MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

我們發(fā)現(xiàn)日益改進的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點，新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過構(gòu)成一個由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關(guān)鍵作用。

功率器件
2011-07-30

MOSFET 高功率 CMOS器件 BSP
完全自保護MOSFET功率器件分析

為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設(shè)計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統(tǒng)造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現(xiàn)，但是在更多情況下，設(shè)計人員使用完全

工業(yè)控制
2011-07-24

電感功率器件功率MOSFET MOSFET
完全自保護MOSFET功率器件分析

為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設(shè)計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統(tǒng)造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現(xiàn)，但是在更多情況下，設(shè)計人員使用完全

功率器件
2011-07-22

電感功率器件功率MOSFET MOSFET
80V浪涌吸收器原理與設(shè)計

摘要針對飛機直流電源上的浪涌干擾，分析了采用電壓鉗位和開關(guān)式穩(wěn)壓電路兩種方法，實現(xiàn)80V浪涌吸收器的可行性。經(jīng)過設(shè)計和試驗，較好地解決了這一問題。關(guān)鍵詞機載電子設(shè)備；80V浪涌吸收器；浪涌干擾隨

功率器件
2011-07-12

穩(wěn)壓電路浪涌電壓 MOSFET BSP
IR推出新系列40V至75V車用MOSFET

21ic訊 IR近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應(yīng)用。IR堅固的新型平面器件提供低導(dǎo)通電阻，適合電壓介于40V和75V之間的各種

模擬
2011-07-11

器件電壓導(dǎo)通電阻 MOSFET
IR推出新系列40V至75V車用MOSFET

21ic訊 IR近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應(yīng)用。IR堅固的新型平面器件提供低導(dǎo)通電阻，適合電壓介于40V和75V之間的各種

功率器件
2011-07-09

器件電壓導(dǎo)通電阻 MOSFET
基于混合SET/MOSFET的比較器

據(jù)2001 年的國際半導(dǎo)體技術(shù)未來發(fā)展預(yù)示，到2016 年MOSFETs 的物理溝道長度將達到低于10nm 的尺寸[1]，而這種尺寸條件會影響到MOSFETs 的基本工作原理，因此必須尋找新的替代器件。單電子晶體管(Single-Electron Tra

工業(yè)控制
2011-07-06

比較器柵極 SE MOSFET
基于混合SET/MOSFET的比較器

據(jù)2001 年的國際半導(dǎo)體技術(shù)未來發(fā)展預(yù)示，到2016 年MOSFETs 的物理溝道長度將達到低于10nm 的尺寸[1]，而這種尺寸條件會影響到MOSFETs 的基本工作原理，因此必須尋找新的替代器件。單電子晶體管(Single-Electron Tra

功率器件
2011-07-04

比較器柵極 SE MOSFET
基于UC3844的反激開關(guān)電源設(shè)計

引言　　隨著現(xiàn)代科技的飛速發(fā)展，開關(guān)電源正朝著小、輕、薄的方向發(fā)展。反激變換器因具有電路拓?fù)浜唵?、輸入電壓范圍寬、輸入輸出電氣隔離、體積重量小、成本低、性能良好、工作穩(wěn)定可靠等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于實際變

功率器件
2011-06-28

開關(guān)電源設(shè)計反激開關(guān)電源 UC3844 MOSFET
矽晶片/封裝技術(shù)加持　新MOSFET效能/體積齊優(yōu)化

新問世的NexFET Power Block透過矽晶片及封裝技術(shù)的突破，來滿足小尺寸產(chǎn)品的高效率及高電量需求，其所占空間約為離散式MOSFET的一半，可降低相關(guān)寄生效應(yīng)，并使同步降壓電源配置，能夠在效能方面超越離散式MOSFET電

模擬
2011-06-23

晶片離散封裝技術(shù) MOSFET
說出你的故事：中國IC設(shè)計及應(yīng)用創(chuàng)新案例

現(xiàn)代創(chuàng)新理論的提出者約瑟夫·熊彼特認(rèn)為，企業(yè)家的職能就是實現(xiàn)“創(chuàng)新”，引進生產(chǎn)要素或生產(chǎn)條件的“新組合”，目的是最大限度地獲取超額利潤。創(chuàng)新催生利潤，因此“創(chuàng)新”一

電子設(shè)計自動化
2011-06-21

中國電子 IC設(shè)計 MDASH MOSFET
Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機損耗

21ic訊 Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流（BLDC）電機控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻（Rdson）性能，以確保平衡分配電機負(fù)載的直流損耗

功率器件
2011-06-21

直流電機 DM DIODES MOSFET
分析混合動力電動車設(shè)計中大功率器件的應(yīng)用

　盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機驅(qū)動的汽車可以相對輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機獲取車載系統(tǒng)的電氣需求，但由于混合動力電動汽車采用了幾個系統(tǒng)，它們需要更高的功率級別。對于輕混、全混、插電式混合動力汽車或

汽車電子
2011-06-14

大功率器件 IGBT 混合動力電動車 MOSFET
同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

在這篇《電源設(shè)計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設(shè)計過程的一個組

模擬
2011-06-12

電阻傳導(dǎo) 同步降壓 MOSFET
分析混合動力電動車設(shè)計中大功率器件的應(yīng)用

　盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機驅(qū)動的汽車可以相對輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機獲取車載系統(tǒng)的電氣需求，但由于混合動力電動汽車采用了幾個系統(tǒng)，它們需要更高的功率級別。對于輕混、全混、插電式混合動力汽車或

電源
2011-06-12

大功率器件 IGBT 混合動力電動車 MOSFET
分析混合動力電動車設(shè)計中大功率器件的應(yīng)用

　盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機驅(qū)動的汽車可以相對輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機獲取車載系統(tǒng)的電氣需求，但由于混合動力電動汽車采用了幾個系統(tǒng)，它們需要更高的功率級別。對于輕混、全混、插電式混合動力汽車或

功率器件
2011-06-12

大功率器件 IGBT 混合動力電動車 MOSFET
飛兆推出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊

21ic訊電源工程師一直面對減小應(yīng)用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰(zhàn)，而在筆記本電腦、負(fù)載點、服務(wù)器、游戲和電信應(yīng)用中，上述兩點尤為重要。為了幫助設(shè)計人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semicondu

電源
2011-06-11

器件飛兆 DM MOSFET
飛兆推出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊

21ic訊電源工程師一直面對減小應(yīng)用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰(zhàn)，而在筆記本電腦、負(fù)載點、服務(wù)器、游戲和電信應(yīng)用中，上述兩點尤為重要。為了幫助設(shè)計人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semicondu

功率器件
2011-06-11

器件飛兆 DM MOSFET
基于雙管正激的模塊電源設(shè)計

高功率密度、高效率以及小外型尺寸已成為當(dāng)前模塊電源技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵驅(qū)動力。雙管正激電路是實現(xiàn)這些要求的實用電路之一,被廣泛應(yīng)用在中、高功率電源設(shè)計中。本文簡要介紹了雙管正激電路的工作原理及優(yōu)點,同時詳細(xì)介

功率器件
2011-06-10

模塊電源電源設(shè)計正激電路 MOSFET
同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

在這篇《電源設(shè)計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設(shè)計過程的一個組

功率器件
2011-06-10

電阻傳導(dǎo) 同步降壓 MOSFET

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MOSFET

用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

完全自保護MOSFET功率器件分析

完全自保護MOSFET功率器件分析

80V浪涌吸收器原理與設(shè)計

IR推出新系列40V至75V車用MOSFET

IR推出新系列40V至75V車用MOSFET

基于混合SET/MOSFET的比較器

基于混合SET/MOSFET的比較器

基于UC3844的反激開關(guān)電源設(shè)計

矽晶片/封裝技術(shù)加持　新MOSFET效能/體積齊優(yōu)化

說出你的故事：中國IC設(shè)計及應(yīng)用創(chuàng)新案例

Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機損耗

分析混合動力電動車設(shè)計中大功率器件的應(yīng)用

同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

分析混合動力電動車設(shè)計中大功率器件的應(yīng)用

分析混合動力電動車設(shè)計中大功率器件的應(yīng)用

飛兆推出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊

飛兆推出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊

基于雙管正激的模塊電源設(shè)計

同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

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