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【2026年3月25日, 中國(guó)上海訊】中國(guó)人工智能服務(wù)器電源供應(yīng)商深圳麥格米特電氣股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)：麥米電氣)宣布，將在其5.5 kW人工智能(AI)服務(wù)器電源中采用由全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科...
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MOSFET
AI服務(wù)器
半導(dǎo)體
這些器件可作為中高頻應(yīng)用中競(jìng)品的“即插即用”型替代方案
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SiC
MOSFET
功率模塊
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為電力電子領(lǐng)域的核心器件，融合了MOSFET的電壓驅(qū)動(dòng)特性與雙極型晶體管的低導(dǎo)通壓降優(yōu)勢(shì)，在變頻調(diào)速、新能源發(fā)電、軌道交通等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。其開(kāi)關(guān)過(guò)程的動(dòng)態(tài)特性直接決定了系統(tǒng)的效率、可靠...
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IGBT
MOSFET
在電子電路設(shè)計(jì)中，三極管和MOSFET是最常用的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓等電路。三極管是電流控制型器件，MOSFET是電壓控制型器件，兩者在特性和應(yīng)用場(chǎng)景上存在較大差異。如何根據(jù)電路需求選擇合適的三極管或M...
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MOSFET
三極管
開(kāi)關(guān)電源的效率直接關(guān)系到能源利用率、散熱設(shè)計(jì)和產(chǎn)品可靠性，而MOS管作為開(kāi)關(guān)電源的核心器件，其損耗占電源總損耗的40%-60%。深入理解MOS管的損耗機(jī)理，并針對(duì)性地進(jìn)行優(yōu)化，是提高開(kāi)關(guān)電源效率的關(guān)鍵。MOS管的損耗主要...
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MOS
MOSFET
中國(guó)上海，2026年1月29日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，開(kāi)始提供適用于大電流車(chē)載直流有刷電機(jī)橋式電路的柵極驅(qū)動(dòng)IC[1]——“TB9104FTG”。該器件適用于電動(dòng)尾門(mén)、電動(dòng)滑門(mén)和電動(dòng)座椅等...
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柵極驅(qū)動(dòng)IC
電動(dòng)座椅
MOSFET
在電力電子領(lǐng)域，MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)以其高速開(kāi)關(guān)特性、低驅(qū)動(dòng)功耗和易于集成的優(yōu)勢(shì)，成為現(xiàn)代電子設(shè)備的核心元件。從智能手機(jī)的電源管理到電動(dòng)汽車(chē)的逆變器，從數(shù)據(jù)中心服務(wù)器到航空航天控制系統(tǒng)，MOSFE...
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MOSFET
電流
【2026年1月12日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出全新封裝的 CoolSiC? MOSFET 750V G2系列，旨...
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MOSFET
導(dǎo)通電阻
靜態(tài)開(kāi)關(guān)
創(chuàng)新設(shè)計(jì)使系統(tǒng)能夠采用額定值較低的MOSFET或二極管，同時(shí)確?？煽康谋Ｗo(hù)功能，非常適合各種需要12V電池防反接保護(hù)的汽車(chē)應(yīng)用
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二極管
電池
MOSFET
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心器件，憑借其高輸入阻抗、低導(dǎo)通損耗和快速開(kāi)關(guān)能力，廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、工業(yè)變頻、可再生能源等領(lǐng)域。其開(kāi)關(guān)過(guò)程直接決定了系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。
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IGBT
MOSFET
中國(guó)上海，2025年12月18日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，適用于主驅(qū)逆變器控制電路、電動(dòng)泵、LED前照燈等應(yīng)用的車(chē)載低耐壓(40V/60V)MOSFET產(chǎn)品陣容中，又新增HPLF50...
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MOSFET
逆變器
電動(dòng)泵
二極管在正向工作時(shí)具有小的電壓降(約0.2V至0.7V)。當(dāng)反向布線(xiàn)時(shí)，它們有很大的電壓降。流行的1N4001二極管的反向電壓為50V或更高，而1N4007二極管的反向電壓為1000V或更高。這意味著當(dāng)它們的反向擊穿電壓...
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齊納二極管
MOSFET
晶體管
此次合作將帶來(lái)更智能的汽車(chē)電源解決方案，兼具卓越能效與優(yōu)化性能
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電源
MOSFET
新型X4級(jí)器件在簡(jiǎn)化熱設(shè)計(jì)，提高效率的同時(shí)減少了儲(chǔ)能、充電、無(wú)人機(jī)和工業(yè)應(yīng)用中零部件數(shù)量。
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MOSFET
無(wú)人機(jī)
工業(yè)電源
薄型器件適于中高頻應(yīng)用，節(jié)省空間，同時(shí)降低寄生電感，實(shí)現(xiàn)更潔凈的開(kāi)關(guān)特性
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SiC
MOSFET
功率模塊
在電子系統(tǒng)中，MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為一種常用的開(kāi)關(guān)器件，其開(kāi)關(guān)過(guò)程中的電磁干擾(EMI)問(wèn)題備受關(guān)注。
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MOSFET
2025年11月13日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于PI(Power Integrations)InnoMux?-2系列IMX2379F芯片的62W三輸出定電壓反...
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反激式電源
MOSFET
顯示器
中國(guó)上海，2025年11月11日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超寬SOA*1范圍的100V耐壓功率MOSFET“RS7P200BM”。該款產(chǎn)品采用5060尺寸(5.0mm×...
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MOSFET
AI服務(wù)器
電源
【2025年10月24日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)通過(guò)增加頂部散熱(TSC)的TOLT封裝及TO-247-3和TO-2...
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MOSFET
D類(lèi)音頻放大器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)
2025年10月23日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半導(dǎo)體(ST)Stellar E1系列MCU、STGAP2SIC單柵極驅(qū)動(dòng)器以及使用ST Gen3的120...
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MCU
柵極驅(qū)動(dòng)器
碳化硅
MOSFET
