MOSFET
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安森美推出新的多芯片模塊PWM降壓穩(wěn)壓器系列 提供領(lǐng)先市場(chǎng)的電流密度和全集成的MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出3款新的高能效中壓脈寬調(diào)制(PWM)降壓轉(zhuǎn)換器。
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英飛凌將在 PCIM Asia 2018 展示面向整個(gè)電能供應(yīng)鏈的前沿技術(shù)和解決方案
英飛凌科技(中國(guó))有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)英飛凌)將于6月26 - 28日參加在上海世博展覽館舉辦的 PCIM Asia上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)。英飛凌將在2號(hào)館的F 01展臺(tái)，展示涵蓋整個(gè)電能供應(yīng)鏈的領(lǐng)先產(chǎn)品和全套系統(tǒng)及應(yīng)用解決方案。此外，英飛凌的技術(shù)專(zhuān)家還將就產(chǎn)品和應(yīng)用發(fā)表多篇論文，并在同期的國(guó)際研討會(huì)上進(jìn)行交流。
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意法半導(dǎo)體推出離線轉(zhuǎn)換器 提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性
意法半導(dǎo)體的VIPer11離線轉(zhuǎn)換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設(shè)備制造商設(shè)計(jì)更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動(dòng)電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費(fèi)和工業(yè)電源的靈活性。
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LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的5大關(guān)鍵
要普及LED燈具，不但需要大幅度降低成本，更需要解決技術(shù)性的問(wèn)題。如何解決能效和可靠性這些難題，PowerIntegrations市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)副總裁DougBailey分享了高效高可靠LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
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基于單片機(jī)的脈沖快速充電系統(tǒng)設(shè)計(jì)
系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)電源電路為蓄電池的充電提供穩(wěn)定的電壓采用的是反激式的開(kāi)關(guān)電源電路。反激式開(kāi)關(guān)電源的電路比較簡(jiǎn)單，比正激式開(kāi)關(guān)電源少用了一個(gè)大的儲(chǔ)能濾波電感，以及一個(gè)續(xù)流二極管
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MOSFET、IGBT下半年恐現(xiàn)缺貨潮 漲價(jià)不可避免！
茂矽近期已發(fā)函通知客戶漲價(jià)，預(yù)計(jì)7月起依產(chǎn)品別調(diào)漲晶圓代工價(jià)格15～20%，高單價(jià)客戶及高售價(jià)產(chǎn)品優(yōu)先投片，6月底未投產(chǎn)完畢的訂單退回并請(qǐng)客戶重新評(píng)估需求，重新來(lái)單則適用7月起已調(diào)漲后的晶圓代工價(jià)格。
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關(guān)于MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路。在使
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輸出電流的控制和感測(cè)基礎(chǔ)
對(duì)大部分負(fù)載管理電路來(lái)說(shuō)，MOSFET正在迅速取代繼電器成為首選的開(kāi)關(guān)技術(shù)，電力電子系統(tǒng)的維護(hù)成本也隨之降低。本文講述了輸出電流的控制和感測(cè)基礎(chǔ)，并分析了一種智能負(fù)載管理產(chǎn)品。
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MOSFET報(bào)價(jià)調(diào)漲，供需緊俏或致8英寸晶圓漲價(jià)？
近期MOSFET報(bào)價(jià)調(diào)漲，由于中國(guó)大陸家電產(chǎn)品對(duì)變頻化趨勢(shì)持續(xù)推進(jìn)，對(duì)MOSFET等需求持續(xù)上升，另外，無(wú)線充電、物聯(lián)網(wǎng)、車(chē)用等新應(yīng)用，帶動(dòng)相關(guān)元件需求增加，導(dǎo)致全球8英寸晶圓代工廠的產(chǎn)能利用率維持在100%左右的水準(zhǔn)。
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美高森美提供下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢(shì)壘二極管器件
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴(kuò)大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢(shì)壘二極
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在ON狀態(tài)下 Mosfet與三極管有何不同之處？
MOSFET是一種在模擬電路和數(shù)字電路中都應(yīng)用的非常廣泛的一種場(chǎng)效晶體管。三極管也成為雙極型晶體管，他能夠控制電流的的流動(dòng)，將較小的信號(hào)放大成為幅值較高的電信號(hào)。MOSFET和三極管都有ON狀態(tài)，那么在處于ON狀態(tài)時(shí)，這兩者有什么區(qū)別呢?
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關(guān)于MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路。
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關(guān)于反激式LED驅(qū)動(dòng)器的工作原理
作為一種固態(tài)光源，發(fā)光二級(jí)管(LED)具備使用壽命長(zhǎng)、功效出色以及環(huán)保特性，因此得到了廣泛應(yīng)用。目前，LED正在取代現(xiàn)有的照明光源，如白熾燈、熒光燈和HID燈等。若要點(diǎn)亮LED，需要用恒定電流進(jìn)行操作，而且必須具有高功率因數(shù)。除了適用于固態(tài)照明的最新EnergyStar®指令要求功率超過(guò)3 W的照明光源具有大于0.9的功率因數(shù)，鎮(zhèn)流器輸入線路電流諧波還需要滿足IEC61000-3-2 C類(lèi)規(guī)范的要求。
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開(kāi)關(guān)MOS寄生二極管的多種妙用
是由生產(chǎn)工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會(huì)有這個(gè)寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結(jié)構(gòu)，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒(méi)有這個(gè)二極管。模擬電路書(shū)里講得就是小功率MOS管的結(jié)構(gòu)，所以沒(méi)有這個(gè)二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個(gè)晶體管，襯底當(dāng)然接S極，因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面，N—MOS襯底接最低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生二極管。
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開(kāi)關(guān)MOS寄生二極管的多種妙用
是由生產(chǎn)工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會(huì)有這個(gè)寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結(jié)構(gòu)，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒(méi)有這個(gè)二極管。模擬電路書(shū)里講得就是小功率MOS管的結(jié)構(gòu)，所以沒(méi)有這個(gè)二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個(gè)晶體管，襯底當(dāng)然接S極，因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面，N—MOS襯底接最低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生二極管。
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10步法則：實(shí)用的MOSFET選型方法
功率MOSFET有二種類(lèi)型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇，N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多，成本低;P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少，成本高。如果功率MOSFET的S極連接端的電壓不是系統(tǒng)的參考地，N溝道就需要浮地供電電源驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)或自舉驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜;P溝道可以直接驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單。
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功率MOSFET線性區(qū)、完全導(dǎo)通區(qū)的電場(chǎng)和電流分布
MOSFET的漏極導(dǎo)通特性如圖1所示，其工作特性有三個(gè)工作區(qū)：截止區(qū)、線性區(qū)和完全導(dǎo)通區(qū)。其中，線性區(qū)也稱(chēng)恒流區(qū)、飽和區(qū)、放大區(qū)；完全導(dǎo)通區(qū)也稱(chēng)可變電阻區(qū)。
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不同輸入電壓，功率MOSFET關(guān)斷dV/dT為什么不同？
中、高功率的電源電路經(jīng)常使用有源功率因素校正PFC電路，提高電路的功率因素，減小諧波。PFC的高壓功率MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷的狀態(tài)，不但影響系統(tǒng)和效率，而且影響系統(tǒng)的EMI，和EMI相關(guān)的一個(gè)最重要的參數(shù)就是MOSFET開(kāi)通和關(guān)斷dV/dt。
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典型開(kāi)關(guān)mos電流波形的精細(xì)分析
反激開(kāi)關(guān)MOSFET 源極流出的電流(Is)波形的轉(zhuǎn)折點(diǎn)的分析。
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大聯(lián)大推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET
大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開(kāi)發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
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