日 –許多終端應用 – 比如IP電話、電機控制電路、有源鉗位開關和負載開關 – 需要以更小的尺寸提供更高的能效，以便滿足制造商的要求。飛兆半導體開發(fā)了FDMC86xxxP系列P溝道PowerTrench® MOSFET，在

消費電子
2014-02-14

器件飛兆封裝 MOSFET
Vishay發(fā)布采用PowerPAIR® 封裝的高性能非對稱雙片TrenchFET® MOSFET

下一代器件的最大RDS(ON)降低57%，提高了轉(zhuǎn)換效率21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET® Gen IV技術

功率器件
2014-02-10

封裝 POWER Vishay MOSFET
Vishay發(fā)布高性能非對稱雙片TrenchFET MOSFET SiZ340DT

采用PowerPAIR封裝，最大RDS(ON)降低57%，提高了轉(zhuǎn)換效率日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，發(fā)布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET® Gen IV技術

功率器件
2014-02-07

導通電阻 TRENCHFET Vishay MOSFET
基于0.18μmH柵P-Well SOI MOSFET器件的設計及仿真研究

絕緣體上硅（Silicon On Insulator,簡稱SOI）以其獨特的材料結構有效克服了體硅材料的不足，使其在能夠成功應用于輻照惡劣環(huán)境中。本文使用Sentaurus TCAD軟件中的SDE（Sentaurus Structure Editor）工具設計一個0.18μmH柵P-Well SOI MOSFET器件結構，并且運用Sentaurus TCAD軟件中的Sentaurus Device工具進行器件特性仿真，使用INSPECT和TECPLOT_SV工具查看仿真結果并得到設計的器件的閾值電壓（Vt

消費電子
2014-02-03

器件仿真研究 BSP MOSFET
熱插拔控制器在直流升壓電路中的設計應用

設計了一種利用熱插拔保護控制芯片，實現(xiàn)直流升壓電路的輸出過流、短路保護。本文分析了直流升壓電路以及熱插拔保護電路的工作原理及實現(xiàn)方式，詳細介紹了電路及參數(shù)設計、選擇過程，以及實際工作開關波形，并給出了設計實例。實驗證明，利用熱插拔保護控制芯片，有效地避免了常規(guī)直流升壓電路在輸出過流短路時的固有缺陷，提高了電源使用的可靠性。

電源
2014-01-22

控制器熱插拔直流升壓電路 MOSFET
Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V

模擬
2014-01-22

導通電阻壓降 Vishay MOSFET
Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET

采用PowerPAK® SO-8封裝的P溝道Gen III MOSFET在10V下的RDS(ON)低至0.0016Ω，可用于移動計算21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低

功率器件
2014-01-22

導通電阻 GEN Vishay MOSFET
政策扶持重點功率半導體產(chǎn)業(yè)進黃金發(fā)展期

據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會的相關人士透露，有關促進集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進行部際協(xié)調(diào)。上證報資訊獲悉，政策扶持的重點將主要集中于集成電路的設計和制造方面，尤其是本土自主核心產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)

模擬
2014-01-20

功率半導體半導體產(chǎn)業(yè) 節(jié)能減排 MOSFET
答疑解惑盤點在開關電源設計中的經(jīng)典問答題

如何為開關電源電路選擇合適的元器件和參數(shù)?很多未使用過開關電源設計的工程師會對它產(chǎn)生一定的畏懼心理，比如擔心開關電源的干擾問題，PCB layout問題，元器件的參數(shù)和類型

電源AC/DC
2014-01-07

單板噪聲開關電源設計 MOSFET
Vishay的Si7655DN -20V P溝道MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎之最佳產(chǎn)品獎

【導讀】賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎之電源器件和模塊類最佳產(chǎn)品

半導體
2013-12-25

創(chuàng)新獎 CHINA Vishay MOSFET
Vishay的Si7655DN -20V P溝道MOSFET榮獲最佳產(chǎn)品獎

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎之電源器件和模塊類最佳產(chǎn)品獎。EDN China創(chuàng)新獎于2005年引入國內(nèi)，以表彰在中國市場上的IC和相關產(chǎn)品在設

消費電子
2013-12-23

封裝 CHINA Vishay MOSFET
瑞薩轉(zhuǎn)單效應，尼克森收復季線

MOSFET廠尼克森(3317)11月營收創(chuàng)下今年次高數(shù)字，市場看好來自瑞薩轉(zhuǎn)單效應發(fā)酵，可望挹注出貨量大幅成長，不過尼克森表示，轉(zhuǎn)單效應并沒有那么強烈，而公司除了力守PC市場MOSFET市占外，長期規(guī)劃也將著眼于非PC市場

半導體
2013-12-22

顯示器低壓 PC市場 MOSFET
瑞薩轉(zhuǎn)單效應，尼克森收復季線

MOSFET廠尼克森(3317)11月營收創(chuàng)下今年次高數(shù)字，市場看好來自瑞薩轉(zhuǎn)單效應發(fā)酵，可望挹注出貨量大幅成長，不過尼克森表示，轉(zhuǎn)單效應并沒有那么強烈，而公司除了力守PC市場MOSFET市占外，長期規(guī)劃也將著眼于非PC市場

半導體
2013-12-20

顯示器低壓 PC市場 MOSFET
瑞薩轉(zhuǎn)單效應，尼克森收復季線

MOSFET廠尼克森(3317)11月營收創(chuàng)下今年次高數(shù)字，市場看好來自瑞薩轉(zhuǎn)單效應發(fā)酵，可望挹注出貨量大幅成長，不過尼克森表示，轉(zhuǎn)單效應并沒有那么強烈，而公司除了力守PC市場MOSFET市占外，長期規(guī)劃也將著眼于非PC市場

模擬
2013-12-18

顯示器低壓 PC市場 MOSFET
Vishay推出通過AEC-Q101認證的非對稱封裝雙芯片MOSFET

非對稱封裝優(yōu)化低邊MOSFET的RDS(on)，在同步DC/DC轉(zhuǎn)換器中可節(jié)省空間21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過AEC-Q101認證的采用非對稱PowerPAK® SO

功率器件
2013-12-12

芯片封裝 Vishay MOSFET

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MOSFET

Vishay：開發(fā)中國重點市場

Linear 推出汽車 (H 級) 和高可靠性軍用 (MP 級) 版本 LT4320

Vishay發(fā)布采用ThunderFET技術的通過AEC-Q101認證的最新MOSFET

常用IGBT及MOSFET器件隔離驅(qū)動技術匯總

用于車載USB供電的NCV8852

飛兆的中壓MOSFET采用空間節(jié)省型封裝可優(yōu)化電能應用

Vishay發(fā)布采用PowerPAIR® 封裝的高性能非對稱雙片TrenchFET® MOSFET

Vishay發(fā)布高性能非對稱雙片TrenchFET MOSFET SiZ340DT

基于0.18μmH柵P-Well SOI MOSFET器件的設計及仿真研究

熱插拔控制器在直流升壓電路中的設計應用

Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET

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政策扶持重點功率半導體產(chǎn)業(yè)進黃金發(fā)展期

答疑解惑盤點在開關電源設計中的經(jīng)典問答題

Vishay的Si7655DN -20V P溝道MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎之最佳產(chǎn)品獎

Vishay的Si7655DN -20V P溝道MOSFET榮獲最佳產(chǎn)品獎

瑞薩轉(zhuǎn)單效應，尼克森收復季線

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Vishay推出通過AEC-Q101認證的非對稱封裝雙芯片MOSFET

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