MOSFET
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瑞薩將上市SiC功率半導(dǎo)體
瑞薩電子計(jì)劃上市SiC(碳化硅)功率半導(dǎo)體。耐壓600V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”將從2011年3 月底開始樣品供貨。除了空調(diào)等白色家電外，預(yù)計(jì)還可用于通信基站和服務(wù)器等配備的PFC(功率因
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意法半導(dǎo)體上市LED燈泡用驅(qū)動(dòng)IC MOSFET
意法合資的意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)上市了小型LED燈泡用驅(qū)動(dòng)IC“HVLED805”。該IC用在反激型絕緣AC-DC轉(zhuǎn)換器的一次側(cè)，在一個(gè)芯片上集成了PWM控制IC和+800V耐壓的功率MOSFET。無(wú)需使用電流檢測(cè)電阻便可檢測(cè)出
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IR將攜最新節(jié)能電源管理解決方案參展IIC-China 2011
全球功率半導(dǎo)體和管理方案廠商國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR）宣布將攜行業(yè)領(lǐng)先的節(jié)能電源管理解決方案參展第十六屆國(guó)際集成電路研討會(huì)暨展覽會(huì)（IIC-China 2011）?！ R的工程師和
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英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線
2011年1月19日，英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS? 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過(guò)不斷改進(jìn)芯片架構(gòu)，使得CoolMOS? 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功
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英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線
英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過(guò)不斷改進(jìn)芯片架構(gòu)，使得CoolMOS™ 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功奠
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LED恒流驅(qū)動(dòng)器件MOSFET選擇
常用的是NMOS.原因是導(dǎo)通電阻小,應(yīng)用較為廣泛,也符合LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)要求.所以開關(guān)電源和LED恒流驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中,一般都用NMOS.下面的介紹中,也多以NMOS為主. 功率MOSFET的開關(guān)特性:MOSFET功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是用柵極電壓來(lái)
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LED恒流驅(qū)動(dòng)器件MOSFET選擇
常用的是NMOS.原因是導(dǎo)通電阻小,應(yīng)用較為廣泛,也符合LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)要求.所以開關(guān)電源和LED恒流驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中,一般都用NMOS.下面的介紹中,也多以NMOS為主. 功率MOSFET的開關(guān)特性:MOSFET功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是用柵極電壓來(lái)
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同步MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器LTC4444/-5的H級(jí)版本（Linear）
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 級(jí)版本，該器件是一款高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)
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利用STR F6656設(shè)計(jì)34寸彩色電視機(jī)開關(guān)電源
摘要：介紹Sanken公司的混合型開關(guān)電源ICSTR?F6600系列的原理和應(yīng)用，作為實(shí)例，介紹了使用STR?F6656設(shè)計(jì)一個(gè)34″彩電用的開關(guān)電源，并給出滿意的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。1引言 混合型電源ICSTR?F6600系列是日本Sanken
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英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線
英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過(guò)不斷改進(jìn)芯片架構(gòu)，使得CoolMOS™ 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功奠
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英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線
英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過(guò)不斷改進(jìn)芯片架構(gòu)，使得CoolMOS™ 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功奠
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利用STR F6656設(shè)計(jì)34寸彩色電視機(jī)開關(guān)電源
摘要：介紹Sanken公司的混合型開關(guān)電源ICSTR?F6600系列的原理和應(yīng)用，作為實(shí)例，介紹了使用STR?F6656設(shè)計(jì)一個(gè)34″彩電用的開關(guān)電源，并給出滿意的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。1引言 混合型電源ICSTR?F6600系列是日本Sanken
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飛兆半導(dǎo)體在IIC China 2011展示先進(jìn)功率與便攜技術(shù)
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)將在2月24日至26日舉行的IIC China 2011展會(huì)上，展示其最新的功率技術(shù)和便攜技術(shù)，公司展臺(tái)位于深圳會(huì)展中心2號(hào)展館2J19展臺(tái)。 飛兆半導(dǎo)體華南地區(qū)銷售總監(jiān)藍(lán)仕偉表示：
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車用平面 MOSFET系列（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出車用平面 MOSFET 系列，適用于內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、混合動(dòng)力和全電動(dòng)汽車平臺(tái)的多種應(yīng)用。新器件系列采用了 IR 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的平面技術(shù)，包括 55V 和 150V 標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)
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在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關(guān)損耗
摘要：升壓變換器通常應(yīng)用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關(guān)電源的效率，設(shè)計(jì)者必須選擇低開關(guān)損耗的MOSFET。在升壓變換器中，利用QFET新型MOSFET能夠有效地減少系統(tǒng)損耗。1引言 在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，效率是一個(gè)關(guān)鍵性的參
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遼寧工學(xué)院 TOPSwitch的特點(diǎn)及設(shè)計(jì)時(shí)需注意的問(wèn)題
摘要：對(duì)TOPSwitch的特點(diǎn)作了進(jìn)一步的分析，并講述了設(shè)計(jì)中如何求得一個(gè)最佳電感值的問(wèn)題。1引言 對(duì)于200W以下的開關(guān)電源，應(yīng)用TOPSwitch與應(yīng)用UC3842相比，所需的元器件要少得多，從而使電路簡(jiǎn)化，體積和重量進(jìn)一
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車用平面 MOSFET系列（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出車用平面 MOSFET 系列，適用于內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、混合動(dòng)力和全電動(dòng)汽車平臺(tái)的多種應(yīng)用。新器件系列采用了 IR 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的平面技術(shù)，包括 55V 和 150V 標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)
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提高有功模式效率以滿足“能源之星”要求
系統(tǒng)工程師必須重點(diǎn)關(guān)注架構(gòu)級(jí)和元件級(jí)優(yōu)化的改進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)最高效的設(shè)計(jì)和最低的功耗。特別需要注意的是低磁化電流變壓器設(shè)計(jì)，通過(guò)降低輕載下銅損耗來(lái)提高效率。
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提高有功模式效率以滿足“能源之星”要求
系統(tǒng)工程師必須重點(diǎn)關(guān)注架構(gòu)級(jí)和元件級(jí)優(yōu)化的改進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)最高效的設(shè)計(jì)和最低的功耗。特別需要注意的是低磁化電流變壓器設(shè)計(jì)，通過(guò)降低輕載下銅損耗來(lái)提高效率。
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提高有功模式效率以滿足“能源之星”要求
系統(tǒng)工程師必須重點(diǎn)關(guān)注架構(gòu)級(jí)和元件級(jí)優(yōu)化的改進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)最高效的設(shè)計(jì)和最低的功耗。特別需要注意的是低磁化電流變壓器設(shè)計(jì)，通過(guò)降低輕載下銅損耗來(lái)提高效率。
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