MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

功率MOSFET線性區(qū)、完全導(dǎo)通區(qū)的電場和電流分布

MOSFET的漏極導(dǎo)通特性如圖1所示，其工作特性有三個工作區(qū)：截止區(qū)、線性區(qū)和‍完全導(dǎo)通區(qū)。其中，線性區(qū)也稱恒流區(qū)、飽和區(qū)、放大區(qū)；完全導(dǎo)通區(qū)也稱可變電阻區(qū)。

功率器件
2018-04-16

MOSFET 電壓電流分布電源技術(shù)解析
不同輸入電壓，功率MOSFET關(guān)斷dV/dT為什么不同？

中、高功率的電源電路經(jīng)常使用有源功率因素校正PFC電路，提高電路的功率因素，減小諧波。PFC的高壓功率MOSFET的開通和關(guān)斷的狀態(tài)，不但影響系統(tǒng)和效率，而且影響系統(tǒng)的EMI，和EMI相關(guān)的一個最重要的參數(shù)就是MOSFET開通和關(guān)斷dV/dt。

電源
2018-04-12

電路功率 dv/dt MOSFET 電源技術(shù)解析
典型開關(guān)mos電流波形的精細分析

反激開關(guān)MOSFET 源極流出的電流(Is)波形的轉(zhuǎn)折點的分析。

電源
2018-04-12

開關(guān) 波形 MOSFET 電源技術(shù)解析
大聯(lián)大推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET

大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。

功率器件
2018-04-11

英飛凌碳化硅電源新品 MOSFET
如何正確測量MOSFET尖峰電壓：探頭及帶寬設(shè)置

測量開關(guān)電源輸出紋波和功率MOSFET的VDS、VGS電壓的時候，通常要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號尖端和地線接觸被測量位置的兩端，減小地線的環(huán)路，從而減小空間耦合的干擾信號。

電源
2018-04-04

開關(guān)電源 smps MOSFET 電源技術(shù)解析
隔離式電源設(shè)計需要開發(fā)最好的拓撲

自從上世紀(jì) 60 年代開關(guān)模式電源 (SMPS) 問世以來，出現(xiàn)了幾種我認為足以讓設(shè)計人員為之興奮的技術(shù)，即：磁集成（70年代）、軟開關(guān)（70 年代）、MOSFET（70 年代）和數(shù)字控制（70 年代）。除了數(shù)字控制是為了提高電源智能性以外，其它幾項技術(shù)都是為了從更小的尺寸中獲得更多的電源。

電源
2018-04-03

smps 隔離式電源 MOSFET 電源技術(shù)解析
電子元器件持續(xù)缺貨漲價，MOSFET驅(qū)動IC首季漲價

去年引爆的電子零組件缺貨、漲價風(fēng)潮至今不停歇， MOSFET因國際大廠退出，自去年下半年起供給漸趨吃緊，加上受到晶圓代工及EPI硅晶圓產(chǎn)能不足限制，市場供不應(yīng)求壓力持續(xù)上揚，報價也自今年首季起真正開始起漲。進入第二季后，在超威、英特爾與NVIDIA推出新平臺的推波助瀾下，MOSFET供應(yīng)缺口將更趨嚴(yán)重，MOSFET業(yè)者訂單可見度達到今年第三季，產(chǎn)品報價也將順利在第二季調(diào)漲，漲幅約在5～10%。

嵌入式動態(tài)
2018-04-02

半導(dǎo)體電子元器件行業(yè)資訊 MOSFET
Littelfuse在2018年APEC大會上推出超低導(dǎo)通電阻1200V碳化硅MOSFET

全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse, Inc.與從事碳化硅技術(shù)開發(fā)的德州公司Monolith Semiconductor Inc.日前新推出兩款1200V碳化硅(SiC) n通道增強型MOSFET，為其日益擴展的第一代電源半導(dǎo)體器件組合注入新鮮血液。 Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，旨在為工業(yè)和汽車市場開發(fā)電源半導(dǎo)體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在應(yīng)用電力電子會議(APEC 2018)的Littelfuse展位亮相。

功率器件
2018-03-19

碳化硅電源新品 MOSFET
東芝推出新一代600V平面MOSFET系列

東芝電子元件及存儲裝置株式會社近日宣布推出一個新的600V平面MOSFET系列——“π-MOS IX”。批量生產(chǎn)即日啟動。

功率器件
2018-01-25

東芝 ix 電源新品 π-mos MOSFET
EPC推出比等效MOSFET小型化8倍的 40 V氮化鎵功率晶體管

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC2049功率晶體管，應(yīng)用于負載點(POL)轉(zhuǎn)換器、激光雷達(LiDAR)、包絡(luò)跟蹤電源、D類音頻放大器及具低電感的馬達驅(qū)動器。 EPC2049晶體管的額定電壓為40 V、最大導(dǎo)通電阻為5 mΩ及脈沖輸出電流為175 A。

功率器件
2017-12-20

電源新品氮化鎵功率晶體管 epc2049 MOSFET
Vishay新款25V N溝道功率MOSFET有效提升電源效率和功率密度

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的25V N溝道TrenchFET® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，這顆器件在10V的最大導(dǎo)通電阻為業(yè)內(nèi)最低，僅有0.58mΩ。V

嵌入式電路圖
2017-12-18

Vishay 電源電路功率密度電源效率 MOSFET
ST完整全橋系統(tǒng)封裝內(nèi)置MOSFET、柵驅(qū)動器和保護技術(shù)

意法半導(dǎo)體的 PWD13F60系統(tǒng)封裝(SiP)產(chǎn)品在一個13mm x 11mm的封裝內(nèi)集成一個完整的600V/8A單相MOSFET全橋電路，能夠為工業(yè)電機驅(qū)控制器、燈具鎮(zhèn)流器、電源、功率轉(zhuǎn)換器和逆變器廠家節(jié)省物料成本和電路板空間。

功率器件
2017-12-07

電源新品全橋系統(tǒng)封裝 pwd13f60 MOSFET
Vishay新款25V N溝道功率MOSFET有效提升電源效率和功率密度

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新的25V N溝道TrenchFET® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，這顆器件在10V的最大導(dǎo)通電阻為業(yè)內(nèi)最低，僅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的柵極電荷，導(dǎo)通電阻還不到0.6mΩ，使柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積優(yōu)值系數(shù)(FOM)也達到最低，可使各種應(yīng)用提高效率和功率密度。

功率器件
2017-11-27

Vishay 電源新品 MOSFET
缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能國產(chǎn)MOSFET持續(xù)主導(dǎo)消費類市場

MOSFET漲價何時能得到緩解?深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個季度，等國內(nèi)的12寸晶圓量產(chǎn)之后，將8寸的產(chǎn)能騰出來，才有可能緩解。同時要看封測廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放，如果封測廠商難以消化這么大的產(chǎn)能，漲價仍會持續(xù)，只是幅度不會像今年這么大了?！懊髂晡覀冏约旱姆庋b廠將擴產(chǎn)，預(yù)計2018年6月可正式投產(chǎn)，擴產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍，每月達2億只左右。”陳金松說。

顯示光電
2017-11-23

物聯(lián)網(wǎng) 晶圓封測 MOSFET
Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在電力電子應(yīng)用中超高速切換

Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今日宣布推出了首個碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品系列，成為該公司不斷擴充的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽的碳化硅技術(shù)開發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.，向成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)再邁出堅定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導(dǎo)通電阻(80mΩ)，是雙方聯(lián)手推出的首款由內(nèi)部設(shè)計、開發(fā)和生產(chǎn)的碳化硅MOSFET。該裝置針對

功率器件
2017-10-18

littelfuse 碳化硅電源新品 MOSFET
在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處

本文評測了主開關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開關(guān)管提升了開關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計影響較大。

半導(dǎo)體
2017-10-12

意法半導(dǎo)體 650v sic 直流升壓轉(zhuǎn)換器 MOSFET
高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器用650V碳化硅MOSFET的好處

本文評測了主開關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開關(guān)管提升了開關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計影響較大。

嵌入式動態(tài)
2017-10-11

意法半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)前沿 MOSFET
Vishay SQJQ480E汽車級功率MOSFET榮獲“Top-10電源產(chǎn)品”獎

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其Vishay Siliconix SQJQ480E 80 V汽車級TrenchFET®N溝道功率MOSFET被《今日電子》雜志和21IC評為第15屆年度“Top-10電源產(chǎn)品”。這款A(yù)EC-Q101認證器件以高效汽車應(yīng)用榮獲“綠色節(jié)能獎”。這是威世產(chǎn)品連續(xù)第八年獲此殊榮。

功率器件
2017-10-10

Vishay sqjq480e 電源新品 MOSFET
快速 60V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器提供 100% 占空比能力

亞德諾半導(dǎo)體 (Analog Devices, Inc.，簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 LTC7004，該器件用高達 60V 的電源電壓運行。其內(nèi)部充電泵全面增強了外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)，從而使該器件能夠保持接通時間無限長。LTC7004 強大的 1Ω 柵極驅(qū)動器能夠以非常短的轉(zhuǎn)換時間和 35ns 傳播延遲，容易地驅(qū)動?xùn)艠O電容很大的 MOSFET，非常適合高頻開關(guān)和靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用

功率器件
2017-09-08

驅(qū)動器電源新品 ltc7004 MOSFET
高介電質(zhì)材料帶給芯片新體驗

在芯片的大部分歷史中，硅一直是其主要組成部分。這在很大程度上是因為硅擁有1.1電子伏特(eV)的“Goldilocks”帶隙，這使得硅可以在低電壓下運轉(zhuǎn)集成電路，減少電流泄漏。

嵌入式動態(tài)
2017-09-01

硅技術(shù)前沿高介電質(zhì)材料 MOSFET

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MOSFET

功率MOSFET線性區(qū)、完全導(dǎo)通區(qū)的電場和電流分布

不同輸入電壓，功率MOSFET關(guān)斷dV/dT為什么不同？

典型開關(guān)mos電流波形的精細分析

大聯(lián)大推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET

如何正確測量MOSFET尖峰電壓：探頭及帶寬設(shè)置

隔離式電源設(shè)計需要開發(fā)最好的拓撲

電子元器件持續(xù)缺貨漲價，MOSFET驅(qū)動IC首季漲價

Littelfuse在2018年APEC大會上推出超低導(dǎo)通電阻1200V碳化硅MOSFET

東芝推出新一代600V平面MOSFET系列

EPC推出比等效MOSFET小型化8倍的 40 V氮化鎵功率晶體管

Vishay新款25V N溝道功率MOSFET有效提升電源效率和功率密度

ST完整全橋系統(tǒng)封裝內(nèi)置MOSFET、柵驅(qū)動器和保護技術(shù)

Vishay新款25V N溝道功率MOSFET有效提升電源效率和功率密度

缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能國產(chǎn)MOSFET持續(xù)主導(dǎo)消費類市場

Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在電力電子應(yīng)用中超高速切換

在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處

高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器用650V碳化硅MOSFET的好處

Vishay SQJQ480E汽車級功率MOSFET榮獲“Top-10電源產(chǎn)品”獎

快速 60V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器提供 100% 占空比能力

高介電質(zhì)材料帶給芯片新體驗

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