MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

英飛凌在線研討會(huì)：超低壓MOSFET你不可不知的那些事兒

【英飛凌在線研討會(huì)】將于4月22日震撼來襲 ? 作為電子工程師 MOSFET絕對是一門必修課 ? 英飛凌近日推出超低壓MOSFET (20-45V) 系列針對服務(wù)器電源、主板電源、車充/充電寶、充電器、無線充電、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用如此廣闊應(yīng)用之下這款產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)也不容小覷喜

21ic電子網(wǎng)
2020-04-24

英飛凌研討會(huì) 低壓 MOSFET
請舉手回答，穩(wěn)壓器是怎么工作的？

穩(wěn)壓器會(huì)產(chǎn)生具有恒定預(yù)設(shè)幅度的固定輸出電壓，無論其輸入電壓或負(fù)載條件是否變化。穩(wěn)壓器分為兩類：線性和開關(guān)式。線性穩(wěn)壓器采用受高增益差分放大器控制的有源(BJT或MOSFET)通流器件(串聯(lián)或并聯(lián))。它將輸出電壓與精密基準(zhǔn)電壓源相比較，并對通流器件進(jìn)行調(diào)

21ic電子網(wǎng)
2020-04-24

穩(wěn)壓器輸出電壓開關(guān)穩(wěn)壓器 MOSFET
PI公司宣布旗下適用于SiC MOSFET的SCALE-iDriver現(xiàn)已通過AEC-Q100汽車級認(rèn)證

美國加利福尼亞州圣何塞，2020年3月17日 – 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號：POWI）今日宣布，其適合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率單通道門極驅(qū)動(dòng)器SIC118xKQ SCALE-iDriver?現(xiàn)已通過AEC-Q100汽車級

21ic電子網(wǎng)
2020-04-24

汽車 SIC DRIVER MOSFET
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)

采用易于使用的封裝，適用于可穿戴設(shè)備和大批量應(yīng)用

Nexperia
2020-04-23

可穿戴設(shè)備低導(dǎo)通電阻 MOSFET
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)發(fā)布第十一階段可靠性測試報(bào)告 - 失效性測試顯示氮化鎵器件的穩(wěn)定性比硅功率MOSFET器件更具優(yōu)勢

繼第一至第十階段可靠性測試報(bào)告后，EPC公司的第十一階段可靠性測試報(bào)告進(jìn)一步豐富知識庫。此報(bào)告對受測器件進(jìn)行超過1230億元件-小時(shí)應(yīng)力測試，并且展示氮化鎵器件的穩(wěn)定性是硅功率器件所不能實(shí)現(xiàn)的。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司
2020-04-15

epc 氮化鎵 MOSFET
明緯電源“1+1”并機(jī)冗余設(shè)計(jì)

全彩LED小間距顯示屏能在更小的屏體上，顯示更真實(shí)的效果，應(yīng)用范圍越來越廣泛，特別在一些特殊應(yīng)用場合，例如劇場劇院、大型演出、國際賽事現(xiàn)場直播與重要視頻會(huì)議等。顯示屏的高可靠性、低故障、免維護(hù)的特性也是受到人們青睞的主因之一。傳統(tǒng)冗余電源接法是由2個(gè)或多個(gè)電源于正端分別串接二極管的方式并聯(lián)輸出至電源總線上?？梢宰?個(gè)電源單獨(dú)工作，也可以讓多個(gè)電源同時(shí)工作。當(dāng)其中1個(gè)電源出現(xiàn)故障時(shí)，由于二極管的單向?qū)ㄌ匦?，不?huì)影響電源總線的輸出。

顯示光電
2020-04-01

二極管全彩led小間距顯示屏 MOSFET
東芝推出采用其最新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET，助力提高電源效率

–進(jìn)一步擴(kuò)展U-MOS X-H功率MOSFET系列產(chǎn)品線–

TOSHIBA東芝半導(dǎo)體
2020-03-30

電源 n溝道 MOSFET
IGBT工作原理解析

什么是IGBT？它的工作原理是什么？IGBT是元器件家族的成員之一，有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。那么，IGBT是如何完成開關(guān)過程的?

電源電路
2020-03-29

電子元器件 igbt MOSFET
SiC MOSFET在汽車和電源中的應(yīng)用

科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展推動(dòng)者電子元器件的不斷革新，傳統(tǒng)硅基MOSFET技術(shù)日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導(dǎo)體的電、熱和機(jī)械特性更好，能夠提高M(jìn)OSFET的性能，是一項(xiàng)關(guān)注度很高的替代技術(shù)。商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路設(shè)計(jì)。

電源電路
2020-03-24

碳化硅 sic MOSFET
安森美推出寬禁帶器件：900V和1200V SiC MOSFET

新的SiC MOSFET器件實(shí)現(xiàn)更好的性能、更高的能效和能在嚴(yán)苛條件下工作

安森美(onsemi)
2020-03-11

電源 sic MOSFET
東芝面向中大電流IGBT/MOSFET，推出內(nèi)置保護(hù)功能的光耦

中國上海，2020年3月10日——東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和MOSFET的預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏(PV)的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。

TOSHIBA東芝半導(dǎo)體
2020-03-10

igbt 光耦 MOSFET
英飛凌推出600 V CoolMOSTM S7

對于MOSFET低頻率開關(guān)應(yīng)用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產(chǎn)品可帶來領(lǐng)先的功率密度和能效。

通信技術(shù)
2020-03-06

英飛凌 MOSFET
CISSOID三相SiC MOSFET智能功率模塊問市

這個(gè)全新的可擴(kuò)展平臺同時(shí)優(yōu)化了功率開關(guān)的電氣、機(jī)械和散熱設(shè)計(jì)及其臨界控制，對于電動(dòng)汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實(shí)現(xiàn)更高效、更簡潔電機(jī)驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)機(jī)制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時(shí)間。

通信技術(shù)
2020-03-05

sic cissoid MOSFET
CISSOID推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅MOSFET智能模塊

比利時(shí)·蒙-圣吉貝爾，2020年3月5日 – 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID今日宣布，將繼續(xù)致力于應(yīng)對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM)平臺。

CISSOID
2020-03-05

碳化硅智能功率模塊 MOSFET
性價(jià)比一流：英飛凌推出面向低頻率應(yīng)用的600 V CoolMOS? S7超結(jié)MOSFET

【2020年3月3日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司成功開發(fā)出滿足最高效率和質(zhì)量要求的解決方案。對于MOSFET低頻率開關(guān)應(yīng)用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產(chǎn)品可帶來領(lǐng)先的功率密度和能效。

英飛凌
2020-03-03

coolmos rds MOSFET
英飛凌650 V CoolSiC? MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來最佳可靠性和性能水平

【2020年2月25日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司進(jìn)一步擴(kuò)展其碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合，推出650V器件。

英飛凌
2020-02-26

碳化硅硅基 MOSFET
英飛凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOS?源極底置25 V功率MOSFET

【2020年2月18日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司通過專注于解決當(dāng)前電源管理設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)，來實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)創(chuàng)新和組件水平的改進(jìn)。

英飛凌
2020-02-24

optimos 英飛凌 MOSFET
儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械墓β拭芏群托识O(shè)計(jì)。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務(wù)網(wǎng)站上供應(yīng)這款MOSFET器件。

儒卓力
2020-02-22

PCB rds MOSFET
安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57 m?產(chǎn)品，籍此擴(kuò)展市場領(lǐng)先的低RDS(on) MOSFET性能

同時(shí)優(yōu)化了安全工作區(qū)、漏極電流和柵極電荷

Nexperia
2020-02-21

rds lfpak56 MOSFET
Vishay高效80 V MOSFET，優(yōu)值系數(shù)達(dá)到最佳

日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE股市代號：VSH）宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8單體封裝的---SiR680ADP，它是80 V TrenchFET® 第四代n溝道功率MOSFET。

消費(fèi)電子
2020-02-15

Vishay 電源資訊 MOSFET

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MOSFET

英飛凌在線研討會(huì)：超低壓MOSFET你不可不知的那些事兒

請舉手回答，穩(wěn)壓器是怎么工作的？

PI公司宣布旗下適用于SiC MOSFET的SCALE-iDriver現(xiàn)已通過AEC-Q100汽車級認(rèn)證

Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)發(fā)布第十一階段可靠性測試報(bào)告 - 失效性測試顯示氮化鎵器件的穩(wěn)定性比硅功率MOSFET器件更具優(yōu)勢

明緯電源“1+1”并機(jī)冗余設(shè)計(jì)

東芝推出采用其最新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET，助力提高電源效率

IGBT工作原理解析

SiC MOSFET在汽車和電源中的應(yīng)用

安森美推出寬禁帶器件：900V和1200V SiC MOSFET

東芝面向中大電流IGBT/MOSFET，推出內(nèi)置保護(hù)功能的光耦

英飛凌推出600 V CoolMOSTM S7

CISSOID三相SiC MOSFET智能功率模塊問市

CISSOID推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅MOSFET智能模塊

性價(jià)比一流：英飛凌推出面向低頻率應(yīng)用的600 V CoolMOS? S7超結(jié)MOSFET

英飛凌650 V CoolSiC? MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來最佳可靠性和性能水平

英飛凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOS?源極底置25 V功率MOSFET

儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57 m?產(chǎn)品，籍此擴(kuò)展市場領(lǐng)先的低RDS(on) MOSFET性能

Vishay高效80 V MOSFET，優(yōu)值系數(shù)達(dá)到最佳

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