MOSFET
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東芝面向車載應(yīng)用推出采用緊湊型封裝的100V N溝道功率MOSFET
東芝今日宣布，推出兩款面向車載48V電氣系統(tǒng)應(yīng)用的新型100V N溝道功率MOSFET。
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除了業(yè)界最小RDSon之外，與硅器件相同的驅(qū)動(dòng)特性才是United SiC FET的殺手锏
采用Si基MOSFET和SiC基的JFET，采用共源共柵的方式將其燒結(jié)在一起，是United SiC的最大設(shè)計(jì)特色。這種結(jié)構(gòu)確保其產(chǎn)品可以保持與Si類功率器件保持一致的驅(qū)動(dòng)電壓，從而可以幫助可以直接在原有的Si基礎(chǔ)的電路中進(jìn)行直接的升級(jí)和替換。而此次最新推出的UF3SC系列SiC器件，更是以小于10mΩ的業(yè)界最低Rds(on)將SiC器件的性能提升到了新的高度，面對(duì)電動(dòng)汽車和5G等全新應(yīng)用需求，United SiC可以給客戶提供集成度更高、更加高效、更為穩(wěn)定可靠的解決方案。
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Vishay新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET
為節(jié)省PCB空間，減少元件數(shù)量并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，該器件采用優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)，兩個(gè)單片集成TrenchFET® 第四代n溝道MOSFET采用共漏極配置。SiSF20DN源極觸點(diǎn)并排排列，加大連接提高PCB接觸面積，與傳統(tǒng)雙封裝型器件相比進(jìn)一步減小電阻率。這種設(shè)計(jì)使MOSFET適合用于24 V系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用雙向開(kāi)關(guān)
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Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封裝的新款同步降壓穩(wěn)壓器具有高效率、高功率密度和優(yōu)異的熱設(shè)計(jì)等優(yōu)點(diǎn)
通用器件輸入電壓范圍寬達(dá)4.5V至60V，內(nèi)部補(bǔ)償功能減少外部元器件
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Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET，提高功率密度和效率
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。
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Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封裝的新款同步降壓穩(wěn)壓器具有高效率、高功率密度和優(yōu)異的熱設(shè)計(jì)等優(yōu)點(diǎn)
通用器件輸入電壓范圍寬達(dá)4.5V至60V，內(nèi)部補(bǔ)償功能減少外部元器件。
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恒流源電路基礎(chǔ)介紹
恒流源由信號(hào)源和電壓控制電流源(VCCS)兩部分組成。正弦信號(hào)源采用直接數(shù)字頻率合成(DDS)技術(shù)，即以一定頻率連續(xù)從EPROM中讀取正弦采樣數(shù)據(jù)，經(jīng)D/A轉(zhuǎn)換并濾波后產(chǎn)生EIT所需的正弦信號(hào)。本系統(tǒng)采用DDS集成芯片AD9830，其內(nèi)部有兩個(gè)12位相位寄存器和兩個(gè)32位頻率寄存器。在單片機(jī)的控制下對(duì)相應(yīng)的寄存器置數(shù)就可以方便得到2MHz以下的任意頻率和相位的輸出，其中頻率精度為1/ 2 32，相位分辨率為2π/2 12，輸出幅度也可以在一定的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，因此能滿足系統(tǒng)多頻激勵(lì)(10kHz～1MHz)的要求。
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SiC MOSFET在汽車和電源應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)顯著
摘要：傳統(tǒng)硅基MOSFET技術(shù)日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導(dǎo)體的電、熱和機(jī)械特性更好，能夠提高M(jìn)OSFET的性能，是一項(xiàng)關(guān)注度很高的替代技術(shù)。
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LED燈具驅(qū)動(dòng)電源技術(shù)
繁華的城市離不開(kāi)LED燈的裝飾，相信大家都見(jiàn)過(guò)LED，它的身影已經(jīng)出現(xiàn)在了我們的生活的各個(gè)地方，也照亮著我們的生活。要普及LED燈具，不但需要大幅度降低成本，更需要解決技術(shù)性的問(wèn)題。
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LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，LED技術(shù)也在不斷發(fā)展，為我們的生活帶來(lái)各種便利，為我們提供各種各樣生活信息，造福著我們?nèi)祟?。?duì)于新手來(lái)講LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)其實(shí)并不是一件容易的事兒，針對(duì)這方面問(wèn)題小編特別總結(jié)了設(shè)計(jì)達(dá)人的一些在工作中需要注意的問(wèn)題和親身的設(shè)計(jì)心得進(jìn)行分享。
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新的功率MOSFET-SQJQ402E
在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的今天，離不開(kāi)我們科研人員的辛勤付出，制造出如此多的電子產(chǎn)品，然而大家只關(guān)注這些產(chǎn)品的使用，只有研究人員會(huì)關(guān)注內(nèi)部結(jié)構(gòu)，這其中就要數(shù)功率器件了。日前，Vishay Intertechnology，Inc.(NYSE股市代號(hào)：VSH)宣布，發(fā)布新的8mm x 8mm x 1.8mm Power PAK8x8L封裝40VTrenchFET 功率MOSFET-SQJQ402E，目的是為汽車應(yīng)用提供可替代常用D2PAK和DPAK封裝，實(shí)現(xiàn)大電流，并能節(jié)省空間和功耗的方案。
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國(guó)產(chǎn)芯片真金質(zhì)!基本半導(dǎo)體挑戰(zhàn)極限高溫測(cè)試“火”力全開(kāi)
挑戰(zhàn)驕陽(yáng)火焰山，何須芭蕉借又還。 國(guó)產(chǎn)芯片真金質(zhì)，不懼火煉過(guò)樓蘭。
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針對(duì)高耐用性和可靠性電源需求，意法半導(dǎo)體推出市場(chǎng)上擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉(zhuǎn)換器
中國(guó)，2019年7月29日——意法半導(dǎo)體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉(zhuǎn)換器，集成一個(gè)1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。
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意法半導(dǎo)體推出600V三相智能關(guān)斷柵極驅(qū)動(dòng)器，提高工業(yè)應(yīng)用性能和安全性
中國(guó)，2019年7月17日——意法半導(dǎo)體的STDRIVE601三相柵極驅(qū)動(dòng)器用于驅(qū)動(dòng)600V N溝道功率MOSFET和IGBT管，穩(wěn)健性居目前業(yè)內(nèi)最先進(jìn)水平，可耐受低至-100V的負(fù)尖峰電壓，邏輯輸入響應(yīng)速度在85ns以內(nèi)，處于同級(jí)產(chǎn)品一流水平。
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儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飛凌OptiMOS? 功率MOSFET
?英飛凌OptiMOS? 3和5同類最佳(BiC)功率MOSFET采用節(jié)省空間的SuperSO8封裝，與先前型號(hào)相比，具有更高的功率密度和穩(wěn)健性，從而降低系統(tǒng)成本和提升整體性能?？蛻艨梢栽L問(wèn)儒卓力電子商務(wù)平臺(tái)www.rutronik24.com.cn了解有關(guān)OptiMOS? BiC功率MOSFET產(chǎn)品信息。
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儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飛凌OptiMOS?功率MOSFET
英飛凌OptiMOS?3和5同類最佳(BiC)功率MOSFET采用節(jié)省空間的SuperSO8封裝，與先前型號(hào)相比，具有更高的功率密度和穩(wěn)健性，從而降低系統(tǒng)成本和提升整體性能?？蛻艨梢栽L問(wèn)儒卓力電子商務(wù)平臺(tái)www.rutronik24.com.cn了解有關(guān)OptiMOS? BiC功率MOSFET產(chǎn)品信息。
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ROHM開(kāi)發(fā)出節(jié)能優(yōu)勢(shì)顯著的升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器“BD83070GWL”
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)，面向移動(dòng)設(shè)備、可穿戴式設(shè)備及IoT設(shè)備，開(kāi)發(fā)出一款內(nèi)置MOSFET的升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器*1)“BD83070GWL”，該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了超高效率和超低消耗電流。
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耗盡型模擬開(kāi)關(guān)：無(wú)電源也能高性能連接
耗盡型MOSFET開(kāi)關(guān)，一度不那么受歡迎，且常被視為典型的增強(qiáng)型FET的同屬，卻在最近幾年中越來(lái)越受歡迎。安森美半導(dǎo)體投入該技術(shù)，開(kāi)發(fā)出越來(lái)越多的耗盡型模擬開(kāi)關(guān)系列。這些開(kāi)關(guān)越來(lái)越多地用于很好地解決工程問(wèn)題。此博客將使讀者更好地了解這些實(shí)用的器件的能力，并介紹方案示例。
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安森美半導(dǎo)體和格芯合作轉(zhuǎn)讓紐約東菲什基爾300mm晶圓廠的所有權(quán)
安森美半導(dǎo)體公司(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON和格芯(GLOBALFOUNDRIES)宣布就安森美半導(dǎo)體收購(gòu)GLOBALFOUNDRIES位于紐約東菲什基爾(East Fishkill, New York)的300 mm晶圓廠達(dá)成最終協(xié)議。此次收購(gòu)總代價(jià)為4.3億美元，其中1億美元已在簽署最終協(xié)議時(shí)支付，其余3.3億美元將在2022年年底支付，之后，安森美半導(dǎo)體將獲得該晶圓廠的全面運(yùn)營(yíng)控制權(quán)，該廠的員工將轉(zhuǎn)為安森美半導(dǎo)體的員工。此交易的完成取決于監(jiān)管機(jī)構(gòu)的批準(zhǔn)及其它慣例成交
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在LLC拓?fù)渲?，為什么選用體二極管恢復(fù)快的MOSFET
在當(dāng)前全球能源危機(jī)的形式下，提高電子設(shè)備的能效，取得高性能同時(shí)降低能耗，成為業(yè)內(nèi)新的關(guān)注點(diǎn)。為順應(yīng)這一趨勢(shì)，世界上許多電子廠商希望在產(chǎn)品規(guī)格中提高能效標(biāo)準(zhǔn)。在電源管理方面，用傳統(tǒng)的硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器是很難達(dá)到新能效標(biāo)準(zhǔn)。因此，電源設(shè)計(jì)者已將開(kāi)發(fā)方向轉(zhuǎn)向軟開(kāi)關(guān)拓?fù)洌蕴岣唠娫吹哪苄?，?shí)現(xiàn)更高的工作頻率。 LLC諧振轉(zhuǎn)換
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