MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。

同步降壓 MOSFET 電阻比的正確選擇

進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常，作為設(shè)計(jì)過(guò)程的一個(gè)組成部分，你會(huì)有一套包括了輸入電壓范圍和期望輸出電壓的規(guī)范，并且需要選擇一些

電源
2016-03-21

MOSFET 電源技術(shù)解析電阻降壓
大功率電源MOS工作溫度確定之計(jì)算功率耗散

在電子電路設(shè)計(jì)中，散熱設(shè)計(jì)是非常重要的一項(xiàng)指標(biāo)。但在很多設(shè)計(jì)環(huán)境下，空間的狹小程度限制了散熱功能設(shè)計(jì)與發(fā)揮。在大功率電源MOSFET當(dāng)中這種情況尤其明顯。為了盡量控制

功率器件
2016-03-21

大功率電功率耗散 MOSFET 電源技術(shù)解析
高效高可靠性L(fǎng)ED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)心得技巧分享

近日，LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方面的資深達(dá)人DougBailey總結(jié)了設(shè)計(jì)工作中需要注意的問(wèn)題和親身設(shè)計(jì)心得，為大家分享總結(jié)如下：一、不要使用雙極型功率器件DougBailey指出由于雙極

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2016-03-17

設(shè)計(jì)技巧 LED驅(qū)動(dòng) MOSFET 電源技術(shù)解析
入門(mén)必看的MOSFET小功率驅(qū)動(dòng)電路知識(shí)分享

功率器件MOSFET是目前應(yīng)用頻率最高的電子元件之一，也是很多電子工程師在入門(mén)學(xué)習(xí)時(shí)的重點(diǎn)方向。如果設(shè)計(jì)得當(dāng)，MOSFET驅(qū)動(dòng)電路可以幫助工程師快速、高效、節(jié)能的完成電路系

功率器件
2016-03-16

驅(qū)動(dòng)電路電源設(shè)計(jì) MOSFET 電源技術(shù)解析
功率MOSFET在集成驅(qū)動(dòng)電路中的設(shè)計(jì)應(yīng)用簡(jiǎn)析

功率MOSFET目前在一些大中型開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路中得到了廣泛的應(yīng)用，此前我們?cè)?jīng)為大家總結(jié)了幾種MOSFET在驅(qū)動(dòng)電路中的常見(jiàn)應(yīng)用方式，在今天的文章中，我們將會(huì)就功率MOS管

功率器件
2016-03-16

電源驅(qū)動(dòng)電路 MOSFET 電源技術(shù)解析
Diodes柵極驅(qū)動(dòng)器可在半橋或全橋配置下開(kāi)關(guān)功率MOSFET與IGBT

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開(kāi)關(guān)功率MOSFET與IGBT。目標(biāo)應(yīng)用包

功率器件
2016-03-15

電源 igbt 柵極驅(qū)動(dòng)器電源新品 MOSFET
功率MOSFET在正激式驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用簡(jiǎn)析

功率MOSFET在目前一些大功率電源的產(chǎn)品設(shè)計(jì)中得到了廣泛的應(yīng)用，此前本文曾經(jīng)就幾種常見(jiàn)的MOSFET電路設(shè)計(jì)類(lèi)型進(jìn)行了簡(jiǎn)單總結(jié)和介紹。在今天的文章中，本文將會(huì)就這一功率器

功率器件
2016-03-11

驅(qū)動(dòng) 正激電路 MOSFET 電源技術(shù)解析
干貨!一種簡(jiǎn)易的MOSFET自舉驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)分享

功率開(kāi)關(guān)器件MOSFET在驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用頻率在最近幾年直線(xiàn)上升，在一些中小功率的開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品中，利用MOSFET完成驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)不僅省時(shí)省力，還具有良好的功率轉(zhuǎn)換效果。

功率器件
2016-03-04

設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng)電路 MOSFET 電源技術(shù)解析
同步整流降壓式DC-DC變換器應(yīng)怎樣選擇MOSFET?

功率器件MOSFET在很多電路系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中都得到了廣泛的應(yīng)用，而對(duì)于同步整流降壓式的DC-DC變換器來(lái)說(shuō)，怎樣選擇合適的MOSFET則是非常重要的一環(huán)，需要研發(fā)人員認(rèn)真對(duì)待。本文

電源
2016-03-02

DC-DC 同步整流 MOSFET 電源技術(shù)解析
東芝面向汽車(chē)應(yīng)用推出40V N溝道低導(dǎo)通電阻功率MOSFET

21ic訊東芝公司旗下半導(dǎo)體與存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今日宣布面向直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)大容量電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和半導(dǎo)體繼電器等汽車(chē)應(yīng)用推出40V N溝道功率MOSFET。MOSFET產(chǎn)品陣容的最新產(chǎn)品“TKR74F04PB”出貨即日啟動(dòng)。

汽車(chē)電子
2016-02-23

東芝 n溝道 MOSFET
東芝面向汽車(chē)應(yīng)用推出40V N溝道低導(dǎo)通電阻功率MOSFET

東京—東芝公司旗下半導(dǎo)體與存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今日宣布面向直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)大容量電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和半導(dǎo)體繼電器等汽車(chē)應(yīng)用推出40V N溝道功率MOSFET。M

汽車(chē)電子
2016-02-22

東芝 MOSFET
Diodes 100V MOSFET H橋采用5mm x 4.5mm封裝有效節(jié)省占位面積

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的100V全H橋DMHC10H170SFJ，把雙N通道及P通道 MOSFET集成到微型DFN5045封裝 (5mm x 4.5mm)。這種配置可減少元件數(shù)量以及節(jié)省電

功率器件
2016-02-16

封裝 diodes 電源新品 MOSFET
英飛凌推出PMBus SupIRBuck穩(wěn)壓器系列器件

英飛凌科技股份公司今日推出PMBus SupIRBuck穩(wěn)壓器系列器件。該系列器件是簡(jiǎn)單易用的全集成高效直流-直流穩(wěn)壓器，配備I2C/PMBus接口。SupIRBuck穩(wěn)壓器集成了 PWM控制器、MOSFET和自舉二極管，是一種節(jié)省主板空間的解決方案，可為低輸出電壓和高電流應(yīng)用提供準(zhǔn)確的功率輸出。得益于具備遠(yuǎn)程遙測(cè)功能的可編程數(shù)字接口，客戶(hù)最多可將設(shè)計(jì)和測(cè)試時(shí)間縮短90%，從而大大加快產(chǎn)品投放市場(chǎng)的速度。另外，與傳統(tǒng)的雙芯片解決方案相比，這個(gè)集成度很高的器件系列的占板空間最多可降低50%。

功率器件
2016-02-01

英飛凌 pwm控制器電源新品 MOSFET
MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)總結(jié)

關(guān)于MOSFET很多人都不甚理解，這次小編再帶大家仔細(xì)梳理一下，也許對(duì)于您的知識(shí)系統(tǒng)更加全面。下面是對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料。在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，

模擬
2016-01-27

驅(qū)動(dòng)電路 MOSFET
IR推出堅(jiān)固的車(chē)用雙低側(cè)驅(qū)動(dòng)IC

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出車(chē)用大電流雙低側(cè)驅(qū)動(dòng)IC AUIRB24427S，適合混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē) (HEV) 、電動(dòng)車(chē) (EV) 和大功率工業(yè)轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)電源

汽車(chē)電子
2015-12-24

封裝驅(qū)動(dòng)IC UI MOSFET
如何運(yùn)用數(shù)字I/O來(lái)保護(hù)繼電器

1. 簡(jiǎn)述在開(kāi)關(guān)系統(tǒng)中，短路或者是開(kāi)路的情況下，由于存在著額外的電流或者是電壓，繼電器往往會(huì)過(guò)載。所有的繼電器都有一個(gè)最大的承載電流和熱切換功率，如果超出了這個(gè)范圍

嵌入式硬件
2015-12-24

限流器 I/O 保護(hù)繼電器 MOSFET
為功率因數(shù)校正應(yīng)用選擇合適的MOSFET

Vishay Siliconix設(shè)計(jì)和生產(chǎn)面向工業(yè)、可再生能源、計(jì)算、消費(fèi)及照明市場(chǎng)的高壓MOSFET(HVM)。我們擁有電壓范圍為50 V至1000 V的廣泛器件，其中采用我們最新超結(jié)技術(shù)的器件的

功率器件
2015-12-24

封裝功率因數(shù)校正 BSP MOSFET
教你看懂MOSFET數(shù)據(jù)表

在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模棱兩可(IDA、SOA曲線(xiàn))，

功率器件
2015-12-22

器件電流數(shù)據(jù)表 MOSFET
如何運(yùn)用數(shù)字I/O來(lái)保護(hù)繼電器

1. 簡(jiǎn)述在開(kāi)關(guān)系統(tǒng)中，短路或者是開(kāi)路的情況下，由于存在著額外的電流或者是電壓，繼電器往往會(huì)過(guò)載。所有的繼電器都有一個(gè)最大的承載電流和熱切換功率，如果超出了這個(gè)范

數(shù)字電源
2015-12-16

限流器 I/O 保護(hù)繼電器 MOSFET
Diodes DFN2020封裝P通道MOSFET 降低負(fù)載開(kāi)關(guān)損耗

21ic電源網(wǎng)訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了設(shè)計(jì)小巧的2mm x 2mm DFN2020封裝，分別提供12V和20V的額定值。新產(chǎn)

功率器件
2015-12-16

封裝開(kāi)關(guān)損耗 DIODES MOSFET

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MOSFET

同步降壓 MOSFET 電阻比的正確選擇

大功率電源MOS工作溫度確定之計(jì)算功率耗散

高效高可靠性L(fǎng)ED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)心得技巧分享

入門(mén)必看的MOSFET小功率驅(qū)動(dòng)電路知識(shí)分享

功率MOSFET在集成驅(qū)動(dòng)電路中的設(shè)計(jì)應(yīng)用簡(jiǎn)析

Diodes柵極驅(qū)動(dòng)器可在半橋或全橋配置下開(kāi)關(guān)功率MOSFET與IGBT

功率MOSFET在正激式驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用簡(jiǎn)析

干貨!一種簡(jiǎn)易的MOSFET自舉驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)分享

同步整流降壓式DC-DC變換器應(yīng)怎樣選擇MOSFET?

東芝面向汽車(chē)應(yīng)用推出40V N溝道低導(dǎo)通電阻功率MOSFET

東芝面向汽車(chē)應(yīng)用推出40V N溝道低導(dǎo)通電阻功率MOSFET

Diodes 100V MOSFET H橋采用5mm x 4.5mm封裝有效節(jié)省占位面積

英飛凌推出PMBus SupIRBuck穩(wěn)壓器系列器件

MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)總結(jié)

IR推出堅(jiān)固的車(chē)用雙低側(cè)驅(qū)動(dòng)IC

如何運(yùn)用數(shù)字I/O來(lái)保護(hù)繼電器

為功率因數(shù)校正應(yīng)用選擇合適的MOSFET

教你看懂MOSFET數(shù)據(jù)表

如何運(yùn)用數(shù)字I/O來(lái)保護(hù)繼電器

Diodes DFN2020封裝P通道MOSFET 降低負(fù)載開(kāi)關(guān)損耗

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