AOS推出適用于便攜式應(yīng)用的功率MOSFET

用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計(jì)的幾種方法

隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展，大多數(shù)人擁有自己的車，這也使得交通變得擁堵，而汽車在高峰期的走走停停會(huì)耗掉很多的能源，不僅浪費(fèi)還污染環(huán)境。故而引進(jìn)了汽車系統(tǒng)中的“啟停”功

繼續(xù)快速成長(zhǎng)，2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模逾人民幣2,900億元

TrendForce預(yù)估，2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到2,907億元人民幣，較2018年成長(zhǎng)12.17%，維持雙位數(shù)的成長(zhǎng)表現(xiàn)。

基于CPLD技術(shù)的MOSFET器件保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方案

　　1.概述　　功率MOSFET最初是從MOS集成電路發(fā)展起來(lái)的，它通過(guò)增加源漏橫向距離提高器件耐壓，從而實(shí)現(xiàn)集成電路中高壓驅(qū)動(dòng)。功率MOSFET已大量應(yīng)用于電力電子，消費(fèi)電子、

適用于小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)的MOSFET逆變模塊設(shè)計(jì)

　　本文介紹新型的MOSFET逆變模塊，用于驅(qū)動(dòng)風(fēng)扇和水泵中的小型直流無(wú)刷電機(jī)。這種功率模塊集成了6個(gè)MOSFET和相應(yīng)的高壓柵極驅(qū)動(dòng)電路 (HVIC)。通過(guò)使用專門設(shè)計(jì)的MOSFET和

如何選擇最佳的開(kāi)關(guān)式DC/DC轉(zhuǎn)換器

　　利用電容、電感的儲(chǔ)能的特性，通過(guò)可控開(kāi)關(guān)（MOSFET等）進(jìn)行高頻開(kāi)關(guān)的動(dòng)作，將輸入的電能儲(chǔ)存在電容（感）里，當(dāng)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，電能再釋放給負(fù)載，提供能量就是開(kāi)關(guān)電源

采用P溝MOSFET和N溝MOSFET的電路

如何優(yōu)化PCB設(shè)計(jì)以最大限度提高超級(jí)結(jié)MOSFET的性能

　　基于最近的趨勢(shì)，提高效率成為關(guān)鍵目標(biāo)，為了獲得更好的EMI而采用慢開(kāi)關(guān)器件的權(quán)衡并不值得。超級(jí)結(jié)可在平面MOSFET難以勝任的應(yīng)用中提高效率。與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比

如何為電源系統(tǒng)開(kāi)關(guān)控制器選擇合適的MOSFET？

　　DC/DC開(kāi)關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)

基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性來(lái)理解MOSFET的開(kāi)關(guān)過(guò)程

　　MOSFET 的柵極電荷特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程　　盡管 MOSFET 在開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制等一些電子系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用，但是許多電子工程師并沒(méi)有十分清楚的理解 MOSFET 開(kāi)關(guān)過(guò)程，以

安世半導(dǎo)體年度產(chǎn)能超過(guò)1000億件

2月21日，全球領(lǐng)先的分立元件、邏輯元件與 MOSFET 元件制造商安世半導(dǎo)體通過(guò)其官方微信公眾號(hào)宣布：安世半導(dǎo)體被荷蘭恩智浦剝離出來(lái)作為一家獨(dú)立公司，僅用兩年時(shí)間即領(lǐng)先市場(chǎng)同行，實(shí)現(xiàn)收入增長(zhǎng)超過(guò)35%，將年度產(chǎn)能擴(kuò)產(chǎn)至超過(guò)1000億件。

采用P通道MOSFET管和電源監(jiān)測(cè)電路

MOSFET學(xué)習(xí)：N溝道MOS管和P溝道MOS管

MOS/CMOS集成電路簡(jiǎn)介及N溝道MOS管和P溝道MOS管 在實(shí)際項(xiàng)目中，我們基本都用增強(qiáng)型mos管，分為N溝道和P溝道兩種。 我們常用的是NMOS，因?yàn)槠鋵?dǎo)通電阻小，且容易

Vishay推出第四代600V E系列MOSFET器件，性能達(dá)到業(yè)內(nèi)最佳水平

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。

意法半導(dǎo)體推出快速恢復(fù)的超結(jié)MOSFET，為電橋和ZVS轉(zhuǎn)換器帶來(lái)卓越性能

意法半導(dǎo)體的MDmesh™ DM6 600V MOSFET含有一個(gè)快速恢復(fù)體二極管，將該公司最新的超結(jié)(super-junction)技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)引入到全橋和半橋拓?fù)?、零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)相移轉(zhuǎn)換器等通常需要一個(gè)穩(wěn)定可靠的二極管來(lái)處理動(dòng)態(tài)dV/dt的應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)里。

英特爾14nm CPU產(chǎn)能開(kāi)出，MOSFET淡季不淡！

去年一直困擾著大中、杰力等MOSFET廠的6吋及8吋晶圓代工產(chǎn)能不足問(wèn)題，今年上半年也獲得解決。 由于小尺寸面板驅(qū)動(dòng)IC及微控制器(MCU)投片量明顯減少，MOSFET廠第一季可以取得更多晶圓代工產(chǎn)能支持，上半年不會(huì)再有產(chǎn)能不足情況發(fā)生。

基本半導(dǎo)體發(fā)布高可靠性1200V碳化硅MOSFET

基本半導(dǎo)體緊跟時(shí)代步伐，采用國(guó)際領(lǐng)先的碳化硅設(shè)計(jì)生產(chǎn)工藝，推出國(guó)內(nèi)首款通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試的1200V碳化硅MOSFET，助推國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展。

世界先進(jìn)董事長(zhǎng)：MOSFET需求仍旺盛，貿(mào)易戰(zhàn)對(duì)其影響不大！

中美貿(mào)易戰(zhàn)對(duì)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)為主的分離式元件供需影響較小，他認(rèn)為，目前MOSFET需求仍十分旺盛。

MOSFET

本文將探討如何選擇用于熱插拔的MOSFET（金氧半場(chǎng)效晶體管）。 當(dāng)電源與其負(fù)載突然斷開(kāi)時(shí)，電路寄生電感元件上的大電流擺動(dòng)會(huì)產(chǎn)生巨大的尖峰電壓，對(duì)電路上的電子元件造成十

8吋晶圓訂單依舊滿載，需求勝于12吋！

8吋半導(dǎo)體矽晶圓大廠合晶指出，8吋訂單依舊滿載，不過(guò)6吋的需求有轉(zhuǎn)趨疲弱的跡象，稼動(dòng)率有松動(dòng)的情況。據(jù)悉，8吋重?fù)桨雽?dǎo)體矽晶圓明年上半年將延續(xù)漲勢(shì)，漲幅可望達(dá)到10%以上，而明年上半年整體的8吋矽晶圓的漲幅約落在高個(gè)位數(shù)附近。