安森美半導體應用于汽車自動空調的電源、電機驅動及分立元件等方案

在當今的汽車設計中，空調已是標準的舒適性配置。從功能上講，當今的汽車空調實際上是將加熱、制冷及通風等功能一體化，成為汽車加熱、通風空調(HVAC)系統(tǒng)(本文將簡稱為&ld

NexFETTM：新一代功率MOSFET

對于理想開關的需求 功率 MOSFET 可作為高頻率脈沖寬度調變 (PWM) 應用中的電氣開關，例如穩(wěn)壓器及/或控制電源應用之中負載電流的開關。作為負載開關使用時，由于切換時

電源設計小貼士31：同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

在這篇《電源設計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常

利用PowerTrench MOSFET應對更高功率密度的新挑戰(zhàn)

引言隨著社會經濟從紙張型向數(shù)字信息管理型方向發(fā)展，用于數(shù)據處理、存儲和網絡的數(shù)據中心在個人業(yè)務、學術和政府體系等眾多領域發(fā)揮著重要的作用。不過，與此同時，數(shù)據中

電源設計小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升

在本《電源設計小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進行研究。在《電源設計小貼士28》中，我們討論了如何設計溫升問題的電路類似方法。我們把熱

MOSFET陷缺貨潮，大中或借漲價提升毛利率

法人預期，MOSFET市場在缺貨效應加持下，大中可望借由產品漲價提升毛利率，第三季獲利相較上季有機會明顯提升。

電源設計小貼士28：估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升——第1部分

在本電源設計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的

IR發(fā)布AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET

導讀：全球功率半導體領先供應商國際整流器公司（International Rectifier,簡稱IR）日前發(fā)布其近日新增產品--AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET.總所周知，IR不僅是全球功率

討論在PFC中應用的新型超級結MOSFET器件的特點

超級結（Super-Junction）MOSFET器件基于電荷平衡技術，在減少導通電阻和寄生電容兩方面提供了出色的性能，這通常需要折中權衡。有了較小的寄生電容，超級結MOSFET具有極快

隔離驅動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧

功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效應，過載，短路等條件所造成的損害。本在線研討會介

旺季來臨、新興市場爆發(fā)，8英寸晶圓產能滿載到年底

隨著個人電腦及智能手機市場進入旺季，加上先進駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)及自駕車、物聯(lián)網及工業(yè)4.0等新藍海市場進入成長爆發(fā)期，帶動面板驅動IC、微控制器(MCU)、電源管理IC(PMIC)、金氧半場效電晶體(MOSFET)等強勁需求，也讓臺積電、聯(lián)電、世界先進的8英寸晶圓代工產能滿載到年底，且訂單能見度更已看到明年上半年。

電源設計小貼士43：分立器件——一款可替代集成MOSFET驅動器的卓越解決方案

在電源設計小貼士 #42 中，我們討論了 MOSFET 柵極驅動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶體管便可以實現(xiàn) 2A 范圍的驅動電流。在本設計小貼士中，我們

用電流檢測和MOSFET提升輸出電流

以前有篇設計實例描述了一種可編程電流源，使用的是美國國家半導體公司的LM317可調三端穩(wěn)壓器（參考文獻1）。雖然該電路可以編程設定輸出電流，但負載電流要流經BCD（二-十

電源設計小貼士 42：可替代集成MOSFET的分立器件

在電源設計中，工程師通常會面臨控制 IC 驅動電流不足的問題，或者面臨由于柵極驅動損耗導致控制 IC 功耗過大的問題。為緩解這一問題，工程師通常會采用外部驅動器。半導體

美高森美發(fā)布創(chuàng)新SiC MOSFET系列

新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件與SiC功率模塊相輔相成，顯著提升高壓應用的系統(tǒng)效率，并提供最大功效，幫助客戶開發(fā)更輕、更小、更可靠的系統(tǒng)設計致力于提供功率、安全、可靠

性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點

Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊

漲價缺貨的野火擴散至CMOS傳感器

據臺灣媒體報道，漲價缺貨的野火如今已擴散到CMOS圖像感測元件上，今年電子關鍵零組件及半導體材料接二連三調漲售價，有錢也拿不到貨，前車之鑒，讓代理商及客戶端一聽到缺貨就害怕，而這一波CMOS供貨吃緊，就是在這樣的氛圍下醞釀成形，且有跡可尋，早在今年第2季，中國大陸高端鏡頭馬達就已傳出供貨吃緊情況。

英飛凌積極布局SiC應用市場

因應節(jié)能減碳風潮，碳化硅(SiC)因具備更高的開關速度、更低的切換損失等特性，可實現(xiàn)小體積、高功率目標，因而躍居電源設計新星;其應用市場也跟著加速起飛，未來幾年將擴展進入更多應用領域，而電源芯片商也加快布局腳步，像是英飛凌(Infineon)便持續(xù)擴增旗下CoolSiC MOSFET產品線，瞄準太陽能發(fā)電、電動車充電系統(tǒng)和電源供應三大領域。 英飛凌工業(yè)電源控制事業(yè)處大中華區(qū)應用與系統(tǒng)總監(jiān)馬國偉指出，相較于Si功率半導體，SiC裝置更為節(jié)能;且由于被動元件的體積縮小，因此提供更高的系統(tǒng)密度。除了電動車之外，

微星和華碩主板散熱性能大比拼，MOSFET溫度相差12度

使用同樣是95W處理器的情況下，微星B360M-MORTAR的MOSFET溫度為62.62度，ROG STRIX B360-G GAMING的MOSFET溫度為74.89度，相差整整12度——這個相差的溫度就有點夸張了。

包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型