MOSFET
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一種高效率AC/DC電源的設計
由于功率密度的增加，能量損耗的密度也更為集中。更高的效率就意味著更低的熱損耗。提高電源效率正在迅速成為提高功率密度時唯一可行的措施。本文討論的AC/DC電源，80%以上的效率就可以被視為高效率。現在，市場上可
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兩種常見的MOSFET驅動電路設計
由分立器件組成的驅動電路((如圖所示)，驅動電路工作原理如下： A.當HS為高電平時，Q7、Q4導通，Q6關閉，電容C4上的電壓(約14V)經過Q4、D3、R6加到Q5的柵極，使Q5導通。在導通期間，Q5的源極電壓(Phase)接近電源電
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集成MOSFET驅動器的全橋移相控制器-LM5046
摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC-DC基本電路，內部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。 關鍵詞：全橋移相控制器L345046；28個PIN腳功能 1 LM
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低VCEsat雙極結晶體管和MOSFET的比較
新型低VCEsat BJT技術為傳統的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設計人員設計出成本更低、更具競爭優(yōu)勢的產品?！ ”銛y式產品(如手機、數碼照相機、
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電動自行車控制器MOSFET驅動電路的設計
電動自行車具有環(huán)保節(jié)能，價格合適，無噪聲，便利等特點，因此，電動自行車成為當今社會人們主要的代步工具。與此同時，消費者和商家對整車的質量及可靠性要求也越來越高。作為整車四大件之一的控制器的可靠性顯得尤
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高精度MOSFET設計技巧
隨著個人計算機行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進，為了滿足那些需求，并為該市場提供量身定制新型器件所需要的方法，半導體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過去，MOSFET設計工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場的
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Blade封裝技術助力 低壓MOSFET效能升級
在綠色節(jié)能熱潮持續(xù)發(fā)燒與能源規(guī)范日趨嚴格等因素驅使下，市場對電源供應系統的效率和功率密度的要求也不斷提升。為因應此一發(fā)展趨勢，英飛凌(Infineon)已研發(fā)出采用新一代Blade封裝技術的低壓金屬氧化物場效電晶體(
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Vishay發(fā)布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內最低的導通電阻，以及最低的導通電阻與柵極電
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Vishay發(fā)布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內最低的導通電阻，以及最低的導通電阻與柵極電
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集成MOSFET驅動器的全橋移相控制器-LM5046
摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC-DC基本電路，內部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。 關鍵詞：全橋移相控制器L345046；28個PIN腳功能 1 LM
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集成MOSFET驅動器的全橋移相控制器-LM5046
摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC-DC基本電路，內部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。 關鍵詞：全橋移相控制器L345046；28個PIN腳功能 1 LM
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低VCEsat雙極結晶體管和MOSFET的比較
新型低VCEsat BJT技術為傳統的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設計人員設計出成本更低、更具競爭優(yōu)勢的產品?！ ”銛y式產品(如手機、數碼照相機、
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高精度MOSFET設計技巧
隨著個人計算機行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進，為了滿足那些需求，并為該市場提供量身定制新型器件所需要的方法，半導體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過去，MOSFET設計工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場的
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高精度MOSFET設計技巧
隨著個人計算機行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進，為了滿足那些需求，并為該市場提供量身定制新型器件所需要的方法，半導體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過去，MOSFET設計工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場的
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IR推出新系列40V至200V車用MOSFET
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ，包括電動助力轉向系統 (EPS) 、集成式起動發(fā)電機 (ISA) 泵和電機控制，以及內
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閘能科技朝高效率綠能產品應用IC發(fā)展
綠能環(huán)保已成全球電子業(yè)發(fā)展趨勢，位于南港IC設計育成中心的IC設計新創(chuàng)公司閘能科技( Alfa-MOS Technology)，完成MOSFET、LED Driver、ESD等產品線的多項成果，符合手持裝置、LED燈源、LCD面板以及車載等電子系統在綠
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開環(huán)推挽逆變器軟開關實現的設計
電池供電的逆變器,為了減少回路中串聯的功率管數量,多采用推挽電路,其中的MOSFET多工作在硬開關狀態(tài),硬開關狀態(tài)有以下弊端:1、功率管開關損耗大,如圖1所示.MOSFET關斷時,D極電壓上升,溝道電流下降,存在著VI同時不為零
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開環(huán)推挽逆變器軟開關實現的設計
電池供電的逆變器,為了減少回路中串聯的功率管數量,多采用推挽電路,其中的MOSFET多工作在硬開關狀態(tài),硬開關狀態(tài)有以下弊端:1、功率管開關損耗大,如圖1所示.MOSFET關斷時,D極電壓上升,溝道電流下降,存在著VI同時不為零
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開環(huán)推挽逆變器軟開關實現的設計
電池供電的逆變器,為了減少回路中串聯的功率管數量,多采用推挽電路,其中的MOSFET多工作在硬開關狀態(tài),硬開關狀態(tài)有以下弊端:1、功率管開關損耗大,如圖1所示.MOSFET關斷時,D極電壓上升,溝道電流下降,存在著VI同時不為零
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IR推出新系列40V至200V車用MOSFET
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ，包括電動助力轉向系統 (EPS) 、集成式起動發(fā)電機 (ISA) 泵和電機控制，以及內
