
【導(dǎo)讀】開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構(gòu)成。 摘要: 開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開關(guān)管
致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(MicrosemiCorporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號:MSCC)推出全新碳化硅(SiliconCarbide,SiC)MOSFET產(chǎn)品系列─1200V解決方案。這系列創(chuàng)新S
新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件與SiC功率模塊相輔相成,顯著提升高壓應(yīng)用的系統(tǒng)效率,并提供最大功效,幫助客戶開發(fā)更輕、更小、更可靠的系統(tǒng)設(shè)計21ic訊 美高森美公司(Micros
Allegro MicroSystems, LLC 宣布推出新型 N 通道功率 MOSFET 驅(qū)動器,能夠通過控制相內(nèi)隔離 MOSFET 以隔離三相負(fù)荷。Allegro ’的 A6861 電動機驅(qū)動器 IC 適用于必須
凌力爾特(Linear Technology Corporation日前發(fā)表一次側(cè)、電流模式 PWM 控制器 LT3753 ,該元件 特別最佳化以用于同步順向轉(zhuǎn)換器并具備主動箝位重設(shè)。 LT3753 可作業(yè)于8.5V至100V的輸入電壓范圍,提供高達(dá)95%的效率,
21ic訊 英飛凌科技股份公司今日推出全新的CoolMOSTMMOSFET無管腳SMD(表面貼裝)封裝:ThinPAK 5x6。移動設(shè)備充電器、超高清電視和LED燈具都必須滿足許多相互矛盾的要求。消費
MOSFET作為功率開關(guān)管,已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動器件,其驅(qū)動表面上看來是非常簡單,但是詳細(xì)分析起來并不簡單。下面我會花一點時間
由于電子產(chǎn)品的風(fēng)靡,能夠用多種電源供電的設(shè)備已經(jīng)屢見不鮮了。例如,工業(yè)手持式儀表或便攜式醫(yī)療診斷設(shè)備大部分時間用電池供電,但一旦插入交流適配器或 USB 端口,就從
器件的RDS(ON)比前一代器件低53%,TSOP-6封裝的占位面積小55%21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業(yè)界首款采用小尺寸、熱增強型SC-70® 封裝的150V N
電路圖設(shè)計注意事項Intel 移動電壓定位 6.5 (IMVP-6.5) 規(guī)范為使用此平臺的 Intel® 處理器提供了電源管理信息。德州儀器 (TI) 提供的集成解決方案完全符合專門用在低功
MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件,工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇。隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進步,系統(tǒng)設(shè)計人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐,才能為其設(shè)計挑
中國證券網(wǎng)訊(記者 王偉麗) 華微電子29日晚間公布的一季報顯示,營業(yè)收入279,117,406.06 元,同比增長9.07%,凈利潤12,491,472.78元,同比增長2.52%。每股收益0.02元,與上年同期持平。2013年度國內(nèi)新型LED 光源、
采用PowerPAK® SC-70封裝,2mm x 2mm占位面積可顯著節(jié)省空間日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用超小尺寸、熱增強PowerPAK® SC-70封裝的新款-30V、1
根據(jù)美國商業(yè)資訊報導(dǎo),東芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)半導(dǎo)體和儲存產(chǎn)品公司今天宣布,該公司推出小型SO6封裝的光電藕合器。新產(chǎn)品TLP3905和TLP3906即日起投入量產(chǎn)。光電藕合器采用不含MOSFET晶片的光控
所有關(guān)于醫(yī)療應(yīng)用的產(chǎn)品在要求高可靠性的同時,仍然需要提供終端用戶想要的新技術(shù)與功能。由于各醫(yī)療設(shè)備公司及其最終應(yīng)用間的競爭愈來愈激烈,功能急劇增加,但是并未考慮到另外一個可能帶來產(chǎn)品失敗的因素。所有這
[導(dǎo)讀] 介紹了一種基于CPLD技術(shù)的MOSFET器件保護電路的設(shè)計與實現(xiàn)。該電路設(shè)計方案具有抗干擾能力強、響應(yīng)速度快和通用性好的優(yōu)點。通過試驗驗證了該方案的正確性和可行性。 關(guān)鍵詞:保護電路CPL
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出60V器件以擴充StrongIRFET MOSFET系列,適合多種工業(yè)應(yīng)用,包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機驅(qū)動器、鋰離
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出60V器件以擴充StrongIRFET MOSFET系列,適合多種工業(yè)應(yīng)用,包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機驅(qū)動器、
由于電子產(chǎn)品的風(fēng)靡,能夠用多種電源供電的設(shè)備已經(jīng)屢見不鮮了。例如,工業(yè)手持式儀表或便攜式醫(yī)療診斷設(shè)備大部分時間用電池供電,但一旦插入交流適配器或USB端口,就從交流
[導(dǎo)讀] 基于最近的趨勢,提高效率成為關(guān)鍵目標(biāo),為了獲得更好的EMI而采用慢開關(guān)器件的權(quán)衡并不值得。超級結(jié)可在平面MOSFET難以勝任的應(yīng)用中提高效率。與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比,超級結(jié)MOSFET可顯著降低導(dǎo)通電阻和寄