貿(mào)澤開售TI LMG3410R070 GaN功率級(jí)產(chǎn)品 支持新型電動(dòng)機(jī)的高密度需求

貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Texas Instruments (TI)的LMG3410R070 600 V 70 mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)產(chǎn)品。

什么是MOSFET

“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)

MOSFET熱模擬工具現(xiàn)提供免費(fèi)下載！

一種能對(duì)Vishay Siliconix MOSFET的熱性能進(jìn)行模擬，并號(hào)稱是第一款利用有限元分析以提高精確度的免費(fèi)在線工具目前正在網(wǎng)上流行。 Vishay提供的ThermaSim讓設(shè)計(jì)者可以

新能源汽車應(yīng)用推動(dòng)，功率半導(dǎo)體市場不斷壯大！

“功率半導(dǎo)體在節(jié)約能源方面起著重要的作用，然而之前令人無奈的是市場卻很小，但是，2017年世界市場規(guī)模超過了2兆日元(約1,200億人民幣)，特別是EV、混合動(dòng)力汽車、燃料電池車等方面發(fā)展迅猛。尤其是SiC(碳化硅)被高度評(píng)價(jià)具有優(yōu)越的材料特性。”

MOSFET缺貨漲價(jià)泡湯？晶圓代工廠透露：12月接單有壓力

據(jù)報(bào)道，金氧半場效電晶體(MOSFET)市場出現(xiàn)雜音，有晶圓代工廠透露，客戶需求轉(zhuǎn)趨觀望，12月訂單調(diào)整幅度比往年大，接單感受到壓力。

意法半導(dǎo)體高效超結(jié)MOSFET瞄準(zhǔn)節(jié)能型功率轉(zhuǎn)換拓?fù)?/a>

包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型

1. 引言 散熱器在計(jì)算時(shí)會(huì)出現(xiàn)誤差，一般說來主要原因是很難精確地預(yù)先知道功率損耗，每只器件的參數(shù)參差不齊，并不是一樣的，而且在芯片上各處的溫度也是不同的。結(jié)果是

智能功率IGBT和MOSFET讓汽車更加舒適環(huán)保

汽油機(jī)缸內(nèi)直噴是當(dāng)前轎車汽油噴射中的前沿技術(shù)，多點(diǎn)順序汽油噴射將各個(gè)點(diǎn)火線圈分別安裝在各缸的進(jìn)氣歧管中，使各缸混合氣分配較均勻，因此能很好地適應(yīng)減少排放、降低油

MOSFET的諧極驅(qū)動(dòng)

1.引言 在過去的十幾年中，大功率場效應(yīng)管（MOSFET）引發(fā)了電源工業(yè)的革命，而且大大地促進(jìn)了電子工業(yè)其他領(lǐng)域的發(fā)展。由于MOSFET具有更快的開關(guān)速度，電源開關(guān)頻率可以做

利用智能MOSFET驅(qū)動(dòng)器提升數(shù)字控制電源性能

UCD9110或UCD9501等新上市的數(shù)字電源控制器需要具備新型的智能型集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的支持。電源設(shè)計(jì)人員仍然對(duì)數(shù)字電源控制技術(shù)心存疑慮。他們經(jīng)常將PC的藍(lán)屏現(xiàn)象歸咎于軟件

用IGBT代替MOSFET的可行性分析

一、 引言 電力電子設(shè)備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數(shù)和低成本的方向發(fā)展，功率器件則要求高速、高可靠、低損耗和低成本。目前所用功率器件主要是功率MOSFET和IG

單芯片大電流同步降壓方案助力簡化電源設(shè)計(jì)

與傳統(tǒng)的降壓同步方案不一樣，目前已經(jīng)有越來越多的功率半導(dǎo)體廠商推出了單芯片的同步降壓解決方案，集成了上邊和下邊MOSFET，外部只需要一個(gè)電感及相應(yīng)的控制線路，極大的

大中：MOSFET缺貨會(huì)持續(xù)到明年

薛添福表示，產(chǎn)能滿足度與市場供給缺口達(dá)3成，且新投資產(chǎn)能還是很有限，新應(yīng)用占去的產(chǎn)能，對(duì)于其他產(chǎn)品產(chǎn)生排擠效應(yīng);另外，工業(yè)機(jī)器人、人工智能和數(shù)據(jù)中心也占掉一些產(chǎn)能，至少到明年都呈現(xiàn)不足。不過，薛添福也看好自家未來產(chǎn)能會(huì)比今年多。

臺(tái)積電將新增1座8英寸新廠，對(duì)世界先進(jìn)影響不大！

由于臺(tái)積電目前將一些8英寸的產(chǎn)能外包給世界先進(jìn)，此次臺(tái)積電8英寸新廠的消息一出，外界對(duì)世界先進(jìn)的長遠(yuǎn)發(fā)展產(chǎn)生了疑慮。但美系外資從三個(gè)方面指出了仍然看好世界先進(jìn)的原因。

功率MOSFET基礎(chǔ)知識(shí)

什么是功率MOSFET？ 我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向；我們不能對(duì)其

功率MOSFET及其發(fā)展淺說

近年來作了多次關(guān)于功率半導(dǎo)體器件發(fā)展趨勢的報(bào)告，許多朋友都希望我講得更詳細(xì)些，或更能符合應(yīng)用工作者的口味，因而撰寫一篇現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件淺說的想法由來已久。只是

功率MOSFET原理及其應(yīng)用介紹

當(dāng)前的高壓功率MOSFET都屬于N通道增強(qiáng)型雙擴(kuò)散金屬-氧化物-硅場效應(yīng)晶體管。它的功能和NPN雙極結(jié)型晶體管是一樣的，只不過它是由電壓控制，而后者是由電流控制。由于它的高

常用MOSFET技術(shù)參數(shù)

PART NO.VDS(V)ID250C(A)1000CRDS(ON)(ohms)CISS(PF)IDM(A)PD(W)PACKAGEIRF120100850.36003240TO-3IRF12160850.36003240TO-3IRF122100740.46002840TO-3IRF12360740.4600284

MOSFET醞釀下一波漲價(jià) DRAM跌幅卻持續(xù)加大

MOSFET的缺貨從2016年下半年就已經(jīng)開始，一直持續(xù)到現(xiàn)在，正醞釀下一波價(jià)格調(diào)漲。與此形成鮮明對(duì)比的是，前一段時(shí)間不斷漲價(jià)的DRAM開始走下坡路了!據(jù)集邦咨詢的最新報(bào)告，第四季DRAM合約價(jià)二次下修，2019年第一季跌幅持續(xù)擴(kuò)大。

MOSFET產(chǎn)能繼續(xù)大缺，正醞釀下一波價(jià)格調(diào)漲！

到了2018年，MOSFET產(chǎn)能繼續(xù)大缺，下半年出現(xiàn)缺貨潮，ODM/OEM廠及系統(tǒng)廠客戶搶產(chǎn)能，臺(tái)廠大中、富鼎、尼克森、杰力等也第3季訂單全滿，接單能見度直至年底，正醞釀下一波價(jià)格調(diào)漲。